公开(公告)号：CN1590957A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410057380.9

申请日：2004-08-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤隆 ,  坂元隆

IPC: G01B11/00 ,  G01B11/25 ,  G01M11/02 ,  G03F1/08 ,  G03F7/207

CPC classification number: G03F7/70641 ,  B64D47/08 ,  G03F1/32

Abstract: 提供在半导体器件制造工序中可以大幅度地缩短光学系统的修正所需要的时间的原版。该原版具备：掩模基板1，配置在掩模基板1上的遮光膜17，设置在遮光膜17上的检查图形用开口56a、56b、56c和器件图形用开口57，具备在检查图形用开口56a、56b、56c中露出来的掩模基板1上分别设置的非对称衍射光栅222a、222b、222c中的每一者的检查图形20a、20b、20c，在检查图形用开口56a、56b、56c中露出来的掩模基板1上分别与检查图形20a、20b、20c相邻地设置的对准标记26a、26b、26c，在器件图形用开口57中露出来的掩模基板1上设置的器件图形15a、15b、15c。

公开(公告)号：CN1470941A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN03148293.7

申请日：2003-07-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤泽忠仁 ,  井上壮一 ,  佐藤隆 ,  浅野昌史

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70558

Abstract: 谋求放宽曝光量监测图形设计条件，容易获得所需要的曝光量灵敏度。一种的曝光量监测方法是，将照明光照明形成曝光量监测图形的掩模上，只让所述曝光量监测图形衍射光之中0次衍射光通过所述投影曝光装置的光瞳面内，在衬底上边复制曝光量监测图形，测定曝光量，并以照射所述照明光时，使通过所述投影曝光装置的光瞳面200上的所述曝光量监测图形的0次衍射光像211重心偏离光轴OA为特征的曝光量监测方法。

公开(公告)号：CN1438477A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN03102390.8

申请日：2003-02-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福原和也 ,  佐藤隆

IPC: G01M11/02 ,  G01M11/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G02B27/4233 ,  G02B27/0025

Abstract: 本发明的方法包含：将照明光一并照射到形成有衍射格子的光掩膜的有限区域，使该照明光入射到形成在光掩膜上的衍射格子上产生的衍射光入射到投影光学系统，把从该投影光学系统射出的0次衍射光以及1次衍射光，投影在与上述二次光源共轭的测定面上，测定从上述二次光源内的任意一个点光源发出的光线入射到上述衍射格子中发生的0次衍射光以及1次衍射光在上述测定面上的投影位置的位置关系的步骤；在上述光线的光轴方向位置和上述测定面不同的第2测定面上测定上述位置关系的步骤；根据求得的位置关系，求出与用于上述位置关系的测定的光线有关的光线像差的步骤。

公开(公告)号：CN1235088C

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN03148293.7

申请日：2003-07-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤泽忠仁 ,  井上壮一 ,  佐藤隆 ,  浅野昌史

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70558

Abstract: 谋求放宽曝光量监测图形设计条件，容易获得所需要的曝光量灵敏度。一种的曝光量监测方法是，将照明光照明形成曝光量监测图形的掩模上，只让所述曝光量监测图形衍射光之中0次衍射光通过所述投影曝光装置的光瞳面内，在衬底上边复制曝光量监测图形，测定曝光量，并以照射所述照明光时，使通过所述投影曝光装置的光瞳面(200)上的所述曝光量监测图形的0次衍射光像(211)重心偏离光轴OA为特征的曝光量监测方法。

公开(公告)号：CN1576778A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410062471.1

申请日：2004-07-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤隆 ,  浅野昌史 ,  金井秀树

IPC: G01B11/00 ,  G01B11/25 ,  G01M11/02 ,  G03F1/08 ,  G03F7/207

CPC classification number: G03F7/705 ,  G03F1/44 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70616 ,  G03F7/70641

Abstract: 提供一种原版及制造方法、曝光装置检查系统、检查方法，可大幅度缩短半导体器件制造工序中光学系统校正所需的时间。原版包括：掩模衬底(1)；配置在掩模衬底(1)上的遮光膜(17)；设置于遮光膜(17)中的检查图形用开口(56a、56b、56c)及器件图形用开口(57)；在检查图形用开口(56a、56b、56c)中露出的包括分别设置在掩模衬底(1)上的非对称衍射光栅(222a、222b、222c)的检查图形(20a、20b、20c)；在检查图形用开口(56a、56b、56c)中露出的与掩模衬底(1)上检查图形(20a、20b、20c)分别相邻设置的对准标记(26a、26b、26c)；在器件图形用开口(57)中露出的设于掩模衬底(1)上的器件图形(15a、15b、15c)。