公开(公告)号：CN115136283A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202080096277.2

申请日：2020-12-04

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 置田尚吾 ,  伊藤彰宏 ,  针贝笃史

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/461

Abstract: 电子部件的清洁方法具备：准备工序，准备具备被保护膜覆盖的第1面、所述第1面的相反侧的第2面、位于所述第1面与所述第2面之间的侧壁、和附着于所述侧壁的附着物的电子部件；和侧壁清洁工序，清洁所述电子部件的所述侧壁，所述侧壁清洁工序具备：沉积工序，使用第1等离子，在所述保护膜以及所述附着物的表面沉积第1膜；和去除工序，使用第2等离子，将所述附着物的至少一部分同沉积于所述附着物的表面的所述第1膜一起去除，在所述侧壁清洁工序中，交替重复多次所述沉积工序和所述去除工序，以使得所述保护膜残存。据此，能在减少给电子部件带来的伤害的同时清洁侧壁。

公开(公告)号：CN107180754B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201710091515.0

申请日：2017-02-20

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 松原功幸 ,  针贝笃史 ,  伊藤彰宏

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供一种等离子体处理方法，能够以简易的工序实现精细的图案化。等离子体处理方法包括：粘附工序，在具备第一主面和第一主面的相反侧的第二主面的基板的第一主面粘附树脂膜；以及图案化工序，对树脂膜进行图案化，从而形成具有使基板的被处理区域露出的开口部的掩模。而且，等离子体处理方法包括：第一等离子体工序，在包含第一气体的减压环境中生成第一气体的第一等离子体，并使掩模暴露于第一等离子体，从而减少掩模与第一主面之间的空隙。进而，等离子体处理方法包括：第二等离子体工序，在包含第二气体的环境中用第二气体生成第二等离子体，并使从开口部露出的被处理区域暴露于第二等离子体，从而对被处理区域进行蚀刻。