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公开(公告)号：CN100513516C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200510081970.X
申请日：2005-07-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝照明技术株式会社 , 东芝高新材料公司
CPC classification number: C01B21/0602 , C01P2002/54 , C01P2002/84 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , Y02B20/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本申请涉及含氮荧光物质、其制造方法以及发光器件。所公开的制造含氮荧光物质的方法包括：在由含碳材料制成的容器中容纳含两种或者多种元素的氧化物荧光物质；然后在含氮气的混合气体氛围中烧结所述氧化物荧光物质。
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公开(公告)号：CN101471414A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810184728.9
申请日：2008-12-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C08L83/04 , H01L33/52 , H01L33/56 , H01L2224/32245 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的课题是提供一种减少了密封材料的裂缝的产生的半导体发光装置的制造方法。该方法的特征在于，包括：将相对于密封材料的干重为10重量％以上且50重量％以下的低分子硅烷类或硅烷醇类、以及含有烷氧基硅氧烷的醇溶液混合来配制混合溶液的第一工序，将混合溶液涂布在发光元件上的第二工序，对混合溶液中的醇溶液成分进行蒸发后干燥而成为密封材料的第三工序，使密封材料固化的第四工序。
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公开(公告)号：CN101315966A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810099838.5
申请日：2008-05-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/504 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2224/05599 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种光半导体器件，其中，半导体发光元件被收纳在具有凹坑的容器的上述凹坑内，在上述凹坑内，第一荧光体层的至少一部分被设置在上述半导体发光元件与上述凹坑的开口之间。在上述凹坑内，设置有具有比上述半导体发光元件还要位于上述凹坑的底面侧的第一部分以及位于上述凹坑的侧面侧的第二部分的第二荧光体层。上述第一荧光体层借助于来自上述半导体发光元件的光而被激励，并发出比上述半导体发光元件的发光波长还长的第一波长的光。上述第二荧光体层借助于来自上述半导体发光元件的光而被激励，并发出比上述第一波长还长的第二波长的光。
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公开(公告)号：CN1721500A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510081970.X
申请日：2005-07-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C01B21/0602 , C01P2002/54 , C01P2002/84 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , Y02B20/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本申请涉及含氮荧光物质、其制造方法以及发光器件。所公开的制造含氮荧光物质的方法包括：在由含碳材料制成的容器中容纳含两种或者多种元素的氧化物荧光物质；然后在含氮气的混合气体氛围中烧结所述氧化物荧光物质。
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