公开(公告)号：CN102640292B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080053374.X

申请日：2010-10-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  细羽幸 ,  平石铃之介

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L33/0041 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种包括薄膜晶体管和连接至该薄膜晶体管的布线的半导体装置，其中，该薄膜晶体管具有处于氧化物半导体层中的沟道形成区，并且将铜金属用于栅极电极、源极电极、漏极电极、栅极布线、源极布线以及漏极布线中的至少一个。具有氧化物半导体层的晶体管的极其低的截止电流有助于降低半导体装置的功耗。另外，使用铜金属允许半导体装置与显示元件的组合，从而提供具有由利用铜金属形成的布线和电极的低电阻而产生的高显示质量和可忽略缺陷的显示装置。

公开(公告)号：CN103426935A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310303981.2

申请日：2010-10-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  细羽幸 ,  平石铃之介

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L33/0041 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请涉及半导体装置和及其制造方法。公开了一种包括薄膜晶体管和连接至该薄膜晶体管的布线的半导体装置，其中，该薄膜晶体管具有处于氧化物半导体层中的沟道形成区，并且将铜金属用于栅极电极、源极电极、漏极电极、栅极布线、源极布线以及漏极布线中的至少一个。具有氧化物半导体层的晶体管的极其低的截止电流有助于降低半导体装置的功耗。另外，使用铜金属允许半导体装置与显示元件的组合，从而提供具有由利用铜金属形成的布线和电极的低电阻而产生的高显示质量和可忽略缺陷的显示装置。

公开(公告)号：CN103400857A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310303972.3

申请日：2010-10-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  细羽幸 ,  平石铃之介

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L33/0041 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置和及其制造方法。公开了一种包括薄膜晶体管和连接至该薄膜晶体管的布线的半导体装置，其中，该薄膜晶体管具有处于氧化物半导体层中的沟道形成区，并且将铜金属用于栅极电极、源极电极、漏极电极、栅极布线、源极布线以及漏极布线中的至少一个。具有氧化物半导体层的晶体管的极其低的截止电流有助于降低半导体装置的功耗。另外，使用铜金属允许半导体装置与显示元件的组合，从而提供具有由利用铜金属形成的布线和电极的低电阻而产生的高显示质量和可忽略缺陷的显示装置。

公开(公告)号：CN102598279A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080048129.X

申请日：2010-10-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  平石铃之介 ,  秋元健吾 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/45 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体装置。目的之一在于，在包括氧化物半导体层的薄膜晶体管中，降低氧化物半导体层和电连接到氧化物半导体层的源极电极层和漏极电极层之间的接触电阻。源极电极层和漏极电极层具有两个或跟多个层的叠层结构，其中使用功函数低于氧化物半导体层的功函数的金属的氧化物或者含有该金属的合金的氧化物形成与氧化物半导体层接触的层。使用选自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo或W的元素、含有这些元素中的任何元素作为组分的合金、或含有这些元素中的任何元素的组合的合金等，来形成源极电极层和漏极电极层中的与氧化物半导体层接触的层以外的层。