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公开(公告)号：CN102753725B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180009164.5
申请日：2011-04-08
Applicant: 株式会社捷太格特
IPC: C23C16/27
CPC classification number: C23C16/26 , C23C16/0263 , C23C16/0272 , C23C16/515 , C23C28/046 , C23C28/048 , Y10T428/24479 , Y10T428/30
Abstract: 被覆部件19包括基材4、具有粗面化的表面20a且覆盖基材4的第1中间层20、以及覆盖第1中间层20的表面20a的DLC膜22。第1中间层20和DLC膜22是在使基材4的温度被维持在300℃以下的状态下形成的。第1中间层20的表面20a通过离子碰撞而粗面化。
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公开(公告)号：CN102918177B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201180026566.6
申请日：2011-05-12
Applicant: 株式会社捷太格特
IPC: C23C16/27
CPC classification number: C23C16/26 , C23C14/022 , C23C16/515 , C23C18/04 , C23C28/042 , C23C28/044 , C23C28/046 , C23C28/322 , C23C28/343
Abstract: 本发明涉及一种覆盖部件的制造方法。该覆盖部件的制造方法具备DLC膜形成工序，即，向容纳基材的处理室内导入含有碳系化合物和含氧有机硅系化合物的原料气体，在处理压力100Pa～400Pa的条件下，对基材施加电压，从而使等离子体产生，在基材表面形成DLC膜。作为含氧有机硅系化合物，例如可使用六甲基二硅氧烷。在DLC膜形成工序中，例如对基材施加直流脉冲电压。
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公开(公告)号：CN104059241A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410098638.3
申请日：2014-03-17
Applicant: 株式会社捷太格特 , 国立大学法人名古屋大学
IPC: C08J7/00
CPC classification number: F16C29/02 , B29C59/14 , B29K2027/12 , B29K2027/18 , B29K2995/0092 , C08J7/123 , C08J2327/12 , C23C16/50
Abstract: 本发明涉及一种滑动部件及其制造方法。滑动部件其全体由氟树脂一体地形成且使与被滑动部件间的滑动面亲水化。制造方法包括将滑动部件（1）的滑动面（2）曝露于以Ar气和经气化的水为原料而产生的水的等离子体（7）中而使其亲水化的工序。
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公开(公告)号：CN102260859B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201110151656.X
申请日：2011-05-30
Applicant: 株式会社捷太格特
IPC: C23C16/27 , C23C16/515
CPC classification number: C23C16/515 , C23C16/26 , C23C16/503 , C23C16/56
Abstract: 利用以下方式进行制造涂覆构件(20)的方法。首先为类金刚石碳膜沉积工艺，其中通过在储存有基材(4)的处理室(3)中对所述基材(4)施加电压产生等离子体、同时抽空所述处理室(3)并且将包含至少碳化合物的原料气引入所述处理室(3)中，在基材(4)的表面上形成类金刚石碳膜(21)。之后为氢化工艺，其中在持续抽空的同时通过停止施加电压并且引入氢气替代所述原料气，利用氢气氢化所沉积的类金刚石碳膜(21)。
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公开(公告)号：CN103671556A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310421419.X
申请日：2013-09-16
Applicant: 株式会社捷太格特
CPC classification number: F16C33/6696 , F16C19/06 , F16C33/585 , F16C33/6648 , F16C33/6651
Abstract: 本发明提供一种滚动轴承，其具备内圈、外圈、以及多个滚动体。在内圈轨道面和外圈轨道面中的至少一方的轨道面，分别形成有供液体润滑剂保留的多个内侧凹部、和供固体润滑剂保留的多个外侧凹部，多个内侧凹部配设于轨道面的相对于滚动体的接触区域、或者非接触区域中的靠近接触区域的一侧，多个外侧凹部配设于多个内侧凹部的外侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102443764A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110309453.9
申请日：2011-10-10
Applicant: 株式会社捷太格特
CPC classification number: C23C16/26 , C23C16/0272 , C23C28/04
Abstract: DLC包覆部件(100)包括：基材(200)、覆盖基材(200)的表面的中间层(300)、以及覆盖中间层(300)的表面的DLC膜(400)。中间层(300)具有五层构造，具备：第一中间层(301)、第二中间层(302)、第三中间层(303)、第四中间层(304)、第五中间层(305)。五层的层(301～305)均由添加有Si的DLC构成。在层(301～305)中，第一中间层(301)的Si浓度最高，其次高的是第五中间层(305)的Si浓度。并且，第二、第三以及第四中间层(302、303、304)的Si浓度比第一以及第五中间层(301、305)的Si浓度低。
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公开(公告)号：CN107208264A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680008163.1
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社捷太格特 , 国立大学法人东京大学
Abstract: 在1.0GPa以上的赫兹接触应力下，在含有包含微量的醇和水的氢气的气氛环境中，使使用金属(SUJ2、钯等)或氧化物陶瓷(ZrO2)形成的滑动面6与包含PLC膜9的被滑动面7接触而滑动，所述PLC膜9为通过在施加低偏压的同时进行电离沉积法形成的覆膜。因此，可以在滑动面6上形成稳定地显现10‑4数量级(低于0.001)的显著低的摩擦系数的低摩擦覆膜5。
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公开(公告)号：CN107208263A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680008136.4
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社捷太格特 , 国立大学法人东京大学
Abstract: 一种低摩擦覆膜5，其包含：在红外吸收光谱中的2900cm‑1至3000cm‑1的区域中显示峰的脂族烃基；在红外吸收光谱中的1650cm‑1至1800cm‑1的区域中显示峰的羰基；在通过TOF‑SIMS获得的正离子谱图中的91.1的质量处显示峰的芳族成分(C7H7+)；以及在通过TOF‑SIMS获得的正离子谱图中的115.2的质量处显示峰的稠环类成分(C9H7+)。
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公开(公告)号：CN102803554B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201080027342.2
申请日：2010-06-09
Applicant: 株式会社捷太格特
IPC: C23C16/27
CPC classification number: C23C16/0245 , C23C16/26 , C23C16/515 , F16D69/00 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供一种在低温环境下仍具有良好密着性的DLC膜及能形成该DLC膜的DLC膜形成方法。此外，提供一种初期相容性良好的DLC膜及能形成该DLC膜的DLC膜形成方法。在本发明中，与外离合器板(15)的基材(30)中的内离合器板相对的第1相对面(31)由DLC膜(26)覆盖。此外，基材(30)的表层部形成有处理层(33)。处理层(33)通过将直流脉冲电压施加在基材(30)上、在含有氩气及氢气的环境中生成等离子体来形成。
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