制备晶体取向陶瓷的方法
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101538152A

    公开(公告)日:2009-09-23

    申请号:CN200810174841.9

    申请日:2008-11-07

    Abstract: 本发明公开了制备晶体取向陶瓷的方法。所述方法包括制备步骤、混合步骤、成形步骤和烧结步骤。选择至少一种用作原料的各向异性成形的粉末和通过成形步骤的压实物具有80%或更高的取向度且具有15°或更小的根据摇摆曲线法的半峰全宽(FWHM)。制备了平均晶粒直径为各向异性成形的粉末的三分之一或更小的微小粉末以与之混合而制备原料混合物。将所述原料混合物成形为压实物以允许各向异性成形的粉末的取向面在近乎相同的方向中进行取向。在烧结步骤中,将各向异性成形的粉末与微小粉末彼此烧结以得到晶体取向陶瓷。

    多晶陶瓷体的制备方法
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1765797A

    公开(公告)日:2006-05-03

    申请号:CN200510118615.5

    申请日:2005-10-31

    CPC classification number: Y02P40/57

    Abstract: 为提供一种具有优异密度的多晶陶瓷体的制备方法而实施了制备步骤、混合步骤、成形步骤和热处理步骤。在制备步骤中制备粗颗粒陶瓷粉末和平均粒径为所述粗颗粒陶瓷粉末平均粒径的1/3或更小的细颗粒粉末。在混合步骤中,粗颗粒陶瓷粉末与细颗粒粉末进行混合,产生原料混合物。在成形步骤中,使原料混合物形成为一种成形体。在热处理步骤中,对成形体进行加热,从而烧结生成多晶陶瓷体。在热处理步骤中实施升温过程和第一保持过程,同时实施第二保持过程和/或冷却过程。在升温过程中,从加热开始升温,在第一保持过程中将成形体保持在温度T1℃。在第二保持过程中,将成形体保持在低于温度T1℃的温度T2℃。在冷却过程中,从温度T1℃开始对成形体以60℃/h或更低的降温速率进行冷却。

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