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公开(公告)号：CN1260406A
公开(公告)日：2000-07-19
申请号：CN99126967.5
申请日：1999-12-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C14/505 , C23C14/541 , H01J37/34 , H01J2237/20214
Abstract: 本发明为实现小型化和简单化的等离子处理装置,从真空容器(1)壁向真空容器内突设基板置放台(10),在设于该基板置放台上的凹部(10a)内配置安装基板(5)的回转支座(8)的同时以密封其外周的状态回转自如地加以支承,在该回转支座的内部设置叶片(9),并将流体的供给口(11)和排出口(12)在基板置放台上形成为对于叶片施加回转力状,由于从供给口供给流体,使基板在回转的同时冷却。
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公开(公告)号：CN103443324A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280015418.9
申请日：2012-02-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 山本昌裕
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/044 , C23C14/046 , C23C14/225 , C23C14/35 , H01J37/3408
Abstract: 本发明的成膜装置包括：真空腔(100)；基板保持件(5)，该基板保持件(5)在真空腔(100)中保持基板(6)；靶材(2)，该靶材(2)包含成膜材料，且具有相对于基板(6)的主面倾斜的主面；以及角度修正板(12)，该角度修正板(12)在由将靶材(2)的主面的外周与基板的主面的外周相连的线段(31、32)包围的空间区域(30)之外，并设置成覆盖基板的主面的上部空间，从真空腔(100)的正面观察，将基板的主面上的任意点设作B，将靶材(2)的主面上的至少中央处的点设作c时，从各个点B开始的相对于将各个点B与点c相连的各线成45度的各线上，存在有角度修正板(12)的主面上的至少一部分，角度修正板(12)的主面上的其它部分在与靶材(2)相反一侧延伸。
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公开(公告)号：CN102378826A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201080014488.3
申请日：2010-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/541
Abstract: 在使用气体冷却的成膜方法中，一边实现充分的冷却效果一边避免因气体导入导致成膜率下降和/或对真空泵施加过大的载荷。本发明的薄膜形成装置，具备：在薄膜形成区域(9)具有与基板(7)的背面接近的冷却面(10s)的冷却体(10)；以及向冷却面(10s)和基板(7)的背面之间导入气体的气体导入单元，冷却面在基板的宽度方向剖面中具有中央部比两端部向基板7的背面突出的形状。优选的是，冷却面具有在基板的宽度方向剖面中左右对称的形状，更优选地，具有由悬垂曲线表示的形状。
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公开(公告)号：CN101289736B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200810093059.4
申请日：2008-04-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/24
CPC classification number: G01L11/02 , C23C14/0042 , H05H1/0037
Abstract: 简便地测量真空腔室内部的分压分布的分压测量方法及分压测量装置包括：移动步骤，使真空腔室内具有的测量专用的局部等离子源(9)移动到测量部位；以及测量步骤，经由设在真空腔室的壁部上的供光通过的窗，受光来自局部等离子源产生的等离子的发光，通过分光测量所受光的发光的发光强度，测量真空腔室内的分压分布。
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公开(公告)号：CN101849033A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200880114890.1
申请日：2008-11-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/56 , C23C14/24 , C23C16/455 , C23C16/54
CPC classification number: C23C14/541 , C23C14/562 , C23C16/463 , C23C16/466 , C23C16/52 , C23C16/545
Abstract: 本发明提供能够均匀且充分地冷却基板的薄膜形成装置和薄膜形成的方法。本发明的薄膜形成装置在真空中、在长条的基板上形成薄膜，该薄膜形成装置包括：在开口部(31)接近搬送中的基板背面配置的冷却体(1)、向冷却体(1)与基板(21)之间导入气体的气体导入部件、在开口部(31)对移动中的基板的宽度方向两端附近进行约束的基板约束部件(3)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1244009A
公开(公告)日：2000-02-09
申请号：CN99117546.8
