公开(公告)号：CN105210294B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201480026840.3

申请日：2014-05-01

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 西村俊雄 ,  梅田圭一 ,  长谷贵志 ,  竹山佳介 ,  岸武彦 ,  山田宏

IPC: H03H9/24 ,  H03H9/17

CPC classification number: H01L41/09 ,  H01L41/047 ,  H01L41/083 ,  H03H9/02448 ,  H03H9/0595 ,  H03H9/2452 ,  H03H2009/155

Abstract: 本发明提供可充分减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在俯视时，具有具备长边和短边的矩形板状的形状，并利用在上述短边方向伸缩振动模式的振动装置，包含由简并半导体构成的Si层(2)、氧化硅层(3)、压电体层(5)、以及对压电体层(5)施加电压的第一、第二电极(6、7)，在将Si层的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(3)的厚度的总和设为T2、将未设置有氧化硅层(3)的情况下的振动装置的TCF设为x(ppm/K)时，T2/(T1+T2)处于(‑0.0003x2‑0.0256x+0.0008)±0.05的范围内。

公开(公告)号：CN107112967A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580070969.9

申请日：2015-11-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 梅田圭一 ,  山田宏 ,  会田康弘

IPC: H03H3/007 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H03H9/24

Abstract: 本发明提供一种能够有效地应对各晶圆的电阻率的偏差的谐振器的制造方法。谐振器的制造方法包括在处于简并状态的Si晶圆的表面形成Si氧化膜的步骤，Si氧化膜的厚度根据Si晶圆的杂质的掺杂量来设定。

公开(公告)号：CN105556840B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201480051082.0

申请日：2014-09-11

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 山田宏 ,  梅田圭一 ,  岸武彦 ,  西村俊雄

IPC: H03H9/24 ,  H03H3/02

Abstract: 本发明提供振动装置及其制造方法，能够抑制由于温度变化而产生的共振频率的偏差。振动装置(1)具备：支承部(2)；与上述支承部(2)连接，且具有作为简并半导体的n型Si层(11)的振动臂(3a、3b、3c)；以及被设置为使上述振动臂(3a、3b、3c)激振的电极(16、17)，以与上述n型Si层(11)的下表面接触的方式设置含有杂质的硅氧化膜(12、13)。

公开(公告)号：CN108141196A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680057976.X

申请日：2016-10-31

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 梅田圭一 ,  岸武彦 ,  山田宏 ,  福光政和

IPC: H03H9/24 ,  H03H3/007

CPC classification number: H03H3/0072 ,  H03H3/007 ,  H03H3/04 ,  H03H9/0561 ,  H03H9/24 ,  H03H2003/0435

Abstract: 本发明提供谐振装置及其制造方法。在封装化了的谐振装置中，实施对谐振频率的调整。谐振装置具备：下盖，其由未简并的硅构成；谐振子，其具有由简并了的硅构成且具有与下盖对置的下表面的基板、层叠于该基板的第一电极层和第二电极层、形成于第一电极层和第二电极层之间且具有隔着第一电极层与基板的上表面对置的面的压电膜；以及上盖，其与下盖对置，在上盖与下盖之间隔着谐振子，基板的下表面具有调整部，该调整部是形成于表面的凹凸的深度或高度都比该基板的下表面中的其它区域大的区域，或者是凹凸所占的面积比该基板的下表面中的其它区域大的区域。

公开(公告)号：CN105379115A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480026919.6

申请日：2014-05-01

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 西村俊雄 ,  长谷贵志 ,  竹山佳介 ,  开田弘明 ,  梅田圭一 ,  岸武彦 ,  山田宏

IPC: H03H9/24 ,  H03H9/02

CPC classification number: H03H9/21

Abstract: 本发明提供一种不导致k2Q的降低地增大静电电容，并可降低谐振电阻的振动装置。振动装置(1)的在Y方向上延伸的2N根(N是2以上的整数)音叉臂(3)～(6)在X方向上并排，在设置有2N根音叉臂(3)～(6)的区域中，相对于通过X方向中心且在Y方向上延伸的虚拟线A，一侧的N根音叉臂(3)、(4)的弯曲振动的相位与另一侧的N根音叉臂(6)、(5)的弯曲振动的相位对称。