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公开(公告)号：CN1595632A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410085563.1
申请日：2000-05-25
IPC: H01L21/68
CPC classification number: B23Q3/15 , B23Q3/154 , H01L21/6833 , H02N13/00
Abstract: 根据本发明，提供一种用于静电吸引绝缘基片的静电吸盘、使用静电吸盘加热/冷却绝缘基片的装置、和控制绝缘基片温度的方法。公开了形成静电吸盘的绝缘材料的形状和特性、和电极的形状。还公开了包括板、气体输送管道和温度控制系统的用于加热/冷却绝缘基片的装置、和其中安装了用于加热/冷却绝缘基片的装置的用于处理绝缘基片的装置。
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公开(公告)号：CN107615474B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201680032106.7
申请日：2016-04-01
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , H02N13/00 , B23Q3/15
Abstract: 本发明提供一种抑制吸附对象物的吸附和剥离时的灰尘的产生并且能够以使吸附装置的吸附力均匀的方式进行控制的技术。本发明的吸附装置具有在电介质中具有吸附电极11、12的主体部50、以及被设置在主体部50的吸附侧的表面并且对基板进行吸附的吸附部51。吸附部51具有与基板接触来支承的接触支承部52、以及不与基板接触的非接触部53，在吸附部51中，被构成为接触支承部52的材料的体积电阻率比非接触部53的材料的体积电阻率大。
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公开(公告)号：CN107431040A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680022120.9
申请日：2016-04-11
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , B65G49/00 , H02N13/00
Abstract: 【课题】提供吸附力不会变弱的吸附装置。【解决方案】将吸附装置19a的受电端子24配置于受电侧凹部23内，能够利用盖部25a盖上。在对基板51~53进行吸附时，将吸附装置19a载置于供电台18a上，使供电端子64与受电端子24接触，对基板51~53与吸附电极22之间的等效电容进行充电。在使吸附装置19a移动时，一边由于等效电容的残留电荷吸附基板51~53一边利用盖部25a盖上受电侧凹部23，真空槽中的残留气体不会与受电端子24接触。没有受电端子24腐蚀或者形成薄膜的情况，不会放出等效电容的残留电荷。
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公开(公告)号：CN101687215B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200880022395.8
申请日：2008-06-17
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: B41J2/155
Abstract: 形成看不到筋条的覆膜。在基板(7)上，在第一印刷头(20a)与第二印刷头(20b)重叠的范围中，使从第一印刷头(20a)排出的第一排出液弹着的弹着位置和从第二印刷头(20b)排出的第二排出液弹着的弹着位置混合存在。按照随机数决定哪个排出液弹着。在由第一排出液形成的覆膜(30a)与由第二排出液形成的覆膜(30b)之间配置混合存在第一、第二排出液而形成的覆膜(30c)，所以边界变模糊，筋条变得看不到。
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公开(公告)号：CN1595631A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410085562.7
申请日：2000-05-25
IPC: H01L21/68
CPC classification number: B23Q3/15 , B23Q3/154 , H01L21/6833 , H02N13/00
Abstract: 根据本发明，提供一种用于静电吸引绝缘基片的静电吸盘、使用静电吸盘加热/冷却绝缘基片的装置、和控制绝缘基片温度的方法。公开了形成静电吸盘的绝缘材料的形状和特性、和电极的形状。还公开了包括板、气体输送管道和温度控制系统的用于加热/冷却绝缘基片的装置、和其中安装了用于加热/冷却绝缘基片的装置的用于处理绝缘基片的装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1365518A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN00810884.6
申请日：2000-05-25
CPC classification number: B23Q3/15 , B23Q3/154 , H01L21/6833 , H02N13/00
