公开(公告)号：CN105280377A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510312333.2

申请日：2015-06-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 神崎泰介 ,  增成晃生

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01B1/02 ,  H01B3/12

CPC classification number: H01G4/30 ,  B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/0085 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1263

Abstract: 本发明提供层叠陶瓷电容器，能在抑制内部电极的覆盖率的降低的同时实现内部电极的薄层化。层叠陶瓷电容器包括：以包含Ba、Ti且任意含有Zr、Hf的钙钛矿型化合物为主成分的电介质层；和平均厚度0.5μm以下的内部电极。在电介质层中，进行调整，使得相对于Ti、Zr和Hf的合计量100摩尔份，Mg成分为0≤Mg≤0.4(摩尔份)的范围。另外，在内部电极的缺损部中存在Mg成分的比例为20％以上、即(存在Mg的缺损部个数/全部缺损部个数)×100(％)≥20(％)。

公开(公告)号：CN102034606B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201010273597.9

申请日：2010-09-03

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 铃木祥一郎 ,  伴野晃一 ,  大塚正博 ,  中村将典 ,  城野精一 ,  神崎泰介 ,  盐田彰宏

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/008

CPC classification number: H01G4/0085 ,  H01C7/008 ,  H01C7/18 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/224 ,  H01G4/30 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/0477

Abstract: 本发明涉及层叠陶瓷电子部件及层叠陶瓷电子部件的制造方法，用于提供机械特性及电特性出色、且陶瓷材料设计的自由度高、成本低且不合格率低、并具有各种特性的层叠陶瓷电子部件。该层叠陶瓷电子部件含有：具备层叠的多个陶瓷层、和沿着所述陶瓷层间特定的界面形成的多个以Al为主成分的内部电极的层叠体；以及在所述层叠体的外表面上形成的外部电极；所述内部电极的表层部由Al2O3层形成。

公开(公告)号：CN102190488A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110049617.9

申请日：2011-02-28

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 福田惠 ,  矢尾刚之 ,  松田真 ,  神崎泰介

IPC: C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B82Y30/00 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种即使薄层化至电介体陶瓷层厚度不足1μm并同时赋予高电场强度，寿命特性也良好的层叠陶瓷电容器，作为构成层叠陶瓷电容器(1)的电介体陶瓷层(2)的电介体陶瓷，使用包含以(Ba1-x/100Cax/100)mTiO3(其中，0≤x≤20)表示的化合物作为主成分并且包含aMg-bSi-cMn-dR(其中，R为选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及Y中的至少1种，a、b、c及d[摩尔份]相对于所述主成分100摩尔份分别为0.1＜a≤20.0、0.5＜b≤20.0、0.1＜c≤10.0、及1.0＜d≤30.0。)作为副成分的电介体陶瓷，烧成该电介体陶瓷而得到的烧结体中的结晶粒子的平均粒径为20nm以上且不足100nm。