公开(公告)号：CN1591776A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410056986.0

申请日：2004-08-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤贵之 ,  须黑恭一

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/28052 ,  H01L29/665 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。本发明实现在Si晶片中不发生损伤的闪光灯退火法。在Si晶片1的上方设置闪光灯光源，在由从闪光灯光源辐射出的光加热Si晶片(1)时，以由上述光在o晶片(1)上形成的光强度分布形成在与Si晶片(1)晶体取向不同的方向上强度成为最大的分布的方式，加热Si晶片(1)。

公开(公告)号：CN1574292A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410048162.9

申请日：2004-06-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤贵之

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/76 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/823814

Abstract: 本发明提供半导体衬底上不发生滑移和缺陷，而可以形成浅pn结的半导体器件的制造方法。硅衬底上形成元件区域和元件隔离区域，元件区域上形成栅绝缘膜和栅电极。以栅电极为掩模，形成注入源漏杂质的源漏杂质区域。进行不让源漏杂质扩散，恢复源漏杂质区域晶体性的热处理。在元件隔离区域、硅衬底和栅电极上形成层间绝缘膜。介以层间绝缘膜对硅衬底照射层间绝缘膜不吸收而由硅衬底吸收的光加热硅衬底，不让源漏杂质扩散，但激活源漏杂质。