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公开(公告)号：CN109643731B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201680088767.1
申请日：2016-09-16
Applicant: 新电元工业株式会社
Abstract: 本发明的MOSFET100，用于具备：反应器；电源；MOSFET100；以及整流元件，的电力转换电路中，其特征在于，包括：半导体基体110，具有n型柱形区域114以及p型柱形区域116，并且由n型柱形区域114以及p型柱形区域116构成超级结结构，其中，n型柱形区域114以及p型柱形区域116被形成为：p型柱形区域116的掺杂物总量比n型柱形区域114的掺杂物总量更高，在开启MOSFET后，运作为：从平面上看在n型柱形区域114的中央，出现电场强度比n型柱形区域114的中央以外的区域更低的低电场区域。根据本发明的MOSFET，在开启MOSFET后，就能够使MOSFET更难产生振荡，并且，还能够降低整流元件的浪涌。
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公开(公告)号：CN109643656A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201680088771.8
申请日：2016-09-02
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明的MOSFET100，用于具备：反应器；电源；MOSFET；以及整流元件的电力转换电路中，其特征在于：具备：具有由所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域构成超级结结构的半导体基体，其中，所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域被形成为：使所述n型柱形区域的掺杂物总量比所述p型柱形区域的掺杂物总量更高，在关断所述MOSFET后，运作为：在从漏极电流开始减少直到漏极电流最初变为零的期间内，依次出现所述漏极电流减少的第一期间、所述漏极电流增加的第二期间、以及所述漏极电流再次减少的第三期间。根据本发明的MOSFET，由于能够在关断MOSFET后，将MOSFET的浪涌电压减小至比以往更小的程度，因此就能够使其适用于各种电力转换电路。
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公开(公告)号：CN108292679A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680068884.1
申请日：2016-03-31
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明的功率半导体装置100，具有超级结结构，包括：低电阻半导体层112、n-型柱形区域113、p-型柱形区域115、基极区域116、沟槽118、栅极绝缘膜120、栅电极122、源极区域124、层间绝缘膜126、接触孔128、金属塞130、p+型扩散区域、源电极134、以及栅极焊盘电极135，并且，有源元件部R1，在距离栅极焊盘部R2最近的规定的p-型柱形区域115A，与沟槽118接触的n-型柱形区域113中距离栅极焊盘部R2最近的规定的n-型柱形区域113A之间，具备n-型柱形区域113B。本发明的功率半导体装置，是一种符合低成本化以及小型化要求的，并且能够在维持高耐压的同时降低导通电阻的，具有高击穿耐量的功率半导体装置。
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公开(公告)号：CN106165101A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201480003200.0
申请日：2014-03-31
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/4238 , H01L29/66734 , H01L29/7802 , H01L29/7811
Abstract: [课题]降低由于电容的充放电导致的栅极电极的电压上升从而引起误动作的可能性。[解决方法]半导体装置包括：第一导电型漂移层20；与源极电极90相连接，且被安装在漂移层20上的第二导电型基极层30；以及与源极电极90相连接，贯穿基极层30从而延伸到漂移层20的第二导电型阵列层50。半导体装置包括：被安装在被设在阵列层50的上端两侧的一对第一沟槽63的内部，且被第一绝缘层62包围的一对第一栅极电极61；被设置在基极层30上，在第一绝缘层62中与阵列层50一侧反向的一侧部与该第一绝缘层62相邻接，且与源极电极90相连接的第一导电型源极区域31。
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