公开(公告)号：CN101753107A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910170741.3

申请日：2009-09-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 海藤淳司 ,  立冈一树 ,  稻森正彦 ,  牧原弘和 ,  松田慎吾

IPC: H03F3/189 ,  H03F1/32 ,  H03F3/20

CPC classification number: H03F1/0211 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/516

Abstract: 本发明提供一种高频电路，其不使用特别的附加电路就能抑制制造偏差产生时的高频放大器中的AM-PM特性偏移。在多级放大器中，例如，在级间电容(30、31)上产生制造偏差时，通过由电源电路(40)和乘法器(60)按照最终级的前一级(11)的集电极电压Vcc2比最终级(12)的集电极电压Vcc3小的方式进行控制，从而抑制AM-PM特性偏移。

公开(公告)号：CN101741323A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910178655.7

申请日：2009-09-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻森正彦 ,  立冈一树 ,  牧原弘和 ,  松田慎吾 ,  海藤淳司

IPC: H03F3/21 ,  H03F3/19 ,  H03F1/30

CPC classification number: H03F3/211 ,  H03F1/0261 ,  H03F3/19 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/366 ,  H03F2200/375

Abstract: 本发明提供一种能够同时实现充分的耐损坏性、和低输出时以及高输出时的良好的高频特性的高频功率放大器。高频信号经由电容(C1～Cn)，分别输入晶体管(Q1～Qn)的基极，放大后由晶体管(Q1～Qn)的集电极输出。各晶体管(Q1～Qn)的发射极接地。由偏置电路(B1)提供的偏置电流，在由低输出时过渡为高输出时，经由电阻(Ra1～Ran)，分别提供给晶体管(Q1～Qn)的基极。晶体管(Q1～Qn)的集电极经由阻抗电路(Z)，与偏置电压输入端子(DCIN)连接，高输出时与来自集电极的高频信号输出的一部分一起，由阻抗电路(Z)，产生直流偏移电压，进一步增加偏置电流。