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公开(公告)号：CN102047374A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201080001697.4
申请日：2010-03-29
申请人： 松下电器产业株式会社
摘要： 本发明的目的是提供一种能够以低驱动电压发挥良好的图像显示性能的等离子体显示面板。具体而言，在形成有显示电极(5)的前面板(1)的表面上，以面对放电空间（14）的方式使用由从SrCeO3、BaCeO3之中选择的一种以上物质、或者这些物质相互固溶而成的固溶体构成的结晶性氧化物形成保护层(7)。通过使用由SrCeO3、BaCeO3或者这些物质相互固溶而成的固溶体构成的结晶性氧化物，能够不过度降低二次电子释放效率而提高化学稳定性。通过使用这些化合物，能够得到比使用MgO的情形驱动电压更低的PDP。
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公开(公告)号：CN102015962B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201080001516.8
申请日：2010-04-09
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： C09K11/7774 , H01J29/20
摘要： 本发明提供一种亮度和色纯度高的荧光体。本发明的荧光体由通式aYO3/2·(3-a)CeO3/2·bAlO3/2·cGaO3/2(2.80≤a≤2.99，1.00≤b≤5.00，0≤c≤4.00，其中4.00≤b+c≤5.00)表示，且在由波长的X射线测定的X射线衍射图案中存在峰值，所述峰值的顶峰在衍射角2θ为16.7度以上16.9度以下的范围内。
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公开(公告)号：CN102893367A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180023827.9
申请日：2011-05-13
申请人： 松下电器产业株式会社
摘要： 本发明提供一种通过设置能够吸附可在放电空间中产生的杂质气体的吸附材料，能够改善放电电压的不均匀状态的PDP及其制造方法。为此，在PDP1中，在上述放电空间（15）内（保护膜（8）的表面上）或者能够与上述放电空间（15）通气的空间内（荧光体层（14）与分隔壁（13）之间以及荧光体层（14）与电介质层（12）之间的至少一处、或者荧光体层（14）中），在活化状态下设置由进行过铜离子交换的沸石构成的吸附材料（39），将放电空间（15）中的CO2浓度调节在1×10-2Pa以下。
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公开(公告)号：CN101796158B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200980100299.5
申请日：2009-07-03
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01J11/42 , C09K11/7736 , H01J11/12 , H01J61/44
摘要： 本发明的蓝色荧光体由通式aBaO·bSrO·(1-a-b)EuO·cMgO·dAlO3/2·eWO3(0.70≤a≤0.95，0≤b≤0.15，0.95≤c≤1.15，9.00≤d≤11.00，0.001≤e≤0.200，其中a+b≤0.97)所表达。并且，在本发明的蓝色荧光体中，由波长0.774的X射线所测定的X射线衍射图案中，存在：峰顶处于衍射角2θ为13.0～13.6度的范围内2个的峰；以及峰顶处于衍射角2θ为14.6～14.8度的范围内的1个的峰。
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公开(公告)号：CN102015962A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201080001516.8
申请日：2010-04-09
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： C09K11/7774 , H01J29/20
摘要： 本发明提供一种亮度和色纯度高的荧光体。本发明的荧光体由通式aYO3/2·(3-a)CeO3/2·bAlO3/2·cGaO3/2(2.80≤a≤2.99，1.00≤b≤5.00，0≤c≤4.00，其中4.00≤b+c≤5.00)表示，且在由波长的X射线测定的X射线衍射图案中存在峰值，所述峰值的顶峰在衍射角2θ为16.7度以上16.9度以下的范围内。
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公开(公告)号：CN101796158A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200980100299.5
申请日：2009-07-03
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01J11/42 , C09K11/7736 , H01J11/12 , H01J61/44
摘要： 本发明的蓝色荧光体由通式aBaO·bSrO·(1-a-b)EuO·cMgO·dAlO3/2·eWO3(0.70≤a≤0.95，0≤b≤0.15，0.95≤c≤1.15，9.00≤d≤11.00，0.001≤e≤0.200，其中a+b≤0.97)所表达。并且，在本发明的蓝色荧光体中，由波长0.774的X射线所测定的X射线衍射图案中，存在：峰顶处于衍射角2θ为13.0～13.6度的范围内2个的峰；以及峰顶处于衍射角2θ为14.6～14.8度的范围内的1个的峰。
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公开(公告)号：CN102893366A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180022976.3
申请日：2011-05-02
申请人： 松下电器产业株式会社
摘要： 提供一种能够改善保护膜周边的结构，发挥优秀的二次电子释放特性，且能够期待高效率化和长寿命化的PDP。而且，还提供一种能够防止驱动时的放电延迟的发生，即使是高速驱动的高精细的PDP也能期待发挥高品质的图像显示性能的PDP。具体而言，在电介质层（7）的放电空间一侧的面上，作为用作膜厚约为1μm的表面层的保护膜（8），形成在CeO2中添加浓度为11.8mol%以上49.4mol%以下的Sr的结晶性膜。在其上，配置比保护膜（8）高的二次电子释放特性的高γ微粒子（17）。由此，提高保护膜（8）的二次电子释放特性、亮度，效率、可靠性。
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公开(公告)号：CN102224218A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201080002393.X
申请日：2010-05-12
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01J11/42 , C09K11/574
摘要： 本发明提供一种萤光体，其化学稳定性优异、且具有使萤光体的表面带电性正转换的氧化物、并且辉度劣化少。本发明的萤光体具有萤光体主体、及在该萤光体主体的表面的至少一部分所具有的复合氧化物，该复合氧化物包含M(M是选自Ca、Sr及Ba构成的组的至少一种元素)、Sn和O。
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公开(公告)号：CN102217027A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201080003156.5
申请日：2010-01-14
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01J11/02
摘要： 本发明目的在于，提供一种适于使PDP的二次电子发射系数提高的材料，由此实现PDP的高效化。因此，在PDP（200）中，保护层（7）由MgO形成，包括结晶性化合物的电子发射性的粒子散布在保护层（7）上而形成电子发射层（20）。该电子发射性的粒子是以选自Ca、Sr、Ba、稀土类金属的一种以上、In、O（氧）为主成分的结晶性化合物。
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公开(公告)号：CN101960551A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200880127492.3
申请日：2008-12-25
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01J11/02
摘要： 本发明的目的是通过提供适宜于提高PDP的二次电子释放系数的材料，来实现PDP的高效化。为此，在PDP200中，利用MgO形成保护层(7)，在保护层(7)上散布由结晶性化合物构成的电子释放粒子，形成电子释放层(20)。结晶性化合物是由CaSnO3、SrSnO3、BaSnO3、或其中的2种以上物质相互固熔而成的固熔体(Ca，Sr)SnO3、(Sr，Ba)SnO3等。
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