公开(公告)号：CN1232809C

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN03152583.0

申请日：2003-08-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 上野正人 ,  渡边善文

IPC: G01L19/00 ,  F16B11/00 ,  B65D45/00 ,  B29C65/48

CPC classification number: G01L19/143 ,  B29C65/48 ,  B29C65/483 ,  B29C66/12445 ,  B29C66/131 ,  B29C66/30321 ,  B29C66/30325 ,  B29C66/3034 ,  B29C66/322 ,  B29C66/54 ,  B29C66/71 ,  B29C66/712 ,  B29C66/73112 ,  B29K2995/0067 ,  Y10T403/47 ,  Y10T403/472 ,  Y10T428/24777 ,  Y10T428/28 ,  B29C65/00 ,  B29K2067/006 ,  B29K2081/04

Abstract: 一种气密地结合第一体(3)和第二体(13)的结合结构，用于在其中容置传感器元件(5)。环形凸起(18)被形成在第一体(3)或第二体(13)的周端边界上。在第一体(3)和第二体(13)中另一个上形成凹入部分(17)，用于与凸起(18)结合。凹入部分(17)和凸起(18)结合，以形成内间隙(19A)和外间隙(19B)。胶(20)被填充到内间隙(19A)和外间隙(19B)内。利用胶(20)而结合的凹入部分(17)的周面和凸起(18)的周面上具有多个突起(21)。

公开(公告)号：CN1692484A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100334.6

申请日：2003-12-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 田中宏明 ,  丰田稻男 ,  渡边善文 ,  近藤市治 ,  真山惠次 ,  阿部吉次

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/84 ,  C23C18/16

CPC classification number: G01L19/147 ,  B81B7/0012 ,  B81B2207/07 ,  G01F1/34 ,  G01F1/692 ,  G01F15/006 ,  G01L19/0645 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

Abstract: 一种电镀半导体晶片同时维持所镀薄膜厚度均匀的方法，防止在晶片背面淀积并且防止在后续步骤中污染。在半导体晶片的铝电极上间接形成连接端子，在晶片背面由绝缘体覆盖的情况下进行非电解地电镀。优选的是，所述绝缘体是作为构成产品一部分的玻璃衬底。半导体型传感器展现了对腐蚀介质提高了的耐腐蚀性。在半导体衬底上，所述半导体型传感器具有用于检测腐蚀介质的物理量或者化学成分的结构部分以及电量转换元件，并且具有多个焊点，所述焊点是用于向外部单元发送检测到的电信号的输出端子，其中所述焊点利用贵重金属保护。