公开(公告)号：CN1300859C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN97193501.7

申请日：1997-12-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上登美男 ,  真田研一 ,  小屋贤一 ,  福田康彦

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L25/167 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 具有由在蓝宝石基板上形成GaN层等构成双重异构构造的GaN系LED元件1，以倒置状态搭载在硅基板上形成的Si二极管元件2上。GaN系LED元1件的p电极5和Si二极管元件2的n电极8之间，以及GaN系LED元件1的n电极6和Si二极管元件2的p电极7之间，分别通过Au微型凸柱11及12进行电连接，Si二极管元件2起从静电破坏中保护LED元件1的作用。Si二极管元件2的背面电极9连接到引线框架13a上，Si二极管元件2的p电极7的连接焊盘部10通过Au引线17连接到另一引线框架13b上。

公开(公告)号：CN101527343B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200910132585.1

申请日：2005-11-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小屋贤一 ,  岸本幸男

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/483 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体发光装置(100)具有如下结构：具备衬底部件(130)和配置在上述衬底部件(130)上的半导体发光元件(110)，上述衬底部件(130)具备：基板(131)；电极部(正电极134、负电极135、凸块140～144)，配置在上述基板(131)的上表面上，与上述半导体发光元件(110)直接接触；及反射部(132)，配置在上述基板(131)的上表面上，不与上述半导体发光元件(110)及上述电极部直接接触。从而能够提供一种半导体发光装置，不管反射率高的材料是否适合作为电极，可以用它将输出光高效地输出到外部。

公开(公告)号：CN100405622C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200510078576.0

申请日：1997-12-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上登美男 ,  真田研一 ,  小屋贤一 ,  福田康彦

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L2224/16145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01079

Abstract: 本发明的发光装置，其特征是包含有：发光元件由其绝缘基板和在该绝缘基板上形成的半导体膜构成，并且在半导体膜的上面附近形成有p型半导体区域和n型半导体区域，发光元件根据在p型半导体区域-n型半导体区域间施加的电压而发光；静电保护元件，其具有与发光元件的p型半导体区域和n型半导体区域分别进行电连接的二个极部，当发光元件的p型半导体区域-n型半导体区域相互之间接受到超过了小于或者等于破坏电压的规定电压的电压时，静电保护元件让电流在二个极部之间流通。

公开(公告)号：CN1776925A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510078575.6

申请日：1997-12-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上登美男 ,  真田研一 ,  小屋贤一 ,  福田康彦

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L2224/16145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01079

Abstract: 一种半导体发光装置的制造方法，在包含在透明基板上形成半导体积层膜并且在半导体积层膜的表面上形成p侧电极和n侧电极的半导体发光元件、至少有二个独立的电极的附装元件、支撑附装元件可以向附装元件供给电力的基材，让附装元件与基材电连通搭载在基材上，半导体发光元件处于倒置状态搭载在附装元件上的倒装型半导体发光装置的制造方法中，其特征是包含下列工序：在半导体元件和附装元件的任一方的元件具有的电极上形成微型凸柱的工序；通过的微型凸柱，将半导体元件的p侧电极和n侧电极连接到附装元件的电极上的芯片连接工序。