公开(公告)号：CN103732808A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280037766.6

申请日：2012-07-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 原一都

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/10 ,  C30B25/14

CPC classification number: C30B25/08 ,  C30B25/10 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅单晶制造设备，其包括真空室(6)、设置晶种(5)的台座(9)、源气(3)的入口(2)、从所述真空室(6)的底面朝着所述台座(9)延伸的反应室(7)、围绕所述反应室(7)的外周设置的第一加热装置(13)、围绕所述台座(9)的外周设置的第二加热装置(14)、设置在所述真空室(6)中的第一和第二加热装置(13,14)的外侧的出口(4)。在朝着所述台座(9)供应从所述反应室(7)供应的所述源气(3)之后，使所述源气在所述反应室(7)与碳化硅单晶(20)之间在碳化硅单晶(20)的径向方向上向外流动，并通过所述出口(4)排出。

公开(公告)号：CN113539928B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202110389492.8

申请日：2021-04-12

Applicant: 株式会社电装 ,  浜松光子学株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 长屋正武 ,  原一都 ,  河口大祐 ,  油井俊树 ,  笹冈千秋 ,  小岛淳 ,  恩田正一

IPC: H01L21/683

Abstract: 一种半导体芯片，包括：由氮化镓制成的外延膜(3)；以及设置在外延膜中的半导体元件；芯片形成衬底(110)，其包括外延膜并具有第一表面(110a)、与第一表面相反的第二表面(110b)以及连接第一表面和第二表面的侧表面(110c)；和在侧表面上的凹凸。

公开(公告)号：CN110192266B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201780082719.6

申请日：2017-12-25

Applicant: 株式会社力森诺科 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。

公开(公告)号：CN113539927A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110389082.3

申请日：2021-04-12

Applicant: 株式会社电装 ,  浜松光子学株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 小岛淳 ,  笹冈千秋 ,  恩田正一 ,  长屋正武 ,  原一都 ,  河口大祐

IPC: H01L21/683

Abstract: 一种用于制造氮化镓半导体器件的方法，包括：制备氮化镓晶片(1)；在氮化镓晶片上形成外延生长膜(3)，以提供具有芯片形成区域(RA)的已处理晶片(10)；在已处理晶片的一个表面侧上执行表面侧处理；去除氮化镓晶片，并将已处理晶片分开成芯片形成晶片(30)和回收晶片(40)；在芯片形成晶片的另一表面侧形成另一表面侧元件部件(60)。

公开(公告)号：CN107254715A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710281775.4

申请日：2011-12-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 徳田雄一郎 ,  原一都 ,  小岛淳

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/14

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B25/14 ,  C30B25/165 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1008

Abstract: 一种制造碳化硅单晶(20)的装置通过从籽晶的下面供应原料气体(3)来在籽晶(5)上生长碳化硅单晶。该装置包括加热容器(8)和定位于加热容器中的基部(9)。籽晶安装于基部上。该装置还包括用于引起净化气体沿着加热容器的内壁表面流动的第一入口(8b)、用于将净化气体供应至第一入口的净化气体源(14)、用于引起净化气体沿着基部的外壁表面流动的第二入口(93)、以及用于支撑基部以及用于将净化气体从基部的下面供应至基部的机构(11)。

公开(公告)号：CN106948007A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201610862561.1

申请日：2011-12-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 原一都 ,  徳田雄一郎

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/02 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  C30B25/12

CPC classification number: C30B25/165 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B29/36 ,  C30B25/025 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16

Abstract: 一种制造碳化硅单晶(20)的装置通过从籽晶的下面供应用于碳化硅的原料气体(3)来在由碳化硅单晶基片制成的籽晶(5)的表面上生长碳化硅单晶。该装置包括具有第一侧和与第一侧相反的第二侧的基部(9)。籽晶安装于基部的第一侧上。该装置还包括用于支撑基部并且用于从基部的第二侧将净化气体供应至基部的净化气体引入机构(11)。基部具有用于从基部朝着籽晶的外缘排出所供应净化气体的净化气体引入路径(94，95c)。

公开(公告)号：CN102534795A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110431747.9

申请日：2011-12-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 原一都 ,  徳田雄一郎

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14

CPC classification number: C30B25/165 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B29/36

Abstract: 一种制造碳化硅单晶(20)的装置通过从籽晶的下面供应用于碳化硅的原料气体(3)来在由碳化硅单晶基片制成的籽晶(5)的表面上生长碳化硅单晶。该装置包括具有第一侧和与第一侧相反的第二侧的基部(9)。籽晶安装于基部的第一侧上。该装置还包括用于支撑基部并且用于从基部的第二侧将净化气体供应至基部的净化气体引入机构(11)。基部具有用于从基部朝着籽晶的外缘排出所供应净化气体的净化气体引入路径(94，95c)。