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公开(公告)号：CN109561864B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201780046916.2
申请日：2017-07-10
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 国立大学法人大阪大学
IPC: A61B6/00 , G01N23/041
Abstract: 本X射线相位差摄像装置(100)具备：X射线源(1)，其照射连续X射线；第一光栅(3)，其用于形成自身像；第二光栅(4)；检测部(5)，其检测连续X射线；以及第三光栅(2)，其配置在检测部(5)与第一光栅(3)之间。而且，以满足规定的式的条件的方式配置第一光栅(3)、第二光栅(4)以及第三光栅(2)。
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公开(公告)号：CN109475335A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780044614.1
申请日：2017-07-10
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 国立大学法人大阪大学
IPC: A61B6/00
Abstract: 该X射线相位差摄像装置(100)具备：X射线源(1)；第一光栅(3)，其用于形成自身像；第二光栅(4)；检测部(5)，其检测X射线；调整机构(6)；以及控制部(7)，其进行基于由检测部(5)检测出的莫尔条纹图案来调整第一光栅(3)的位置偏移或第二光栅(4)的位置偏移的控制。
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公开(公告)号：CN103443653A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280014189.9
申请日：2012-03-19
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01T1/24 , H01L27/14 , H01L27/146 , H01L31/09
Abstract: 在腔室(31)内收纳石墨基板(11)并通过泵(P)进行真空抽吸。接着，通过在真空中加热炭使炭中的杂质蒸发从而将炭进行纯化。通过将石墨基板(11)的炭进行纯化，能够将石墨基板(11)的炭所含有的半导体层的施主/受主元素、以及金属元素的杂质抑制到0.1ppm以下。其结果，能够抑制漏电流、异常漏点的产生、抑制半导体层中的晶体的异常生长。
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公开(公告)号：CN102859691A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180017676.6
申请日：2011-02-21
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H01L27/14 , G01T1/24 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L27/14636 , Y02E10/50
Abstract: 通过将石墨基板(11)的表面的凹凸设为1μm~8μm的范围，能够使层叠形成在石墨基板(11)上的半导体层(13)的膜质稳定，提高石墨基板(11)与半导体层(13)的密合性。即使在电子阻挡层(12)介于石墨基板(11)与半导体层(13)之间的情况下，由于电子阻挡层(12)薄，石墨基板(11)的表面的凹凸被转印到电子阻挡层(12)，因此电子阻挡层(12)的表面的凹凸也大致成为该范围，起到与将半导体层(13)直接接触石墨基板(11)而形成的结构大致相同的效果。
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公开(公告)号：CN109328035B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201780037450.X
申请日：2017-03-15
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: A61B6/00 , G01N23/046
Abstract: 提供一种即使不事先进行无被摄体的摄影也能够进行准确的成像的放射线摄影装置。根据本发明，能够提供一种即使不事先进行无被摄体的摄影也能够进行准确的成像的放射线摄影装置。即，本发明的装置设置有相位光栅(5)，该相位光栅(5)设置有被摄体用区域和参照区域。虽然在任一个区域中均设置有用于吸收放射线的规定图案，但其图案不同。在该区域观察到长周期的莫尔纹状的相位光栅(5)的像。该长周期的莫尔纹状的像的位置由于相位光栅(5)与吸收光栅(6)的相对位置的细微变化而改变，因此能够从参照区域的图像检测放射线源、相位光栅(5)以及吸收光栅(6)的相对位置的细微变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109788928B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201780059883.5
申请日：2017-07-28
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 国立大学法人大阪大学
IPC: A61B6/00 , G01N23/041
Abstract: 提供一种能够支持多种拍摄目的的X射线相位差摄影装置。本发明的装置能够变更多缝(3b)的狭缝的排列间距以及相位光栅(5)的相位移位部(5a)的排列间距。多缝(3b)、相位光栅(5)、FPD(4)的位置关系由多缝(3b)的狭缝的排列间距、相位光栅(5)的相位移位部(5a)的排列间距、以及FPD(4)的检测元件的排列间距来决定。根据本发明，通过变更其中的狭缝的排列间距和相位移位部(5a)的排列间距，能够变更多缝(3b)、相位光栅(5)、FPD(4)的位置关系。
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公开(公告)号：CN109788928A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780059883.5
申请日：2017-07-28
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 提供一种能够支持多种拍摄目的的X射线相位差摄影装置。本发明的装置能够变更多缝(3b)的狭缝的排列间距以及相位光栅(5)的相位移位部(5a)的排列间距。多缝(3b)、相位光栅(5)、FPD(4)的位置关系由多缝(3b)的狭缝的排列间距、相位光栅(5)的相位移位部(5a)的排列间距、以及FPD(4)的检测元件的排列间距来决定。根据本发明，通过变更其中的狭缝的排列间距和相位移位部(5a)的排列间距，能够变更多缝(3b)、相位光栅(5)、FPD(4)的位置关系。
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公开(公告)号：CN107427269A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201580077485.7
申请日：2015-03-06
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: A61B6/00
Abstract: 提供一种将相位光栅与放射线检测器之间的分离距离最优化的放射线相位差摄影装置。即，根据本发明，以检测面(4a)中拍进的自身像被噪声扰乱了何种程度为基准来决定相位光栅(5)与FPD(4)的检测面(4a)之间的分离距离。即，在本发明的结构中，将噪声的影响的大小确定为分离距离的评价的基准。而且，根据本发明，基于在将相位光栅(5)与FPD(4)的检测面(4a)之间的距离设为某个距离(Zd)时得到的自身图像上的自身像被噪声扰乱了何种程度来判断距离(Zd)是否适于摄影。这样，能够基于照射多个种类的X射线的实际的X射线源(3)的实际情况来实现分离距离的最优化。
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公开(公告)号：CN103443653B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201280014189.9
申请日：2012-03-19
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01T1/24 , H01L27/14 , H01L27/146 , H01L31/09
Abstract: 在腔室(31)内收纳石墨基板(11)并通过泵(P)进行真空抽吸。接着，通过在真空中加热炭使炭中的杂质蒸发从而将炭进行纯化。通过将石墨基板(11)的炭进行纯化，能够将石墨基板(11)的炭所含有的半导体层的施主/受主元素、以及金属元素的杂质抑制到0.1ppm以下。其结果，能够抑制漏电流、异常漏点的产生、抑制半导体层中的晶体的异常生长。
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公开(公告)号：CN107427269B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201580077485.7
申请日：2015-03-06
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: A61B6/00
Abstract: 提供一种将相位光栅与放射线检测器之间的分离距离最优化的放射线相位差摄影装置。即，根据本发明，以检测面(4a)中拍进的自身像被噪声扰乱了何种程度为基准来决定相位光栅(5)与FPD(4)的检测面(4a)之间的分离距离。即，在本发明的结构中，将噪声的影响的大小确定为分离距离的评价的基准。而且，根据本发明，基于在将相位光栅(5)与FPD(4)的检测面(4a)之间的距离设为某个距离(Zd)时得到的自身图像上的自身像被噪声扰乱了何种程度来判断距离(Zd)是否适于摄影。这样，能够基于照射多个种类的X射线的实际的X射线源(3)的实际情况来实现分离距离的最优化。
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