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公开(公告)号：CN1327528C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN03152590.3
申请日：2003-08-05
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L29/66068 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/8083
Abstract: 一种碳化硅(SiC)衬底，设有偏转的{0001}表面，该偏转的{0001}表面的偏轴方向是 。沟槽形成在碳化硅上，以具有朝向 方向延伸的条形结构。在沟槽的内表面上形成碳化硅外延层。
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