公开(公告)号：CN105793995A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480065150.9

申请日：2014-11-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中泽安孝 ,  长隆之 ,  越冈俊介 ,  佐藤贵洋 ,  坂本直哉 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种将含有Cu的金属膜用于具有氧化物半导体膜的晶体管的新颖半导体装置以及该半导体装置的制造方法。该半导体装置包括晶体管，该晶体管包括：第一栅电极层；第一栅电极层上的第一栅极绝缘膜；第一栅极绝缘膜上的重叠于第一栅电极层的氧化物半导体膜；电连接于氧化物半导体膜的一对电极层；氧化物半导体膜及一对电极层上的第二栅极绝缘膜；以及第二栅极绝缘膜上的重叠于氧化物半导体膜的第二栅电极层。一对电极层包括Cu?X合金膜(X是Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。

公开(公告)号：CN103545318A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310302897.9

申请日：2013-07-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 山崎舜平 ,  坂本直哉 ,  佐藤贵洋 ,  越冈俊介 ,  长隆之 ,  山元良高 ,  松尾拓哉 ,  松木园广志 ,  神崎庸辅

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/77 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/201

Abstract: 本发明的一个方式提供如下半导体装置：使用氧化物半导体膜，将含有铜的金属膜用于布线或信号线等，具有稳定的电特性且高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括：栅电极；形成在该栅电极上的栅极绝缘膜；与该栅极绝缘膜接触且包含与该栅电极重叠的沟道形成区域的氧化物半导体膜：形成在该氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在该氧化物半导体膜、该源电极以及该漏电极上的氧化物绝缘膜，该源电极及该漏电极都包括：在该沟道形成区域的两端具有其一个端部的第一金属膜；形成在该第一金属膜上的含有铜的第二金属膜；形成在该第二金属膜上的第三金属膜，该第二金属膜形成在该第一金属膜的一个端部的内侧。