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公开(公告)号：CN1453940A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03122420.2
申请日：2003-04-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04B1/50 , H03K17/284 , H04Q7/32
CPC classification number: H03F1/56 , H03F3/72 , H03F2200/429 , H03K17/693
Abstract: 为提供可扩大控制电压设定范围的高频开关，由切换开关和基准电压生成电路构成高频开关。切换开关具有第1及第2场效应晶体管。第1场效应晶体管中，源极与信号输入端子连接，漏极与信号输出端子连接，源极与控制端子连接。第2场效应晶体管中，源极与信号输入端子连接，漏极与信号输出端子连接，栅极与控制端子连接。基准电压生成电路生成其值相异的2个基准电压，将低的基准电压提供到第1场效应晶体管的栅极，将高的基准电压提供到第2场效应晶体管的源极。
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公开(公告)号：CN101043202B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200710088411.0
申请日：2007-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种用于对高频信号进行功率放大的具有温度补偿功能的高频功率放大器，包括：功率放大晶体管，其具有接地的发射极；高功率输出偏置电路，其将与高频功率放大器的高功率输出相对应的高功率输出电流提供给功率放大晶体管；以及低功率输出偏置电路，其将与高频功率放大器的低功率输出相对应的低功率输出电流提供给功率放大晶体管。
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公开(公告)号：CN100450239C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200410004810.0
申请日：2004-02-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H11/245 , H03G1/0088 , H03G3/3036
Abstract: 在将从中频部输出的高频信号放大后提供给天线的高频部，设有带开关功能的增益控制器。带开关功能的增益控制器设有进行从中频部输出的两个频段的频段选择切换和选择频段的高频信号的增益控制的带开关功能衰减器。带开关功能衰减器设有连接信号输入部与信号输出部的第一可变电阻和与第一可变电阻并列设置并连接信号输入部与信号输出部的第二可变电阻。第一和第二可变电阻由共同的增益控制电压来控制，并被设定成用以改变电阻值的增益控制电压的范围不重叠。
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公开(公告)号：CN101043202A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710088411.0
申请日：2007-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种用于对高频信号进行功率放大的具有温度补偿功能的高频功率放大器，包括：功率放大晶体管，其具有接地的发射极；高功率输出偏置电路，其将与高频功率放大器的高功率输出相对应的高功率输出电流提供给功率放大晶体管；以及低功率输出偏置电路，其将与高频功率放大器的低功率输出相对应的低功率输出电流提供给功率放大晶体管。
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公开(公告)号：CN1263228C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN03122420.2
申请日：2003-04-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04B1/50 , H03K17/284 , H04Q7/32
CPC classification number: H03F1/56 , H03F3/72 , H03F2200/429 , H03K17/693
Abstract: 为提供可扩大控制电压设定范围的高频开关，由切换开关和基准电压生成电路构成高频开关。切换开关具有第1及第2场效应晶体管。第1场效应晶体管中，源极与信号输入端子连接，漏极与信号输出端子连接，源极与控制端子连接。第2场效应晶体管中，源极与信号输入端子连接，漏极与信号输出端子连接，栅极与控制端子连接。基准电压生成电路生成其值相异的2个基准电压，将低的基准电压提供到第1场效应晶体管的栅极，将高的基准电压提供到第2场效应晶体管的源极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1578120A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410063607.0
申请日：2004-07-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03G3/3042 , H03F2200/72 , H03G1/007 , H04B2001/0416
Abstract: 信号输入端子和信号输出端子之间串联插入第1FET，信号输入端子和接地端子之间及信号输出端子和接地端子之间分别并联插入第2及第3FET。设置第1及第2基准电压端子和控制端子，向第1FET施加第1基准电压和控制电压，分别向第2及第3FET施加第2基准电压和控制电压，从而使第1、第2及第3FET作为可变电阻动作。从而，构成增益控制电路。而且，第1FET设置成与第1电阻并联，第2及第3FET设置成分别与第2及第3电阻串联。
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公开(公告)号：CN101741323A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910178655.7
申请日：2009-09-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F3/211 , H03F1/0261 , H03F3/19 , H03F3/245 , H03F2200/18 , H03F2200/366 , H03F2200/375
Abstract: 本发明提供一种能够同时实现充分的耐损坏性、和低输出时以及高输出时的良好的高频特性的高频功率放大器。高频信号经由电容(C1～Cn)，分别输入晶体管(Q1～Qn)的基极，放大后由晶体管(Q1～Qn)的集电极输出。各晶体管(Q1～Qn)的发射极接地。由偏置电路(B1)提供的偏置电流，在由低输出时过渡为高输出时，经由电阻(Ra1～Ran)，分别提供给晶体管(Q1～Qn)的基极。晶体管(Q1～Qn)的集电极经由阻抗电路(Z)，与偏置电压输入端子(DCIN)连接，高输出时与来自集电极的高频信号输出的一部分一起，由阻抗电路(Z)，产生直流偏移电压，进一步增加偏置电流。
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公开(公告)号：CN1577954B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410062927.4
申请日：2004-07-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06F1/00
CPC classification number: H03G3/3042
Abstract: 具有与信号线A连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的串联可变电阻及在信号输出部A与基准电位部GND之间连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的并联可变电阻，还具有与信号线A并联设置的信号线B所连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的串联可变电阻及在信号输出部B与基准电位部GND之间连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的并联可变电阻。
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公开(公告)号：CN1866729A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610084725.9
申请日：2006-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F1/30 , H03F3/189 , H03F3/20 , H03F2203/21178
Abstract: 将射频信号RF经由电容器C1－Cn当中的相应电容器输入到每个晶体管TR1－TRn的基极被放大，并从每个晶体管TR1－TRn的集电极输出。每个晶体管TR1－TRn的发射极接地。将从偏置电路Bias提供的偏置电压DC经由电阻器Ra1－Ran当中的相应电阻器输送给每个晶体管TR1－TRn的基极。用于偏置电压DC的信号线以直流方式经由桥接电阻器R连接到用于射频信号RF的输入线。
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公开(公告)号：CN1738195A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510084642.5
申请日：2005-07-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03G1/007
Abstract: 增益控制电路12包括作为可变电阻器工作的FET 41。将施加到栅极控制端子23的控制电压VC提供给FET 41的栅极。将由参考电压电路13获得的参考电压Vref1提供给FET 41的源极和漏极。控制参考电压Vref1以便补偿FET 41的阈值电压的变化。FET 41的电阻值根据控制电压VC变化，并且因此高频放大电路10的增益也连续变化。
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