公开(公告)号：CN116791195A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310782655.8

申请日：2020-09-24

Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 镰田功穗 ,  土田秀一 ,  星乃纪博 ,  德田雄一郎 ,  冈本武志

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明是碳化硅单晶晶片及碳化硅单晶锭的制造方法。提供能获得高品位的碳化硅单晶的碳化硅单晶晶片的制造方法及碳化硅单晶晶片。通过气相生长法来制造的碳化硅单晶晶片，其中，晶片所包含的位错密度为3500个/cm2以下，在所述晶片的中心部、所述晶片的端部、及所述晶片的中间部分的比较中，所述KOH蚀坑密度的差小于平均值的50％。

公开(公告)号：CN116265626A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211612081.1

申请日：2022-12-15

Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 ,  未来瞻科技株式会社 ,  株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 镰田功穗 ,  星乃纪博 ,  别役洁 ,  土田秀一 ,  冈本武志 ,  堀合慧祥

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供：在封闭籽晶中的微管的同时减少了螺旋位错的聚集的碳化硅铸锭、其制造方法和碳化硅晶片的制造方法。一种碳化硅铸锭，其具备：由碳化硅单晶构成、且具有作为中空缺陷的微管(5)的籽晶(2)；设于籽晶(2)上的由碳化硅构成的缓冲层(3)；以及设于缓冲层(3)上的由碳化硅构成的块状晶体生长层(4)，缓冲层(3)和块状晶体生长层(4)具有延续至被缓冲层(3)封闭的微管(5)的多个螺旋位错(6)，在块状晶体生长层(4)中共用微管(5)的多个螺旋位错(6)彼此的间隔为150μm以上。

公开(公告)号：CN114351253A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111193447.1

申请日：2021-10-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 星乃纪博 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  神田贵裕 ,  冈本武志

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  C30B25/08 ,  C30B33/02

Abstract: 提供能够得到使贯通位错等缺陷减少的碳化硅单晶的碳化硅单晶的制造方法及制造装置以及碳化硅单晶锭。得到使贯通位错等缺陷减少的碳化硅单晶。本发明的碳化硅单晶的制造方法为，通过将原料气体供给至配置有籽晶基板的反应容器内，并且将前述反应容器内加热至既定温度，使碳化硅单晶在前述籽晶基板的表面成长，其特征在于，具有第1工序和第2工序，在前述第1工序中，将前述反应容器内的温度控制成第1既定温度的状态，使碳化硅单晶在前述籽晶基板的表面成长，由此进行贯通位错的湮灭、或者贯通位错的合成，在前述第2工序中，在前述第1工序后将前述反应容器内的温度维持成第1既定温度的状态，由此使前述贯通位错的末端接近籽晶基板的表面。

公开(公告)号：CN112513348A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980048251.8

申请日：2019-07-24

Applicant: 株式会社电装 ,  东洋炭素株式会社 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 长屋正武 ,  神田贵裕 ,  冈本武志 ,  鸟见聪 ,  野上晓 ,  北畠真

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  C30B33/12 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明解决的问题是提供可以提高光学式传感器的检测率的SiC晶片和SiC晶片的制造方法。其特征在于，包括：梨皮面加工步骤(S141)，对SiC晶片(20)的至少背面(22)进行梨皮面加工；蚀刻步骤(S21)，在所述梨皮面加工步骤(S141)之后，通过在Si蒸汽压下进行加热来对所述SiC晶片(20)的至少背面(22)进行蚀刻；以及镜面加工步骤(S31)，在所述蚀刻步骤(S21)之后，对所述SiC晶片(20)的主面(21)进行镜面加工。由此，可以获得具有已镜面加工的主面(21)和已梨皮面加工的背面(22)的SiC晶片。