申请日：1999-08-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/258 , G11B7/24 , G11B7/252 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B7/26 , Y10S428/913 , Y10S430/146 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明揭示一种光学记录媒体,借助于用Cu氧化物构成半透射膜(2),能得到与Au相同的反射特性,同时不会由于氧化、腐蚀而外观变化、反射率变化,因材料费便宜,所以能大幅度地降低成本。此外,也可以用在Cu中加入耐蚀材料的化合物构成,也可以用由Cu、Ag、Al组成的衬底膜和由耐蚀材料组成的上层膜组成的层叠膜构成。此外,也可以用ZnS·SiO2、TiN或者ITO构成半透射膜,或者用Au和Cu的合金,或者含有Au和Cu的多种材料构成。
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公开(公告)号：CN103443324B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201280015418.9
申请日：2012-02-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 山本昌裕
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/044 , C23C14/046 , C23C14/225 , C23C14/35 , H01J37/3408
Abstract: 本发明的成膜装置包括：真空腔（100）；基板保持件（5），该基板保持件（5）在真空腔（100）中保持基板（6）；靶材（2），该靶材（2）保持有成膜材料，且具有相对于基板（6）的主面倾斜的主面；以及角度修正板（12），该角度修正板（12）在由将靶材（2）的主面的外周与基板的主面的外周相连的线段（31、32）包围的空间区域（30）之外，并设置成覆盖基板的主面的上部空间，从真空腔（100）的正面观察，将基板的主面上的任意点设作Ｂ，将靶材（2）的主面上的至少中央处的点设作Ｃ时，从各个点Ｂ开始的相对于将各个点Ｂ与点Ｃ相连的各线成45度的各线上，存在有角度修正板（12）的主面上的至少一部分，角度修正板（12）的主面上的其它部分在与靶材(2)相反一侧延伸。
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公开(公告)号：CN101946021B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200980105706.1
申请日：2009-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C16/466
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置。该薄膜形成装置(100)具有：真空槽(1)；设置在真空槽(1)内并向面对成膜源(27)的规定成膜位置(4)供给长条的衬底(8)的衬底输送机构(40)；环形带(10)，其能够与由衬底输送机构(40)进行的衬底(8)的供给相对应地运行，并以在直线输送中的衬底(8)的表面上形成薄膜的方式沿着环形带(10)自身的外周面限定成膜位置(4)处的衬底(8)的输送路径；形成在环形带(10)上的贯通孔(16)；衬底冷却单元(30)，其从运行中的环形带(10)的内周侧通过贯通孔(16)向环形带(10)和衬底(8)的背面之间导入冷却气体。
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公开(公告)号：CN101889103B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200880119323.5
申请日：2008-11-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/541 , C23C14/562 , G11B5/85
Abstract: 本发明的提供一种薄膜形成装置和薄膜形成方法。在使用气体冷却的成膜方法中，达成充分的冷却效果，并且避免气体导入引起的成膜率的降低和对真空泵的过大的负荷。本发明的薄膜形成装置包括在薄膜形成区域(14)中接近基板(7)的背面配置的冷却体(10)；将气体向冷却体(10)与基板(7)的背面之间导入的气体导入机构；接近基板(7)的背面，将薄膜形成区域(14)分割为第一薄膜形成区域(14a)和成膜速度比第一薄膜形成区域(14a)低的第二薄膜形成区域(14b)，且维持冷却体(10)与基板(7)的间隙的间隙维持机构(11)。冷却条件被设定为第一区域(14a)的冷却量比第二区域(14b)的冷却量大。
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公开(公告)号：CN1150535C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN99117546.8
申请日：1999-08-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/258 , G11B7/24 , G11B7/252 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B7/26 , Y10S428/913 , Y10S430/146 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明揭示一种光学记录媒体，借助于用Cu氧化物构成半透射膜(2)，能得到与Au相同的反射特性，同时不会由于氧化、腐蚀而外观变化、反射率变化，因材料费便宜，所以能大幅度地降低成本。此外，也可以用在Cu中加入耐蚀材料的化合物构成，也可以用由Cu、Ag、Al组成的衬底膜和由耐蚀材料组成的上层膜组成的层叠膜构成。此外，也可以用ZnS·SiO2、TiN或者ITO构成半透射膜，或者用Au和Cu的合金，或者含有Au和Cu的多种材料构成。
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