公开(公告)号：CN101252129A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200710199484.7

申请日：2007-12-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子佐一郎 ,  国松崇

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H02H9/02 ,  G01R19/00 ,  G01R31/28

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/14 ,  H03K17/567 ,  H03K2217/0018

Abstract: 在对横式绝缘栅双极晶体管具有过电流保护机能的半导体装置中，降低过电流保护机能起作用电流值的偏差。并联连接由栅极电压可控制的主开关元件的横式绝缘栅双极晶体管(1)、和电流检测用横式绝缘栅双极晶体管(10)。电流检测用横式绝缘栅双极晶体管(10)的基础区域(109)、和横式绝缘栅双极晶体管(1)的发射极区域(106)电连接。电流检测用横型绝缘栅双极晶体管(10)的发射极区域(108)、和横式绝缘栅双极晶体管(1)的发射极区域(106)通过电流检测电路(7)的感应电阻(4)电连接。

公开(公告)号：CN1953203A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610135515.8

申请日：2006-10-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子佐一郎 ,  山下哲司 ,  宇野利彦

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H02M3/28 ,  H02M3/335

Abstract: 本发明公开了一种高耐压半导体开关元件及使用其的开关电源装置。在P－型半导体衬底表面部分形成N型降低表面电场区域。在半导体衬底内，以与降低表面电场区域相邻的方式形成p型基极区域。在基极区域上，隔着栅极绝缘膜形成栅极电极。在基极区域内，以与降低表面电场区域隔离的方式形成N+型发射极兼源极区域。在降低表面电场区域内，以与基极区域隔离的方式形成p+型集电极区域和N+型漏极区域。设置电连接在集电极区域和漏极区域上的集电极兼漏极电极、和电连接在基极区域和发射极兼源极区域上的发射极兼源极电极。因此，能提供一种能在从负载很小时到负载很大时为止的整个范围内减低损失的高耐压半导体开关元件及使用其的开关电源装置。