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公开(公告)号：CN101156111B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200680011131.3
申请日：2006-04-04
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/31133
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体器件制备工艺的光刻胶去除剂组合物。本发明的包含铵盐、水溶性有机胺和水的去除剂组合物可以在高温或者低温下、在短时间内有效去除通过硬性烘烤、干法蚀刻、湿法蚀刻、灰化和/或离子注入所硬化和改性的光刻胶膜，以及由光刻胶膜下面的金属膜蚀刻出的金属副产物所改性的光刻胶膜，同时使光刻胶膜下面的金属布线的腐蚀最小化。
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公开(公告)号：CN108456501B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201810146859.1
申请日：2018-02-12
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C09J163/00 , C09J171/00 , C09J9/02 , C09J11/06
Abstract: 本发明涉及一种导电性粘接剂组合物，其包括(A)导电性物质；(B)作为粘合剂的环己烷系列的多官能性环氧化合物；及从(C)固化剂及(D)固化促进剂中选择的一种以上。根据本发明的导电性粘接剂组合物，通过具有高玻璃化转变温度显示高耐热性，在高温环境下既抑制黄变又显示高粘接力，因此有效地适用于电子元件。
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公开(公告)号：CN108456501A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810146859.1
申请日：2018-02-12
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C09J163/00 , C09J171/00 , C09J9/02 , C09J11/06
CPC classification number: C09J163/00 , C08K2003/0806 , C08K2201/003 , C08K2201/006 , C08L2203/20 , C08L2203/206 , C09J9/02 , C09J11/06 , C08L71/00 , C08K13/04 , C08K7/00 , C08K3/08 , C08K7/18 , C08K5/526 , C08K5/3475
Abstract: 本发明涉及一种导电性粘接剂组合物，其包括(A)导电性物质；(B)作为粘合剂的环己烷系列的多官能性环氧化合物；及从(C)固化剂及(D)固化促进剂中选择的一种以上。根据本发明的导电性粘接剂组合物，通过具有高玻璃化转变温度显示高耐热性，在高温环境下既抑制黄变又显示高粘接力，因此有效地适用于电子元件。
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公开(公告)号：CN101618462B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN200910139847.7
申请日：2009-07-03
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: B22F9/24
Abstract: 金属纳米颗粒的制造方法，该方法将已有的2阶段的金属颗粒生成过程(首先生成氧化亚铜后，再通过还原剂生成铜颗粒)减少为1阶段，从而能够显著简化工序；能够在低温(15～60℃)下通过短时间的反应容易地取得金属铜颗粒；不需要经过二次水洗去除金属盐的复杂的水洗工序；粒度分布均匀且不要求分级工序，因此适于批量生产。所述方法包括：第1阶段，在含有二醇类溶剂的溶剂中溶解金属前体；第2阶段，向在所述第1阶段中制造出的溶液中添加有机胺，搅拌至溶液的颜色不发生变化为止；以及第3阶段，在所述第2阶段的添加了有机胺的溶液中慢慢添加从肼衍生物、连二磷酸钠、羟胺和硼氢化钠组成的组中选择出的一种以上的化合物，从而使金属还原析出。
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公开(公告)号：CN101362033B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200810144922.4
申请日：2008-08-07
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: B01D21/26
Abstract: 本发明涉及半导体或显示屏制造工艺的试液再循环方法和装置，其能够在工序进行中除去半导体或显示屏制造工艺的试液(特别是在清洗或剥离工序中的清洗液或剥离液)所含有的渣，能够实现连续运转和实时运转，通过调节离心加速度、停留时间等而具有能够容易地实现对工序上难除去的颗粒状微粒进行固液分离至所期望的粒度范围的效果。所述方法的特征在于，其包含如下阶段：由半导体或显示屏工艺设备向外部供给使用过的试液的阶段；对所述试液进行离心分离，分离成i)渣和ii)试液的离心分离阶段；将在离心分离阶段中在离心力的作用下被分离排出的试液收集，再供给到工艺设备中的再循环阶段；和将由离心分离阶段分离出的渣收集的阶段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101093365B
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN200710123038.8
申请日：2007-06-22
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种用于去除在电子电路或显示元件的布图(pattern)过程中所使用的抗蚀膜、且能够抑制对金属布线腐蚀的抗蚀膜(resist)剥离剂组合物，所述抗蚀膜剥离剂组合物优选包含：a)1至20wt％的二胺化合物(diamine compound)；和b)余量的乙二醇醚化合物(glycol ether compound)。本发明可进一步包含极性溶剂。本发明抗蚀膜剥离剂组合物，在进行去除光致抗蚀膜的工序过程中，将不会腐蚀金属布线，且具有优秀的剥离效果。
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公开(公告)号：CN101424888B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200810174803.3
申请日：2008-10-31
Applicant: 株式会社东进世美肯
Abstract: 本发明提供光致抗蚀剂剥离用组合物、使用该组合物的光致抗蚀剂剥离方法和显示装置的制造方法，该光致抗蚀剂剥离用组合物能够再次使用而剥离性能没有实质性降低并且金属图案没有损伤，从而能够减少照相蚀刻工序的成本。本发明中的光致抗蚀剂剥离用组合物含有80重量％～98.5重量％砜系化合物、1重量％～10重量％内酯系化合物以及0.1重量％～5重量％烷基磺酸。
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公开(公告)号：CN101042543B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200710086623.5
申请日：2007-03-23
Applicant: 株式会社东进世美肯
Abstract: 本发明涉及一种用于清洗抗蚀剂脱膜剂的化学清洗组合物，具体而言，本发明包含，a)0.05重量份～10重量份的有机胺类化合物；b)0.05重量份～30重量份的有机溶剂；c)0.005重量份～5重量份的三唑类防腐剂；d)0.005重量份～5重量份的选自羟基苯酚类、没食子酸烷酯及还原剂类中的防腐剂；e)余量水。本发明的用于清洗抗蚀剂脱膜剂的化学清洗组合物，具有优异的清洗能力且能够防止金属膜层的腐蚀，并且可替代以往清洗工艺中所使用的甲醇、乙醇、异丙醇等引火性物质即醇类化合物，能够有效地清洗残留在基板上的脱膜剂等有机异物及灰尘等无机异物。
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公开(公告)号：CN101774668A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910266597.3
申请日：2009-12-11
Applicant: 株式会社东进世美肯
Abstract: 本发明的课题是提供一种利用二氧化碳流体的化学制品的再生方法，其因为能够容易地除去在规定的工序中使用的化学制品中包含的异物而进行再生，所以能够减少化学制品废弃物的发生量，防止环境污染，能够节省用于化学制品的废弃处理的费用。首先，使从规定的化学工序中回收的、包含异物的化学制品与具有20bar以上的压力以及常温以上的温度的二氧化碳流体反应，析出所述异物。接着，从化学制品以及二氧化碳流体中分离已析出的异物。然后，使二氧化碳流体以及化学制品彼此分离，回收化学制品。
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公开(公告)号：CN100578368C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200510102849.0
申请日：2005-09-13
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种光阻剂剥离液组合物，提供一种包含环形胺、溶剂及剥离促进剂的光阻剂剥离液组合物。并且，本发明还提供一种包含环形胺、溶剂、防腐剂及剥离促进剂的光阻剂剥离液组合物。本发明光阻剂剥离液组合物不仅在适用于现有LCD模块制备中包括异丙醇(以下简称″IPA″)清洗阶段的一般工程时，而且在适用于最近省略IPA清洗阶段的工程时，不存在对金属布线多余的腐蚀影响，特别是可大大提高剥离能力。
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