公开(公告)号：CN101404295A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810168953.3

申请日：2008-10-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  黑川义元 ,  神保安弘 ,  小林聪 ,  河江大辅

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种电特性优越的薄膜晶体管、以及包括该薄膜晶体管的显示装置、和这些的制造方法。所述薄膜晶体管包括：形成在栅电极上的栅绝缘膜；形成在栅绝缘膜上的微晶半导体膜；形成在微晶半导体膜上的缓冲层；形成在缓冲层上的添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜；形成在添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜上的布线，其中，在栅绝缘膜的一部分或全部或者微晶半导体膜的一部分或全部包含成为施主的杂质元素。

公开(公告)号：CN102246310B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200980150030.8

申请日：2009-11-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  小林聪 ,  宫入秀和 ,  伊佐敏行 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04

Abstract: 减少利用栅电极对半导体层进行遮光的底栅型薄膜晶体管的截止电流。一种薄膜晶体管包括：栅电极层；第一半导体层；设置在所述第一半导体层上并与其接触的第二半导体层；在所述栅电极层和所述第一半导体层之间并与它们接触的栅极绝缘层；接触于所述第二半导体层的杂质半导体层；以及部分地接触于所述杂质半导体层和所述第一及第二半导体层的源电极层及漏电极层。由所述栅电极层覆盖所述第一半导体层在栅电极层一侧上的整个表面，并且所述第一半导体层和所述源电极层及漏电极层接触的部分的势垒为0.5eV以上。

公开(公告)号：CN101521233B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200910126408.2

申请日：2009-02-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大力浩二 ,  池田隆之 ,  宫入秀和 ,  黑川义元 ,  乡户宏充 ,  河江大辅 ,  井上卓之 ,  小林聪

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/40 ,  H01L29/36 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及显示装置。改善涉及薄膜晶体管的导通电流及截止电流的问题。该薄膜晶体管包括：添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，该一对杂质半导体层相离地设置；导电层，该导电层在上述栅极绝缘层上重叠于上述栅电极及上述添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层的一方；以及非晶半导体层，该非晶半导体层从上述导电层上延伸到上述栅极绝缘层上，与添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层双方接触，并且连续设置在该添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层之间。

公开(公告)号：CN102790075A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210298582.7

申请日：2008-08-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林聪 ,  川俣郁子 ,  大力浩二 ,  小森茂树 ,  伊佐敏行 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

Abstract: 一种显示装置以及显示装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。

公开(公告)号：CN104485362B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201410649540.2

申请日：2008-08-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林聪 ,  川俣郁子 ,  大力浩二 ,  小森茂树 ,  伊佐敏行 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种显示装置以及显示装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。

公开(公告)号：CN104485362A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410649540.2

申请日：2008-08-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林聪 ,  川俣郁子 ,  大力浩二 ,  小森茂树 ,  伊佐敏行 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种显示装置以及显示装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。

公开(公告)号：CN102246310A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200980150030.8

申请日：2009-11-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  小林聪 ,  宫入秀和 ,  伊佐敏行 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04

Abstract: 减少利用栅电极对半导体层进行遮光的底栅型薄膜晶体管的截止电流。一种薄膜晶体管包括：栅电极层；第一半导体层；设置在所述第一半导体层上并与其接触的第二半导体层；在所述栅电极层和所述第一半导体层之间并与它们接触的栅极绝缘层；接触于所述第二半导体层的杂质半导体层；以及部分地接触于所述杂质半导体层和所述第一及第二半导体层的源电极层及漏电极层。由所述栅电极层覆盖所述第一半导体层在栅电极层一侧上的整个表面，并且所述第一半导体层和所述源电极层及漏电极层接触的部分的势垒为0.5eV以上。

公开(公告)号：CN101752427A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910254152.3

申请日：2009-12-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  小林聪

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L27/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种薄膜晶体管，包括：栅电极层；第一半导体层；设置在所述第一半导体层上且与其接触的其载流子迁移率低于所述第一半导体层的载流子迁移率的第二半导体层；设置在所述栅电极层和所述第一半导体层之间且与其接触的栅极绝缘层；接触于所述第二半导体层地设置的第一杂质半导体层；其一部分接触于所述第一杂质半导体层和所述第一及第二半导体层地设置的第二杂质半导体层；以及接触于所述第二杂质半导体层的整个面地设置的源电极及漏电极层，其中，第一半导体层的栅电极层一侧的整个面重叠于所述栅电极层。

公开(公告)号：CN101521231A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910008341.2

申请日：2009-02-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大力浩二 ,  宫入秀和 ,  黑川义元 ,  山崎舜平 ,  乡户宏充 ,  河江大辅 ,  小林聪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36 ,  H01L27/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765

Abstract: 一种薄膜晶体管包括：添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，该一对杂质半导体层被设置为其至少一部分隔着栅极绝缘层重叠于栅电极，并且形成源区及漏区；一对导电层，该一对导电层被配置为其至少一部分在栅极绝缘层上重叠于栅电极及添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，并且在沟道长度方向上相离；以及接触栅极绝缘层和一对导电层并且延伸在该一对导电层之间的非晶半导体层。

公开(公告)号：CN101404294A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810168087.8

申请日：2008-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  黑川义元 ,  神保安弘 ,  小林聪 ,  河江大辅

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L28/40 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种电特性优越的薄膜晶体管、以及包括该薄膜晶体管的显示装置、和这些的制造方法。所述薄膜晶体管包括：形成在栅电极上的栅极绝缘膜；形成在栅极绝缘膜上的微晶半导体膜；形成在微晶半导体膜上的一对缓冲层；形成在一对缓冲层上的添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜；形成在添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜上的布线，其中，在栅极绝缘膜的一部分或全部或者微晶半导体膜的一部分或全部包含成为供体的杂质元素。