公开(公告)号：CN1398407A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN01804803.X

申请日：2001-02-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 石桥孝一郎 ,  山冈雅直 ,  宿利章二 ,  柳泽一正 ,  西本顺一 ,  青木正和

IPC: G11C16/04 ,  G11C29/00 ,  H01L27/10 ,  H01L29/78

Abstract: 关于具有多层布线和铜布线的半导体集成电路器件，降低缺陷挽救和调整的成本。利用第1层多晶硅作为浮置栅极的非易失性存储元件，存储用于挽救半导体中存储单元阵列缺陷的地址等。或者，在半导体集成电路器件的测试中对上述非易失性存储元件进行编程。形成非易失性存储元件，却不需要特别的工艺。就是，可用CMOS器件的形成工艺，形成非易失性存储元件。并且，在测试中进行编程，因而不需要用于编程的激光器等装置，能够缩短程编程上需要的时间，因而可以降低测试成本。

公开(公告)号：CN1339160A

公开(公告)日：2002-03-06

申请号：CN00803360.9

申请日：2000-01-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 宿利章二 ,  小森和宏 ,  奥山幸祐 ,  久保田胜彦

IPC: G11C16/06

CPC classification number: H01L27/11526 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/04 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0441 ,  G11C16/10 ,  G11C16/28 ,  G11C16/349 ,  G11C2216/08 ,  G11C2216/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11558 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883

Abstract: 一种构成快速存储器的非易失性存储器元件(130),可如此构成,在相同半导体衬底上形成的另一电路晶体管的栅极氧化膜(GO2)和栅极(GT2)分别是隧道氧化膜(DO3)和浮动栅极(FGT)。一存储器单元具有两元件一比特构成,其由一对非易失性存储器元件并带有成对互补数据线而组成。对于成对非易失性存储器元件来说,可建立相互不同的阈值电压状态,使得它们可差动地读出。在读操作中的字线电压基本上等于非易失性存储器元件热均衡状态下的阈值电压(初始阈值电压),其中最好是存储器元件的高阈值电压和低阈值电压的平均值。不论成对的非易失性存储器元件是否处于高阈值电压状态或是低阈值电压状态,其阈值电压易于逐渐接近初始阈值电压,使其性能变差。在此时,字线选择电压基本上等于初始阈值电压,使得即使在某个存储器元件的性能相对逐渐变坏时也很难出现读出故障。