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公开(公告)号:CN101258111A
公开(公告)日:2008-09-03
申请号:CN200680033016.6
申请日:2006-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的玻璃组合物,其是氧化物玻璃,其中,含有的元素中除了氧(O)之外的元素的比率以原子%如下所述,即:硼(B)为56%以上且72%以下,硅(Si)为0%以上且15%以下,锌(Zn)为0%以上且18%以下,钾(K)为8%以上且20%以下,K、钠(Na)及锂(Li)的总计量为12%以上且20%以下。该玻璃组合物在大于0%且为5%以下的范围内,还含有镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)及钡(Ba)的至少一种,在大于0%且为3%以下的范围内,还含有钼(Mo)及/或钨(W)。
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公开(公告)号:CN1953942A
公开(公告)日:2007-04-25
申请号:CN200680000206.8
申请日:2006-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C03C3/066 , C03C3/145 , C03C8/04 , H01J2211/38
Abstract: 本发明的被覆电极用玻璃组成物含有:SiO2:0~15wt%、B2O3:10~50wt%、ZnO:15~50wt%、Al2O3:0~10wt%、Bi2O3:2~40wt%、MgO:0~5wt%、CaO+SrO+BaO:5~38wt%、Li2O+Na2O+K2O:0~0.1wt%、MoO3:0~4wt%、WO3:0~4wt%,且MoO3和WO3的合计含有率在0.1~8wt%的范围。另外,本发明的被覆电极用玻璃组成物含有:SiO2:0~2wt%、B2O3:10~50wt%、ZnO:15~50wt%、Al2O3:0~10wt%、Bi2O3:2~40wt%、MgO:0~5wt%、CaO+SrO+BaO:5~38wt%、MoO3:0~4wt%、WO3:0~4wt%,且MoO3和WO3的合计含有率在0.1~8wt%的范围。
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公开(公告)号:CN1212245A
公开(公告)日:1999-03-31
申请号:CN98119510.5
申请日:1998-09-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种以含量不小于70%(重量)的氧化铝为主要成分的陶瓷组合物,具有氧化铝的固有特性(例如,高的热传导率等)和低的烧结温度,在此温度下,可以烧结得到所述陶瓷组合物中的比电阻低的导体金属,并制得多层基片。所述陶瓷组合物并含有至少二种或二种以上、可形成液相形成温度在700—1060℃的化学计量化合物的金属氧化物作为第二成分。该金属氧化物为氧化锰与氧化钒、氧化钒与氧化镁、及氧化锰与氧化铋的组合中之任一种。
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公开(公告)号:CN102047374A
公开(公告)日:2011-05-04
申请号:CN201080001697.4
申请日:2010-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够以低驱动电压发挥良好的图像显示性能的等离子体显示面板。具体而言,在形成有显示电极(5)的前面板(1)的表面上,以面对放电空间(14)的方式使用由从SrCeO3、BaCeO3之中选择的一种以上物质、或者这些物质相互固溶而成的固溶体构成的结晶性氧化物形成保护层(7)。通过使用由SrCeO3、BaCeO3或者这些物质相互固溶而成的固溶体构成的结晶性氧化物,能够不过度降低二次电子释放效率而提高化学稳定性。通过使用这些化合物,能够得到比使用MgO的情形驱动电压更低的PDP。
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公开(公告)号:CN1967742B
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:CN200610068316.X
申请日:2001-04-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01F41/127 , H01F1/24 , H01F1/26 , H01F1/28 , H01F17/04 , H01F27/027 , H01F27/292 , H01F41/0246 , Y10S156/922 , Y10T29/49002 , Y10T29/4902 , Y10T29/49021 , Y10T29/49071 , Y10T29/49073 , Y10T29/49158 , Y10T29/49172 , Y10T29/49176 , Y10T29/4922 , Y10T29/49261 , Y10T29/49277 , Y10T156/1082 , Y10T156/11 , Y10T428/11 , Y10T428/32
Abstract: 本发明提供的复合磁性体,含有金属磁性体粉末和热硬化性树脂,金属磁性体粉末的填充率为65~90体积%,电阻率在104Ω·cm以上。若在这种复合磁性体中埋设线圈,可以获得电感值很大,且直流重叠特性优良的小型磁性元件。