Abstract: 根据本发明,提供一种用于静电吸引绝缘基片的静电吸盘、使用静电吸盘加热/冷却绝缘基片的装置、和控制绝缘基片温度的方法。公开了形成静电吸盘的绝缘材料的形状和特性、和电极的形状。还公开了包括板、气体输送管道和温度控制系统的用于加热/冷却绝缘基片的装置、和其中安装了用于加热/冷却绝缘基片的装置的用于处理绝缘基片的装置。
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公开(公告)号：CN110088887B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201880005600.3
申请日：2018-11-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , C23C14/50 , H01L21/285 , H02N13/00
Abstract: 一边使电介质的吸附对象物竖立设置一边使导电性薄膜生长。在吸附板14的上部设置的第一区域21配置第一正负电极31、41，在旋转轴线10和第一区域21之间设置的第二区域配置与第一正负电极31、41相比宽度广且间隔也广的第二正负电极32、42。一边向第一正负电极31、41施加第一电压而利用梯度力吸附电介质的吸附对象物一边使吸附板14从横向设置姿势变为竖立设置姿势，一边向第二正负电极32、42施加第二电压一边在吸附对象物8的表面使导电性薄膜生长。吸附对象物8持续被吸附，因此，不会从吸附板14脱落。在利用静电力开始吸附之后，当向吸附对象物和吸附板14之间导入热介质气体时，能够进行吸附对象物的温度控制。
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公开(公告)号：CN110088887A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201880005600.3
申请日：2018-11-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , C23C14/50 , H01L21/285 , H02N13/00
Abstract: 一边使电介质的吸附对象物竖立设置一边使导电性薄膜生长。在吸附板14的上部设置的第一区域21配置第一正负电极31、41，在旋转轴线10和第一区域21之间设置的第二区域配置与第一正负电极31、41相比宽度广且间隔也广的第二正负电极32、42。一边向第一正负电极31、41施加第一电压而利用梯度力吸附电介质的吸附对象物一边使吸附板14从横向设置姿势变为竖立设置姿势，一边向第二正负电极32、42施加第二电压一边在吸附对象物8的表面使导电性薄膜生长。吸附对象物8持续被吸附，因此，不会从吸附板14脱落。在利用静电力开始吸附之后，当向吸附对象物和吸附板14之间导入热介质气体时，能够进行吸附对象物的温度控制。
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公开(公告)号：CN106796915A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201680003147.3
申请日：2016-03-31
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , H02N13/00
Abstract: 本发明提供一种使在与吸附对象物接触的面的吸附力降低来抑制吸附对象物的吸附和剥离时的灰尘的产生并且能够以使吸附装置的吸附力均匀的方式进行控制的技术。本发明的吸附装置具有：在电介质中具有用于对基板10进行吸附保持的逆极性的一对吸附电极11、12的主体部50、以及相对于一对吸附电极11、12在主体部50的吸附侧的部分以跨越一对吸附电极11的阳极11a和阴极11b以及一对吸附电极12的阳极12a和阴极12b的方式分别配置的导电性膜51。
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公开(公告)号：CN103733318A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280040387.2
申请日：2012-08-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: B01J3/006 , H01J37/321 , H01J37/32706 , H01J37/32715 , H01L21/6831
Abstract: 提供一种真空处理装置以及真空处理方法，能够在进行等离子处理时强力吸附保持绝缘性基板。真空处理装置（1）具有：接地的真空槽（11），与真空槽（11）相连的真空排气装置（19），配置在真空槽（11）内部的吸附装置（40），对设在吸附装置（40）上的单极（3）外加输出电压的吸附用电源（16），向真空槽（11）内导入等离子生成气体的等离子生成气体导入装置（21），以及使等离子生成气体为等离子的等离子生成部（20），将处理对象物（6）配置在吸附装置（40）上，当通过吸附用电源（16）对单极（3）外加输出电圧时，在真空槽内（11）内生成等离子，并且当将处理对象物（6）吸附在吸附装置上时，通过等离子进行处理，其中，处理对象物（6）使用绝缘性基板，吸附用电源（16）向单极（3）输出正电圧和负电圧周期地变化的输出电圧。
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