公开(公告)号：CN116130416A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211382946.X

申请日：2022-11-07

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 津间博基 ,  南云裕司 ,  植茶雅史 ,  熊泽辉显

IPC: H01L21/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 碳化硅半导体装置包括碳化硅半导体层(2)和侧硅化物层(42)。碳化硅半导体层包括碳化硅单晶，并且具有主表面(2a)、与主表面相反的后表面(2b)以及连接主表面与后表面并由解理面形成的侧表面(2c)。碳化硅半导体层还包括改性层(21)。改性层形成侧表面的位于后表面附近的一部分，并且具有与碳化硅单晶的原子排列结构不同的碳化硅原子排列结构。侧硅化物层包括金属硅化物，其是金属元素和硅的化合物。侧硅化物层设置在碳化硅半导体层的侧表面上并且与改性层相邻。