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公开(公告)号:CN1266712C
公开(公告)日:2006-07-26
申请号:CN02142292.3
申请日:2002-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01F17/0013 , H01F3/10 , H01F17/04 , H01F27/327 , H01F41/005 , H01F41/046 , Y10T29/4902
Abstract: 本发明的磁性元件具有包括平面导体线圈和绝缘性物质的片状线圈和配置在片状线圈的上下面中至少之一上的片状的第一磁性部件,绝缘性物质的导磁率比第一磁性部件的导磁率低。另外,在片状线圈的规定区域上还设置由包含磁性粉末的树脂构成、导磁率大于绝缘性物质且小于第一磁性部件的第二磁性部件。所谓规定区域是不存在平面导体线圈的导体的区域,并且是从片状线圈的中心部和周边部选择的区域中的至少一个场所。另外,本发明的电源模块具有这种本发明的磁性元件。
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公开(公告)号:CN1524826A
公开(公告)日:2004-09-01
申请号:CN200410004014.7
申请日:2004-02-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C04B35/6303 , B32B18/00 , B32B2311/08 , C04B35/117 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3263 , C04B2235/3281 , C04B2235/3291 , C04B2235/3298 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/343 , C04B2237/408 , C04B2237/62 , H05K1/0306 , H05K3/4629 , Y10T428/12618 , Y10T428/1275 , Y10T428/12896
Abstract: 提供了一种氧化物陶瓷材料,其含有氧化铝作为主要组分,并且含有下面所示的A和B中的至少一种作为辅助组分:A:氧化铌和氧化铜,B:氧化铜、氧化钛和氧化银。由此可以提供一种在低温下具有可烧结性并具有高的导热率的氧化物陶瓷材料,本发明还提供了使用该氧化物陶瓷材料的陶瓷基片、陶瓷层压设备和功率放大器模块。
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公开(公告)号:CN1479405A
公开(公告)日:2004-03-03
申请号:CN03133036.3
申请日:2003-06-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 根据本发明的一种不可逆电路元件包含至少三个中心电极,重叠并布置成相互交叉。提供了与与中心电极的一端并联的电容器。提供了连接到中心电极的另一端并至少一个接一个地布置在中心电极之间的接地电极。提供了分别布置在中心电极和接地电极之间的电隔离层。提供了布置在中心电极附近的铁氧体件。提供了将直流磁场施加到铁氧体件上的磁体。提供了与铁氧体件和磁体结合从而构成磁路的轭材料。根据本发明,由于接地电极至少一个接一个地设在中心电极之间,电隔离层分别设在中心电极和接地电极之间,所以,可以实现小型化和批量生产而不使电性能变差。
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公开(公告)号:CN102893366A
公开(公告)日:2013-01-23
申请号:CN201180022976.3
申请日:2011-05-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供一种能够改善保护膜周边的结构,发挥优秀的二次电子释放特性,且能够期待高效率化和长寿命化的PDP。而且,还提供一种能够防止驱动时的放电延迟的发生,即使是高速驱动的高精细的PDP也能期待发挥高品质的图像显示性能的PDP。具体而言,在电介质层(7)的放电空间一侧的面上,作为用作膜厚约为1μm的表面层的保护膜(8),形成在CeO2中添加浓度为11.8mol%以上49.4mol%以下的Sr的结晶性膜。在其上,配置比保护膜(8)高的二次电子释放特性的高γ微粒子(17)。由此,提高保护膜(8)的二次电子释放特性、亮度,效率、可靠性。
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公开(公告)号:CN102224218A
公开(公告)日:2011-10-19
申请号:CN201080002393.X
申请日:2010-05-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J11/42 , C09K11/574
Abstract: 本发明提供一种萤光体,其化学稳定性优异、且具有使萤光体的表面带电性正转换的氧化物、并且辉度劣化少。本发明的萤光体具有萤光体主体、及在该萤光体主体的表面的至少一部分所具有的复合氧化物,该复合氧化物包含M(M是选自Ca、Sr及Ba构成的组的至少一种元素)、Sn和O。
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