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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100593902C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200610084725.9
申请日：2006-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F1/30 , H03F3/189 , H03F3/20 , H03F2203/21178
Abstract: 将射频信号RF经由电容器C1-Cn当中的相应电容器输入到每个晶体管TR1-TRn的基极，被放大，并从每个晶体管TR1-TRn的集电极输出。每个晶体管TR1-TRn的发射极接地。将从偏置电路Bias提供的偏置电压DC经由电阻器Ra1-Ran当中的相应电阻器输送给每个晶体管TR1-TRn的基极。用于偏置电压DC的信号线以直流方式经由桥接电阻器R连接到用于射频信号RF的输入线。
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公开(公告)号：CN1897301A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610101566.9
申请日：2006-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L27/02
Abstract: 一种双极晶体管，其中将基极台面指(发射极凸出层15、基极层16和集电极层17)插入在两个集电极指(集电极电极13)之间，并且在该基极台面指上形成基极指(基极电极12)和该基极指两侧上的两个发射极指(发射极层14和发射极电极11)。这两个发射极指形成为相对于作为基准的基极指对称。
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公开(公告)号：CN1866729A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610084725.9
申请日：2006-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F1/30 , H03F3/189 , H03F3/20 , H03F2203/21178
Abstract: 将射频信号RF经由电容器C1－Cn当中的相应电容器输入到每个晶体管TR1－TRn的基极被放大，并从每个晶体管TR1－TRn的集电极输出。每个晶体管TR1－TRn的发射极接地。将从偏置电路Bias提供的偏置电压DC经由电阻器Ra1－Ran当中的相应电阻器输送给每个晶体管TR1－TRn的基极。用于偏置电压DC的信号线以直流方式经由桥接电阻器R连接到用于射频信号RF的输入线。
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公开(公告)号：CN1759481A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200480006662.4
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L29/73 , H01L27/06 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L23/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种晶体管集成电路装置及制造该晶体管集成电路装置的方法，该晶体管集成电路装置减小了电路的集成面积，同时避免由于热失控导致的元件毁坏。阻断电容器(13)由上部电极和下部电极构成，该上部电极由布线金属形成且处于第一层，该下部电极由布线金属形成且处于第二层。偏置电阻器(12)由与阻断电容器(13)的下部电极相同的布线金属形成。该偏置电阻器(12)由制成薄膜的布线金属形成，以用作片电阻器，并且可以根据布线金属的厚度或宽度来随意设定偏置电阻器(12)的电阻值。
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公开(公告)号：CN101166014A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710141398.0
申请日：2007-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03F3/213
Abstract: 一种电力放大器，既避免了电路的复杂化，又使比基本频率宽的频带的二次高频波阻抗控制成为可能。其做法是：使用于输入信号的基本频率的带宽在第一基本频率(F1)到第二基本频率(F2)的宽带的电力放大器用晶体管(102)的输出匹配电路，具有由感应器(108L)和电容器(108C)串联形成的且具有第一基本频率(F1)的两倍频率的共振频率的第一二次高频波串联共振电路(108)，和具有由感应器(109L)和电容器(109C)串联形成的且具有第二基本频率(F2)的两倍频率的共振频率的第二二次高频波串联共振电路(109)。
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