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公开(公告)号：CN101626233B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910101082.8
申请日：2009-08-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本发明涉及电阻性超导异步双线逻辑通用型门电路。目前已有的超导异步双线电路的逻辑门结构具有使用约瑟夫森结的数量过多和布线困难的缺陷。本发明包括四个约瑟夫森量子干涉器和两个扼流电阻，每个约瑟夫森量子干涉器由四个约瑟夫森结和三个连接电感组成。其中相邻的两个约瑟夫森量子干涉器共用两个约瑟夫森结。本发明提出的逻辑门结构，利用电阻消耗掉逻辑门触发后残留在门电路中的环路电流，而使得所需的约瑟夫森结的数量大大减小。本发明很好的兼顾了布线的方便性，顺序结构的电路布局比已有技术更容易应用在大规模超导集成电路中。
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公开(公告)号：CN101626234B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910101083.2
申请日：2009-08-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本发明涉及一种电阻性超导异步双线逻辑与门电路。目前已有的超导异步双线电路的逻辑门结构具有使用约瑟夫森结的数量过多和布线困难的缺陷。本发明包括四个约瑟夫森量子干涉器和一个扼流电阻，第一约瑟夫森量子干涉器和第二约瑟夫森量子干涉器均由四个约瑟夫森结和二个连接电感组成，第三约瑟夫森量子干涉器和第四约瑟夫森量子干涉器均由三个约瑟夫森结和一个连接电感组成。本发明提出的逻辑与门结构，利用电阻消耗掉逻辑门触发后残留在门电路中的环路电流，而使得所需的约瑟夫森结的数量大大减小。本发明很好的兼顾了布线的方便性，顺序结构的电路布局比已有技术更容易应用在大规模超导集成电路中。
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公开(公告)号：CN101656339A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910153103.0
申请日：2009-09-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/205
Abstract: 本发明涉及一种小型化的同轴腔可调滤波器。现有的同轴腔可调滤波器的输入输出端口电纳大，很难构成多路耦合器。本发明包括滤波器壳体，隔板地将滤波器壳体分成多个同轴腔，滤波器壳体的相对侧壁上分别设置有输入同轴接头和输出同轴接头；主耦合环的一端与滤波器壳体腔内底部连接，副耦合环的一端与同轴接头所在的滤波器壳体侧壁连接，主耦合环的另一端以及副耦合环的另一端均与同轴接头连接。本发明将主耦合环与副耦合环结合，利用此结构能够实现同轴腔可调滤波器在整个频率调谐范围内大幅度的减小端口电纳。
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公开(公告)号：CN119581844A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411824570.2
申请日：2024-12-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于新移动通信领域的紧凑低剖面圆形MIMO天线，该天线结构中介质基板与金属地平面之间存在空气层，六个扇形的辐射单元均匀印制在介质基板上，各辐射单元之间存在间隙，各辐射单元中包含一个馈电短针和两个接地短针，接地短针连接辐射单元和金属地平面；隔离孔蚀刻在馈电短针正下方的金属地平面上；馈电短针经过空气层插入对应的隔离孔；缺陷地结构槽蚀刻于间隙正下方的金属地平面上，从圆周出发指向圆心，与圆周相连部分作开口处理。本发明使MIMO天线获得了优秀的阻抗匹配和隔离度，保证天线低剖面的前提下还实现了优秀的辐射性能，结构简单，加工成本低。
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公开(公告)号：CN118380747B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410807748.6
申请日：2024-06-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种频率自稳定的可调谐同轴谐振腔，外导体内部由若干金属隔离板分隔成多个可调谐同轴谐振腔且相邻两个可调谐同轴谐振腔之间通过设置在金属隔离板上的耦合窗口实现电磁耦合，每个可调谐同轴谐振腔内均竖向设有内导体，内导体的开路端设有可调谐电容；可调谐电容包括定片、动片、固定卡座以及能够转动的联动调谐杆，定片固定在内导体的开路端并与内导体的开路端电连接，联动调谐杆与动片均固定在固定卡座上，动片宽度小于定片宽度。本发明可以保持稳定的工作频段，频率稳定性好，有效地提取需要的带内信号，并且可以免除复杂的联动调谐杆定位系统，简化设计难度以及加工工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101626234A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910101083.2
