公开(公告)号：CN103999361B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201280061197.9

申请日：2012-11-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 冈岛利幸

IPC: H03F1/52 ,  H03F3/24

CPC classification number: H03F3/213 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/523 ,  H03F3/193 ,  H03F3/195 ,  H03F3/245 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/108 ,  H03F2200/15 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/181 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/471 ,  H03F2200/555 ,  H03F2203/7206 ,  H03F2203/7221 ,  H03F2203/7227

Abstract: 在使用了耗尽型FET的高输出功率放大器中，为了可靠地防止由过电流引起的FET的损坏，具有：生成施加到耗尽型FET的漏极端子的正电压的漏极电压供给部(120、220、320)；以及生成施加到耗尽型FET的栅极端子的负电压的栅极偏置电压供给部(130、230、330)，漏极电压供给部使用外部商用电源作为电源，栅极偏置电压供给部使用电池作为电源。

公开(公告)号：CN102934518B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201280001529.4

申请日：2012-03-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 夘野高史 ,  八幡和宏 ,  冈岛利幸

IPC: H05B6/68 ,  H05B6/70

CPC classification number: H05B6/686 ,  H05B6/705 ,  H05B2206/044 ,  Y02B40/143 ,  Y02B40/146

Abstract: 高频加热装置（100）具备：多个高频功率发生单元（102x）；以及控制部（103），从能够对高频功率发生单元分别设定的频率或相位的值中，选择在所述多个高频功率发生单元的仅一部分放射所述高频时适合的频率或相位的值，使得仅从一部分放射所述高频；在一部分高频功率发生单元停止的情况下等，也能够使用剩余的高频功率发生单元来对被加热物进行最佳的加热。

公开(公告)号：CN102934518A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201280001529.4

申请日：2012-03-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 夘野高史 ,  八幡和宏 ,  冈岛利幸

IPC: H05B6/68 ,  H05B6/70

CPC classification number: H05B6/686 ,  H05B6/705 ,  H05B2206/044 ,  Y02B40/143 ,  Y02B40/146

Abstract: 高频加热装置（100）具备：多个高频功率发生单元（102x）；以及控制部（103），从能够对高频功率发生单元分别设定的频率或相位的值中，选择在所述多个高频功率发生单元的仅一部分放射所述高频时适合的频率或相位的值，使得仅从一部分放射所述高频；在一部分高频功率发生单元停止的情况下等，也能够使用剩余的高频功率发生单元来对被加热物进行最佳的加热。

公开(公告)号：CN101884245A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200980101214.5

申请日：2009-05-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石崎俊雄 ,  冈岛利幸 ,  八幡和宏 ,  卯野高史

IPC: H05B6/68

CPC classification number: H05B6/686 ,  H05B6/705 ,  Y02B40/143 ,  Y02B40/146

Abstract: 本发明提供一种扩频高频加热装置，其具有变频振荡器(1)、放大变频振荡器(1)的输出功率的半导体功率放大器(2)、基于半导体功率放大器(2)的输出功率而辐射加热用电磁波的辐射器(3)、检测加热用电磁波的反射波的反射波监控电路(5)、控制变频振荡器(1)的振荡频率的控制电路(7)。通过控制电路(7)将变频振荡器(1)的振荡频率不连续地切换，能够由辐射器(3)进行跳频式扩频型的辐射。从辐射器(3)辐射的电磁波照射到加热室(8)的内部所配置的被加热物(9)(通常是食品)，而加热被加热物。