公开(公告)号：CN101373884A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810130888.5

申请日：2008-08-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 鹿岛孝之 ,  伊藤启司 ,  牧田幸治

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/4025 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/2201

Abstract: 在半导体基板上，使第1导电型的包覆层、活性层、第2导电型的第1包覆层及第2导电型的第2包覆层依次进行晶体生长，对上述第2导电型的第2包覆层进行加工，形成带状的多个脊形结构部，在与上述脊形结构部的长度方向正交的方向上裂开，形成激光条；将在脊形结构部的长度方向上隔开指定的间隔而排列脊形结构部后的列排列多个；该列和邻接的列，在脊形结构部的长度方向上错开，以使得脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的另一端部在脊形结构部的长度方向上互相重叠；使脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的端部相重叠的区域裂开。采用该方法，就可以提供一种能以简单的方法对每个芯片判别谐振器长度的偏差是否在允许范围内的半导体激光装置的制造方法以及其制造工序中的半导体激光条的检查方法。

公开(公告)号：CN101047302A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200610071540.4

申请日：2006-03-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 鹿岛孝之 ,  牧田幸治 ,  吉川兼司

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/22 ,  H01S5/10 ,  H01S5/00

Abstract: 在一种能高功率输出的单片双波长半导体激光装置中，通过共同的步骤为每个激光器单元形成窗口结构，由此提高了该装置的可靠性。该半导体激光装置具有单片集成在n型半导体衬底101上的红外激光器单元110和红色激光器单元120。红外和红色激光器单元110和120的每一个都具有在每个谐振器端面上由Zn扩散形成的脊形波导和窗口结构。红外和红色激光器单元110和120包括在各自波导脊上的p型接触层109和119。p型接触层109薄于p型接触层119。

公开(公告)号：CN1979982A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610153128.7

申请日：2006-12-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 鹿岛孝之 ,  牧田幸治 ,  吉川兼司

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/305

Abstract: 一种半导体激光元件，包括：第1导电型的半导体基板(1)；第1导电型的包覆层(3)，设置在半导体基板上；活性层(4)，设置在第1导电型的包覆层上；第2导电型的第1包覆层(5)，设置在活性层上；第2导电型的第2包覆层(7)，设置在第1包覆层上，形成沿谐振器方向延长的脊状波导；第2导电型的接触层(9)，设置在第2导电型的第2包覆层上；端面窗结构(11)，杂质扩散到谐振器方向的端面部的活性层区域，能带间隙比作为该端面部以外的部分的增益区域扩大；在第2导电型的包覆层中，与端面窗结构的区域的杂质浓度相比，增益区域的杂质浓度相同或更大。形成折射率变化小的端面窗结构，电阻比以往高，抑制向谐振器方向的Zn扩散。