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公开(公告)号：CN1212645C
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03131006.0
申请日：2003-05-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/0751 , G03F7/161 , G03F7/165
Abstract: 本发明提供一种在半导体集成电路装置的制造过程等中使用的图形形成方法。在基板上形成由有机材料构成的低介电常数绝缘膜后，在第1室内，在低介电常数绝缘膜的表面上形成由三甲基硅烷基构成的第1分子层。然后在第1室的内部保持低介电常数绝缘膜后，在第2室内，在第1分子层的表面上形成由三甲基硅烷基构成的第2分子层。然后，在形成第1分子层和第2分子层的低介电常数绝缘膜上形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜，对于该抗蚀膜进行曝光和显影从而形成抗蚀层图形。由此可以使在具有空穴或者含有有机材料的被处理膜上形成的化学增幅型抗蚀膜构成的抗蚀层图形良好。
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公开(公告)号：CN1492241A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN03134833.5
申请日：2003-09-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0891 , G03F1/24 , G03F1/48 , G03F7/70958 , G21K1/06
Abstract: 一种曝光装置用的反射镜、曝光装置用的反射型掩模、曝光装置以及图案形成方法。所述曝光装置具备，反射型掩模(20)和第一反射镜(30a)、第二反射镜(30b)、第三反射镜(30c)以及第四反射镜(30d)。反射型掩模(20)具有，选择性地形成在掩模基板上且反射极紫外线的反射层、形成在反射层的上面且吸收极紫外线的极紫外线吸收层、以及形成在反射层上的至少是没有形成极紫外线吸收层的区域的红外线吸收层。反射镜具有形成在镜面基板上并反射极紫外线的反射层和形成在反射层上并吸收红外线的吸收层。根据本发明，向抗蚀膜选择性地照射极紫外线之后，通过显影而得到的抗蚀图的形状不会劣化。
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公开(公告)号：CN100495205C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510118182.3
申请日：2003-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2041
Abstract: 一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(102)之后，以向抗蚀膜(102)上提供由含有消泡剂且边进行循环边暂时被贮存于溶液贮存部内的水(折射率n：1.44)组成的溶液(103)的状态，对抗蚀膜(102)照射曝光光(104)，进行图形曝光。对已进行图形曝光的抗蚀膜(102)进行后烘之后，用碱性显影液进行显影，则可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的具有良好截面形状的抗蚀图形(105)。根据本发明，通过减少用于浸渍光刻法的溶液中的气泡，可以使抗蚀图形的截面形状变得良好。
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公开(公告)号：CN100456421C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200510009041.8
申请日：2005-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/11 , Y10S430/119 , Y10S430/123
Abstract: 本发明公开了一种阻挡膜形成用材料及使用它的图案形成方法。在衬底101上形成由化学放大型抗蚀剂形成的抗蚀膜102。接着，在抗蚀膜102上形成防止抗蚀膜中的成份溶解到液体浸渍用液体中，或防止液体浸渍用液体浸透到抗蚀膜102中的阻挡膜103。之后，在将液体浸渍用液体104供到阻挡膜103上的状态下，隔着阻挡膜103用曝光光105选择性地照射抗蚀膜102，进行图案曝光。接着，去掉阻挡膜103之后，再对已图案曝光的抗蚀膜102进行显像处理。从而形成由抗蚀膜102构成的抗蚀图案102a。
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公开(公告)号：CN1746774A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510099184.2
申请日：2005-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/70733 , G03F7/70866 , Y10S430/146
Abstract: 本发明的曝光装置，具有曝光部，其配置在容器(30)中，在将浸液用液体(42)配置于在晶片(40)上成膜的抗蚀膜上的状态下，通过掩膜(41)对抗蚀膜照射曝光光。另外，还具有使已被曝光的抗蚀膜的表面干燥的干燥部。因此，本发明能够防止由在浸液光刻法中使用的液体的残留所引起的抗蚀膜的改性，可以得到具有良好形状的微细化图形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1707757A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510074290.5
申请日：2005-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/2041 , G03F7/70891
Abstract: 一种半导体制造装置及图案形成方法，为得到由液体浸泡平板印刷制造的好的抗蚀膜的形状。由液体浸泡平板印刷的图案形成方法，在晶片(101)上形成抗蚀膜(102)，接下来，在形成的抗蚀膜(102)上填充了不饱和脂肪酸，例如包含三油酸甘油脂的葵花油或者橄榄油等的液体(103)的状态下，对抗蚀膜(102)进行有选择地照射曝光光线(104)来完成图案曝光。其后，对进行了图案曝光的抗蚀膜(102)进行显像，由抗蚀膜(102)形成抗蚀图案(102a)。
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公开(公告)号：CN1702551A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510073033.X
申请日：2005-05-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种包含基础聚合物的抗蚀材料，其中基础聚合物中含有的化合物包含由以化学式1的通式所表示的第一单元和以化学式2的通式所表示的第二单元形成的共聚物，其中R1、R2、R3、R7和R8相同或者不同，为氢原子、氟原子、碳原子数为1～20的直链烷基、支链或环烷基、或者氟代烷基；R4是碳原子数为0～20的直链亚烷基、或者支链或环状亚烷基；R5和R6相同或者不同，为氢原子、碳原子数为1～20的直链烷基、支链或环烷基、氟代烷基、或者由酸脱离出来的保护基；R9为氟原子、碳原子数为1～20的直链烷基、支链或环烷基、或者氟代烷基。
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公开(公告)号：CN1702550A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510072000.3
申请日：2005-05-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种包含基础聚合物的抗蚀材料，其中基础聚合物中含有的化合物具有以化学式1的通式所表示的单元，其中R1、R2及R3相同或者不同，为氢原子、氟原子、碳原子数为1～20的直链烷基、支链或环烷基、或者氟代烷基；R4为碳原子数为0～20的直链亚烷基、或者支链或环状亚烷基；R5为氢原子、碳原子数为1～20的直链烷基、支链或环烷基、氟代烷基、或者由酸脱离出来的保护基；R6为含环酯化合物的基团、含有含羟基的脂环化合物的基团或者含有含六氟异丙醇的化合物的基团。
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公开(公告)号：CN1700416A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510064543.0
申请日：2005-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 一种半导体制造装置，包括一液体供应部件，用以供应待施加到平台上的液体，该平台上置有带抗蚀膜的基底；一曝光部件，用以使曝光光线穿过遮光框照射平台上的抗蚀膜，该抗蚀膜上施加有液体；一电离防止部件，用以防止所述液体的电离。
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公开(公告)号：CN1661776A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510009041.8
申请日：2005-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/11 , Y10S430/119 , Y10S430/123
Abstract: 本发明公开了一种阻挡膜形成用材料及使用它的图案形成方法。在衬底101上形成由化学放大型抗蚀剂形成的抗蚀膜102。接着，在抗蚀膜102上形成防止抗蚀膜中的成分溶解到液体浸渍用液体中，或防止液体浸渍用液体浸透到抗蚀膜102中的阻挡膜103。之后，在将液体浸渍用液体104供到阻挡膜103上的状态下，隔着阻挡膜103用曝光光105选择性地照射抗蚀膜102，进行图案曝光。接着，去掉阻挡膜103之后，再对已图案曝光的抗蚀膜102进行显像处理。从而形成由抗蚀膜102构成的抗蚀图案102a。
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