申请日：2009-08-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本发明涉及一种电阻性超导异步双线逻辑与门电路。目前已有的超导异步双线电路的逻辑门结构具有使用约瑟夫森结的数量过多和布线困难的缺陷。本发明包括四个约瑟夫森量子干涉器和一个扼流电阻，第一约瑟夫森量子干涉器和第二约瑟夫森量子干涉器均由四个约瑟夫森结和二个连接电感组成，第三约瑟夫森量子干涉器和第四约瑟夫森量子干涉器均由三个约瑟夫森结和一个连接电感组成。本发明提出的逻辑与门结构，利用电阻消耗掉逻辑门触发后残留在门电路中的环路电流，而使得所需的约瑟夫森结的数量大大减小。本发明很好的兼顾了布线的方便性，顺序结构的电路布局比已有技术更容易应用在大规模超导集成电路中。
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公开(公告)号：CN117728178A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311773213.3
申请日：2023-12-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种应用于5G移动终端的高频比缝隙天线系统。本发明在使用同一条辐射缝隙(主辐射器)通过不同的端口激励产生不同的频段辐射，集成了四个Sub‑6GHz频段天线和两个毫米波段天线，形成共口径天线体。本发明避免了一般传统天线需要采用相互独立的几个区域进行设计，从而导致的手机介质基板上造成很大的净空区域，影响天线辐射以及其他手机元件摆放等问题。且本发明天线体结构简单、加工工艺简单、成本低。
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公开(公告)号：CN113422182B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110751734.3
申请日：2021-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种基于阻抗调谐的可调低通滤波器。包括：输入传输线，第一级阶跃阻抗谐振器，第二级阶跃阻抗谐振器，第三级阶跃阻抗谐振器，第四级阶跃阻抗谐振器，第一级输入输出阻抗可调传输线，第二级传输线，第三级输入输出阻抗可调传输线，输出传输线；第一级阶跃阻抗谐振器，第二级阶跃阻抗谐振器，第三级阶跃阻抗谐振器以及第四级阶跃阻抗谐振器都是由阶跃阻抗谐振器组成，在开路端以及阶跃阻抗线的高低阻抗连接处均加载可调电容；第一和第三级输入输出阻抗可调谐传输线并联电容可以调节整个传输线的输入输出阻抗，进而调节可调低通滤波器的工作带宽，可以获得更加大的频率调谐范围。
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公开(公告)号：CN108198867A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711473088.9
申请日：2017-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种低功耗GaN/AlGaN共振隧穿二极管。本发明包括GaN基底、n+-GaN集电区层、i-GaN第一隔离层、i-AlGaN第一势垒层、i-GaN量子阱层、i-AlGaN第二势垒层、i-GaN或者i-InGaN第二隔离层、n+-GaN发射区层、AlN钝化层、集电区金属电极引脚与发射区金属电极引脚。本发明采用高质量非 极性上表面的外延本征GaN基底上外延生长GaN/AlGaN纳米薄膜制备的共振隧穿二极管。具有足够明显且实用的负微分电阻伏安特性，在足够低的正偏压下具有较低的峰值电流与谷值电流，功耗较低。
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公开(公告)号：CN108183136A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711478511.4
申请日：2017-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/88
Abstract: 本发明涉及一种新型电压域振荡二极管。本发明包括初始上表面为镓面GaN基底、n+-qInGaN集电区层、i-InGaN第一隔离层、i-InGaN第一势垒层、i-InGaN量子阱层、i-GaN第二势垒层、i-InGaN第二隔离层、n+-InGaN发射区层、AlN钝化层、集电区金属电极引脚和发射区金属电极引脚。本发明采用GaN基双势垒单量子阱超晶格结构的势垒层极化电场削弱外加电场作用，有效抑制低偏置电压区域带内共振隧穿；利用紧邻集电极势垒的集电区耗尽层作为集电极势垒的辅助势垒，伏安特性在较高偏压区表现为多协调制电流振荡各能级对应电子波函数的共振隧穿与叠加，形成很多个微分负阻区与正电阻区相间排列。
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