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公开(公告)号:CN102394076A
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN201110326264.2
申请日:2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种单面多层光盘、BCA记录设备、BCA记录方法、以及光盘设备。在被具有预定波长的激光束照射时执行记录和回放、并且具有至少两个相对于光入射面彼此独立的记录层(3,4)的单面多层光盘(101)中,距离光入射面最远的反射层包含银合金、并且具有针对激光束的20%(含)至50%(含)的吸光率和/或50(含)至250(含)W/m·K的导热率。
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公开(公告)号:CN102360555A
公开(公告)日:2012-02-22
申请号:CN201110326710.X
申请日:2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种单面多层光盘、BCA记录设备、BCA记录方法、以及光盘设备。在被具有预定波长的激光束照射时执行记录和回放、并且具有至少两个相对于光入射面彼此独立的记录层(3,4)的单面多层光盘(101)中,距离光入射面最远的反射层包含银合金、并且具有针对激光束的20%(含)至50%(含)的吸光率和/或50(含)至250(含)W/m·K的导热率。
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公开(公告)号:CN102360554A
公开(公告)日:2012-02-22
申请号:CN201110326530.1
申请日:2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种单面多层光盘、BCA记录设备、BCA记录方法、以及光盘设备。在被具有预定波长的激光束照射时执行记录和回放、并且具有至少两个相对于光入射面彼此独立的记录层(3,4)的单面多层光盘(101)中,距离光入射面最远的反射层包含银合金、并且具有针对激光束的20%(含)至50%(含)的吸光率和/或50(含)至250(含)W/m·K的导热率。
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公开(公告)号:CN102354509A
公开(公告)日:2012-02-15
申请号:CN201110326706.3
申请日:2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种单面多层光盘、BCA记录设备、BCA记录方法、以及光盘设备。在被具有预定波长的激光束照射时执行记录和回放、并且具有至少两个相对于光入射面彼此独立的记录层(3,4)的单面多层光盘(101)中,距离光入射面最远的反射层包含银合金、并且具有针对激光束的20%(含)至50%(含)的吸光率和/或50(含)至250(含)W/m·K的导热率。
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公开(公告)号:CN102290071A
公开(公告)日:2011-12-21
申请号:CN201110137196.5
申请日:2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种信息存储介质、该介质的再现方法和记录方法以及再现设备和记录设备。信息存储介质包括第一层和第二层,其中第一层远离光源并且包括烧录区。从所述信息存储介质再现信息的方法包括从所述信息存储介质再现信息的步骤。在所述信息存储介质上记录信息的方法包括在所述信息存储介质上记录信息的步骤。从所述信息存储介质再现信息的设备包括配置来从所述信息存储介质再现信息的再现单元。在所述信息存储介质上记录信息的设备包括配置来在所述信息存储介质上记录信息的记录单元。
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公开(公告)号:CN101093696A
公开(公告)日:2007-12-26
申请号:CN200710112426.6
申请日:2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种单面多层光盘、BCA记录设备、BCA记录方法、以及光盘设备。在被具有预定波长的激光束照射时执行记录和回放、并且具有至少两个相对于光入射面彼此独立的记录层(3,4)的单面多层光盘(101)中,距离光入射面最远的反射层包含银合金、并且具有针对激光束的20%(含)至50%(含)的吸光率和/或50(含)至250(含)W/m·K的导热率。
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公开(公告)号:CN1953074A
公开(公告)日:2007-04-25
申请号:CN200610142565.9
申请日:2004-07-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2437 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种制造相变型光记录媒体的方法,该相变型光记录媒体具有利用光照射被可逆地记录和擦除的相变型记录膜和至少一层介电体膜,该方法的特征在于包括以下步骤:制备SiC靶或包括Si和SiC的混合靶,以形成至少一层介电体膜;在含有Ar和O2的气体中进行DC溅射来沉积含有Si、O和C的SiOC膜,该SiOC膜的碳浓度为0.1-30原子%。
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公开(公告)号:CN1577553A
公开(公告)日:2005-02-09
申请号:CN200410063411.1
申请日:2004-07-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2437 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体,具有利用光照射被可逆地记录和擦除的相变型记录膜、和至少一层介电体膜,其特征在于:上述介电体膜的至少一层为含有Si、O和C,且C浓度为0.1-30原子%的SiOC膜。
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公开(公告)号:CN102623026A
公开(公告)日:2012-08-01
申请号:CN201210110301.0
申请日:2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种盘以及用于从盘再现信息的设备和方法,所述盘包括:基片,其具有大约1.1mm的厚度;记录层,其布置在所述基片上方;烧录区,其相对于所述盘的主信息记录区布置在所述盘的内侧;其中所述烧录区被配置为描述类型标识符;其中所述烧录区被配置为描述版本号;其中所述烧录区被配置为描述R信息,所述R信息指示可记录,由一个或多个字节编号指示的一个或多个字节位置被定义,并且所述R信息的字节位置被配置为大于所述类型标识符的字节位置;以及其中所述烧录区被配置为描述对记录在所述记录层上的标记的极性进行指示的标记极性标志,并且所述标记极性标志的字节位置被配置为大于所述类型标识符的字节位置。
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公开(公告)号:CN102394080A
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN201110326514.2
申请日:2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种单面多层光盘、BCA记录设备、BCA记录方法、以及光盘设备。在被具有预定波长的激光束照射时执行记录和回放、并且具有至少两个相对于光入射面彼此独立的记录层(3,4)的单面多层光盘(101)中,距离光入射面最远的反射层包含银合金、并且具有针对激光束的20%(含)至50%(含)的吸光率和/或50(含)至250(含)W/m·K的导热率。
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