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公开(公告)号：CN1802741A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200480015983.0
申请日：2004-04-23
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L23/36
CPC classification number: H01L23/373 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置(10)，包括设置在半导体元件和散热片(12)之间的中间层(13)。中间层减少在半导体元件产生热时由于半导体元件的热膨胀和散热片的热膨胀之差产生的热应力。这种热应力整体减少了半导体装置的翘曲。
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公开(公告)号：CN116805650A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310105507.2
申请日：2023-02-13
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。半导体装置(10)具备：n+源极层(19)及源电极(12)；n+漏极层(16)、n‑漂移层(17)及漏电极(11)；以及具有将n+源极层(19)与n‑漂移层(17)分隔的沟道部(18b)的p基极层(18)。p基极层(18)的沟道部(18b)具备多个低浓度部(20)。各低浓度部(20)的杂质浓度设定得比沟道部(18b)中的其他的部位(例如，低浓度部(20)以外的部位等)的杂质浓度相对小。
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公开(公告)号：CN116805649A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310043719.2
申请日：2023-01-29
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。半导体装置(10)具备：n+源极层(20)及源电极(12)；n+漏极层(16)、n‑漂移层(17)及漏电极(11)；以及p基极层(19)及基电极(13)。p基极层(19)具有将n+源极层(20)与n‑漂移层(17)分隔的沟道部(19c)。半导体装置(10)具备第二接点部(19b)，该第二接点部(19b)与基电极(13)相邻，并且杂质浓度比p基极层(19)的其他的部位的杂质浓度相对大。
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公开(公告)号：CN116805648A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310043673.4
申请日：2023-01-29
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。半导体装置(10)具备：n+源极层(20)及源电极(12)；n+漏极层(17)及漏电极(11)；与n+漏极层(17)相邻，并且杂质浓度比n+漏极层(17)的杂质浓度相对小的n‑漂移层(18)；以及p基极层(19)及基电极(13)。p基极层(19)具有将n+源极层(20)与n‑漂移层(18)分隔的沟道部(19b)。半导体装置(10)具备：在将n+漏极层(17)与p基极层(19)分隔的n‑漂移层(18)的n+漏极层(17)侧与n‑漂移层(18)相邻的p注入层(21)；与p注入层(21)接合的注入电极(16)；以及与注入电极(16)连接的电流源。
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公开(公告)号：CN115148804A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210113723.7
申请日：2022-01-30
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种具有沟槽栅极结构的n沟道型BiMOS半导体装置，依次形成n+漏极层、交替地接合n‑漂移层及p柱层的并列pn层、以及由p基极层及n+源极层构成的复合层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100385652C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200480015983.0
申请日：2004-04-23
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L23/36
CPC classification number: H01L23/373 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置(10)，包括设置在半导体元件和散热片(12)之间的中间层(13)。中间层减少在半导体元件产生热时由于半导体元件的热膨胀和散热片的热膨胀之差产生的热应力。这种热应力整体减少了半导体装置的翘曲。
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公开(公告)号：CN114074559B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110821972.7
申请日：2021-07-20
Applicant: 本田技研工业株式会社
Inventor： 塚田能成
Abstract: 提供能够提高起步、牵引时的加速性能的驱动装置。在驱动装置(100)中，第一电动发电机(MG1)与第一差动机构(1)的太阳齿轮(S1)连结，第二电动发电机(MG2)与第二差动机构(2)的太阳齿轮(S2)连结，第一差动机构的行星架(C1)与第二差动机构的行星架(C2)彼此连结而构成的行星架连结体(6)与输出轴(4)连结，第一差动机构的齿圈(R1)与第二差动机构的齿圈(R1)彼此连结而构成的齿圈连结体(7)与第一离合器(TWC1)连结。在驱动装置(100)中，第一差动机构的太阳齿轮(S1)、行星架连结体(6)、齿圈连结体(7)和第二差动机构(2)的太阳齿轮(S2)构成为依次在列线图上排列。
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公开(公告)号：CN116805652A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310105330.6
申请日：2023-02-13
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。半导体装置(10)具备：n+源极层(18)及源电极(12)；n‑漂移层(16)及漏电极(11)；以及具有将n+源极层(18)与n‑漂移层(16)分隔的沟道部(17b)的p基极层(17)。半导体装置(10)具备隔着栅极氧化膜(15)与n+源极层(18)、沟道部(17b)及n‑漂移层(16)分别相邻的栅极n‑层(19)及栅极p层(20)。栅极n‑层(19)与栅极p层(20)沿着n+源极层(18)、沟道部(17b)及n‑漂移层(16)顺次排列的方向相邻。半导体装置(10)具备与栅极p层(20)接合的第一栅电极(13)和与栅极n‑层(19)接合的第二栅电极(14)。
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公开(公告)号：CN115520026A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210638489.X
申请日：2022-06-07
Applicant: 本田技研工业株式会社
Inventor： 塚田能成
Abstract: 本发明要解决的问题是，提供一种与以往相比可以降低开关损耗及稳态损耗的电源系统及移动体。为了解决上述问题，电源系统1包括：可变电压电源7，从二次侧输入/输出端子对72p,72n输出可变电压的电力；及，第一电力线21及第二电力线22，连接二次侧输入/输出端子对72p,72n与负载4。在第一电力线21上设置第一开关单元31、及连接该第一开关单元31的两端的第三电力线23，在第三电力线23上串联设置第三开关单元33、直流电源30及第二开关单元32。第四电力线24连接第三电力线23与第二电力线22。在第四电力线24上设置第四二极管34a，所述第四二极管34a容许直流电源30的输出电流且阻断其逆向的电流。
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公开(公告)号：CN115459611A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210595731.X
申请日：2022-05-26
Applicant: 本田技研工业株式会社
Inventor： 塚田能成
Abstract: 本发明提供能够适当进行与电动车辆的行驶特性一致的蓄电池的电力变换的电力变换装置、电力变换装置的控制方法以及存储介质。一种电力变换装置，其具备：第一转换器，其至少将由第一蓄电池输出的第一蓄电池电力变换为基于所输入或设定的输出波形曲线得到的第一电压波形的第一输出电力并输出；以及第一生成部，其生成并输出基于第一蓄电池电力得到的第二输出电力，向负载供给通过将第一输出电力与第二输出电力相加从而生成的交流的控制波形的第三输出电力。
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