半导体装置
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102163585B

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:CN201110057688.3

    申请日:2009-07-03

    Abstract: 公开一种半导体装置,包括:绝缘基板;第一金属板,其接合至绝缘基板的第一表面;半导体元件,其接合至第一金属板;第二金属板,其接合至绝缘基板的第二表面;和散热件,用于冷却半导体元件,散热件包括壳体部分和位于壳体部分中的多个间隔壁,间隔壁限定多个冷却介质通道,壳体部分具有面对第二金属板的表面,每个间隔壁均包括面对第二金属板的第一末端以及与第一末端相反的第二末端,间隔壁包括第一间隔壁和第二间隔壁,在第一和第二间隔壁中,至少一个或多个第一间隔壁穿过壳体部分中对应于接合区域的区域,并且只有一个或多个第二间隔壁穿过壳体部分中对应于非接合区域的区域。

    散热装置
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101442032A

    公开(公告)日:2009-05-27

    申请号:CN200810182280.7

    申请日:2008-11-21

    Abstract: 本发明涉及一种散热装置,该散热装置包括绝缘基底、散热件以及应力降低部件。该绝缘基底包括用作受热体接收表面的第一表面和与该第一表面相对的第二表面。该散热件热联接到该绝缘基底的第二表面上。包括上壳和下壳的散热件用作包括冷却通道的液体冷却器件。应力降低部件布置在绝缘基底与上壳之间。该应力降低部件包括应力吸收穴。该上壳包括接触该应力降低部件的第一部分以及由该上壳的其余部分限定的第二部分。该第一部分具有某厚度,该厚度小于该第二部分的厚度。

    散热装置
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101442033A

    公开(公告)日:2009-05-27

    申请号:CN200810182288.3

    申请日:2008-11-21

    CPC classification number: H01L23/473 H01L23/3735 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明涉及散热装置。具体而言,一种散热装置包括隔热衬底、散热件和热质部件。隔热衬底包括第一表面和与第一表面相反的第二表面,其中,第一表面用作被加热物体的接收面。散热件热联接在隔热衬底的第二表面上。热质部件包括应力降低部分和热质部分,这两部分设置成使其中一个处于另一个之上。应力降低部分包括多个凹部,其处于热质部件的面向隔热衬底的表面和面向散热件的表面中的至少任一表面中。热质部分具有比应力降低部分更大的厚度,并且热质部件具有大于三毫米的厚度。

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