公开(公告)号：CN103985718A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410239406.5

申请日：2009-09-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  秋元健吾 ,  小森茂树 ,  鱼地秀贵 ,  和田理人 ,  千叶阳子

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/13392 ,  G02F1/13458 ,  G02F2001/13398 ,  G09G2300/0804 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/5221

Abstract: 一种显示装置，包括其中像素电极层按矩阵排列并且对应于该像素电极层而设置具有不同含氧量的至少两种氧化物半导体层的组合的反交错型薄膜晶体管的像素部。在该显示装置中在像素部周边，焊盘部设置成通过由与像素电极层相同的材料形成的导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。通过提供适合于在显示面板中设置的焊盘部的结构，可以实现本发明防止在各种显示装置中由于薄膜的分离所造成的缺陷的一个目的。

公开(公告)号：CN102496628A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110373876.7

申请日：2009-09-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  秋元健吾 ,  小森茂树 ,  鱼地秀贵 ,  和田理人 ,  千叶阳子

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/13392 ,  G02F1/13458 ,  G02F2001/13398 ,  G09G2300/0804 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/5221

Abstract: 一种显示装置，包括其中像素电极层按矩阵排列并且对应于该像素电极层而设置具有不同含氧量的至少两种氧化物半导体层的组合的反交错型薄膜晶体管的像素部。在该显示装置中在像素部周边，焊盘部设置成通过由与像素电极层相同的材料形成的导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。通过提供适合于在显示面板中设置的焊盘部的结构，可以实现本发明防止在各种显示装置中由于薄膜的分离所造成的缺陷的一个目的。

公开(公告)号：CN102160184A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200980137843.3

申请日：2009-09-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  秋元健吾 ,  小森茂树 ,  鱼地秀贵 ,  和田理人 ,  千叶阳子

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/13392 ,  G02F1/13458 ,  G02F2001/13398 ,  G09G2300/0804 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/5221

Abstract: 一种显示装置，包括其中像素电极层按矩阵排列并且对应于该像素电极层而设置具有不同含氧量的至少两种氧化物半导体层的组合的反交错型薄膜晶体管的像素部。在该显示装置中在像素部周边，焊盘部设置成通过由与像素电极层相同的材料形成的导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。通过提供适合于在显示面板中设置的焊盘部的结构，可以实现本发明防止在各种显示装置中由于薄膜的分离所造成的缺陷的一个目的。

公开(公告)号：CN119920859A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411496686.8

申请日：2024-10-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三上真弓 ,  齐藤丞 ,  落合辉明 ,  高桥正弘 ,  高桥辰义 ,  门马洋平 ,  栗城和贵 ,  横沟和音 ,  山崎舜平 ,  和田理人

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/62 ,  H01M4/48 ,  H01M4/525 ,  H01M10/052

Abstract: 提供一种相转变得到抑制的正极活性物质以及包含该正极活性物质的二次电池。本发明开发了一种前所未有的合成方法：将MgF2‑LiF的熔盐用作反应促进剂对钴酸锂粒子进行处理，在使镁向钴酸锂块体的扩散及掺杂变容易的同时在粒子表层部形成稳定的覆盖层。通过ex situ XRD分析确认到，在将改良的LiCoO2充电至4.7V时，有害的相转变得到抑制并且出现新的相。改良的LiCoO2在高电压工作中呈现良好的电化学性能。该技术为抑制伴随相转变的基本劣化而实现超高能量密度的LiCoO2正极提供了指导方针。

公开(公告)号：CN116965153A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280015599.9

申请日：2022-02-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 濑尾哲史 ,  和田理人

IPC: H05B33/22

Abstract: 提供一种电压降低得到抑制的显示装置。显示装置包括第一下部电极、第二下部电极、第三下部电极、辅助电极、具有与第一下部电极的端部、第二下部电极的端部、第三下部电极的端部及辅助电极重叠的区域的分隔壁、具有与第一下部电极重叠的区域并位于分隔壁的开口部中的第一发光层、位于第一下部电极和第一发光层之间的第一层、具有与第二下部电极重叠的区域并位于分隔壁的开口部中的第二发光层、位于第二下部电极和第二发光层之间的第二层、具有与第三下部电极重叠的区域并位于分隔壁的开口部中的第三发光层、位于第三下部电极和第三发光层之间的第三层、以及跨着第一发光层至第三发光层而设置的上部电极，上部电极与辅助电极电连接。

公开(公告)号：CN102496628B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201110373876.7

申请日：2009-09-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  秋元健吾 ,  小森茂树 ,  鱼地秀贵 ,  和田理人 ,  千叶阳子

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/13392 ,  G02F1/13458 ,  G02F2001/13398 ,  G09G2300/0804 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/5221

Abstract: 一种显示装置，包括其中像素电极层按矩阵排列并且对应于该像素电极层而设置具有不同含氧量的至少两种氧化物半导体层的组合的反交错型薄膜晶体管的像素部。在该显示装置中在像素部周边，焊盘部设置成通过由与像素电极层相同的材料形成的导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。通过提供适合于在显示面板中设置的焊盘部的结构，可以实现本发明防止在各种显示装置中由于薄膜的分离所造成的缺陷的一个目的。

公开(公告)号：CN102160184B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN200980137843.3

申请日：2009-09-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  秋元健吾 ,  小森茂树 ,  鱼地秀贵 ,  和田理人 ,  千叶阳子

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/13392 ,  G02F1/13458 ,  G02F2001/13398 ,  G09G2300/0804 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/5221

Abstract: 一种显示装置，包括其中像素电极层按矩阵排列并且对应于该像素电极层而设置具有不同含氧量的至少两种氧化物半导体层的组合的反交错型薄膜晶体管的像素部。在该显示装置中在像素部周边，焊盘部设置成通过由与像素电极层相同的材料形成的导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。通过提供适合于在显示面板中设置的焊盘部的结构，可以实现本发明防止在各种显示装置中由于薄膜的分离所造成的缺陷的一个目的。

公开(公告)号：CN103545342A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310468513.0

申请日：2009-08-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  秋元健吾 ,  小森茂树 ,  鱼地秀贵 ,  和田理人 ,  千叶阳子

IPC: H01L27/32 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/5221

Abstract: 本公开涉及半导体装置。一种显示装置包括其中像素以矩阵状排列的像素部，该像素包括：具有含氧量不同的至少两种氧化物半导体层的组合并在与栅电极层重叠的成为沟道形成区的半导体层上具有沟道保护层的反交错型薄膜晶体管；以及与该反交错型薄膜晶体管电连接的像素电极层。在该显示装置中的该像素部的周边，设置有包括由与所述像素电极层相同材料而形成的导电层的焊盘部。并且，所述导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。

公开(公告)号：CN102160104A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200980137844.8

申请日：2009-08-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  秋元健吾 ,  小森茂树 ,  鱼地秀贵 ,  和田理人 ,  千叶阳子

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/5221

Abstract: 一种显示装置包括其中像素以矩阵状排列的像素部，该像素包括：具有含氧量不同的至少两种氧化物半导体层的组合并在与栅电极层重叠的成为沟道形成区的半导体层上具有沟道保护层的反交错型薄膜晶体管；以及与该反交错型薄膜晶体管电连接的像素电极层。在该显示装置中的该像素部的周边，设置有包括由与所述像素电极层相同材料而形成的导电层的焊盘部。并且，所述导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。