公开(公告)号：CN100440400C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN01818013.2

申请日：2001-10-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 内藤一美 ,  永户伸幸

IPC: H01G9/052 ,  C22C1/04

Abstract: 平均粒径为0.01-0.5μm、平均圆度为0.8或更高的铌初始粉，圆度用4πA/L2定义(其中A为在平面上的实心投影面积，L为投影图的外周边长度)；平均粒径为0.03-20μm的铌一次聚结粉，它是铌初始粉的聚结；平均粒径为50-150μm的铌二次聚结粉，它通过粒化一次聚结粉获得；铌一次聚结粉或铌二次聚结粉的烧结体；以及使用这种烧结体的电容器。通过采用铌一次聚结粉或铌二次聚结粉的烧结体，可制造具有大的单位体积电容和良好的耐电压特性的电容器。

公开(公告)号：CN100383900C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN02801681.5

申请日：2002-05-14

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大森和弘 ,  内藤一美 ,  川崎俊哉 ,  和田紘一

IPC: H01G9/04 ,  H01G9/052 ,  C01G33/00 ,  C04B35/00

Abstract: 本发明提供(1)由式：NbOx(x＝0.8～1.2)表示，并可含有50～200，000ppm的其他元素，振实密度为0.5～2.5g/ml，平均粒径为10～1000μm，休止角为10～60度，BET比表面积为0.5～40m2/g，孔径分布具有多个孔径峰值的电容器用一氧化铌粉及其制造方法；(2)烧结上述一氧化铌粉得到的，在0.01μm～500μm范围内具有多个孔径峰值，优选在多个孔径峰值内，相对强度最大的两个峰的峰值分别处于0.2～0.7μm及0.7～3μm范围，相对强度最大的峰的峰值比相对强度其次大的峰的峰值处于大直径侧的一氧化铌粉及其制造方法；(3)使用上述烧结体的电容器及其制造方法；(4)使用上述电容器的电子电路及电子仪器。

公开(公告)号：CN101151691A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010852.2

申请日：2006-03-29

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 内藤一美 ,  矢部正二

IPC: H01G9/028 ,  H01G9/00 ,  H01G9/04

CPC classification number: H01G9/07 ,  H01G9/0032 ,  H01G9/028 ,  H01G9/15 ,  Y10T29/417

Abstract: 本发明是在导电体的表面上形成电介质层，并在该电介质层上依次形成含有导电性聚合物的半导体层、和电极层的固体电解电容器元件的制备方法，所述电介质层是通过在含有掺杂剂的电解液中化学转化来形成的，使用所制备的固体电解电容器元件可制备可靠性良好的固体电解电容器。

公开(公告)号：CN100339917C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN01808296.3

申请日：2001-04-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 内藤一美 ,  河边功

IPC: H01G9/052

Abstract: 一种铌烧结体，它是以这样的方式制备的：在烧结过程中将铌粉末在温度500℃-2000℃下烧结并在最高烧结温度下持续60分钟至150分钟。本发明的铌烧结体的特点在于每单位质量的电容(C)和形成电压(V)的乘积(CV)为90,000μF·V/g或更大，而所述铌粉末的初级粒子的平均粒径(D50)和漏电流(LC)二者之积除以所述CV所得到的值为5×10-4μm·μA/(μF·V)或更小。而且可提供一种即具有优选的低漏电流值又有大电容的良好平衡的电容器，即一种高度可靠的电容器。

公开(公告)号：CN1860566A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200480028059.6

申请日：2004-09-24

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 内藤一美

IPC: H01G9/028 ,  H01G9/032 ,  H01G9/07 ,  H01G9/04

Abstract: 本发明涉及制备电容器的方法，所述电容器包括作为一个电极的、具有在其表面上形成的介电层的电导体，和作为另一电极的半导体层，通过使用电导体作为阳极，通电而在电导体上形成所述半导体层，其中在通电之前，在介电层上形成微细突起；由其方法制备的、具有良好的电容表观因子和低ESR的电容器；以及使用该电容器的电子线路和电子设备。

公开(公告)号：CN1774778A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200480010141.6

申请日：2004-04-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 内藤一美

IPC: H01G9/052

CPC classification number: H01G9/0525 ,  B22F3/1103 ,  H01G9/028 ,  H01G9/042 ,  H01G9/052 ,  Y10T428/24926

Abstract: 一种用于烧结体电极电容器的烧结体电极，其可用于制造具有优良电容表面因数的固体电解电容，含有选自土－酸金属、主要包含土－酸金属的合金、土－酸金属的导电氧化物中的至少一种以及它们中的两种或更多种的混合物，其中根据阿基米德法在大气压下测定的烧结体的体积与在真空中测定的体积之差除以在大气压下测定的体积所获的值(伪闭合孔隙率)为11％或更小；一种使用该烧结体的固体电解元件；一种使用该元件的固体电解电容器及该固体电解电容器的用途。

公开(公告)号：CN1175442C

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN00802097.3

申请日：2000-09-29

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 内藤一美 ,  大森和弘 ,  永户伸幸

IPC: H01G9/042

Abstract: 本发明提供含有具有硅-氧键的化合物和钽或铌的组合物，其一部分可被氮化的平均粒径为0.1-5μm的电容器用粉体组合物，使用该组合物的烧结体和以该烧结体为一方电极，在该烧结体表面上形成的电介质和设在该电介质上的另一方电极构成的电容器。使用本发明的电容器用组合物的烧结体而制得的电容器，与现有的使用钽的钽电容器相比，消耗功率和容量劣化小，可靠性高。

公开(公告)号：CN1533444A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN03800652.9

申请日：2003-04-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 内藤一美

IPC: C22C27/02 ,  B22F5/00 ,  H01G9/052

CPC classification number: H01G9/0525 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/045 ,  C22C27/02 ,  H01G9/042 ,  B22F1/0011 ,  B22F9/023 ,  B22F1/0096

Abstract: 本发明涉及一种用来制造电容器的铌粉，其中含有各自含量为50到400质量ppm的Mg和Zr、含量为20到200质量ppm的W以及含量为300到3,000质量ppm的Ta、以及含量各自为50质量ppm或更少的除氧、氮、氢、Mg、Zr、W和Ta之外的其它元素。本发明还涉及用该粉末的烧结体和用该烧结体的电容器。本发明用该铌粉制造的烧结体的电容器单位质量的电容量大，且具有良好的耐热性能。

公开(公告)号：CN1509483A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN02806564.6

申请日：2002-03-15

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 西冈正明 ,  内藤一美 ,  河边功

IPC: H01G9/042 ,  H01G9/052

CPC classification number: H01G9/028 ,  B22F2998/00 ,  C22C1/045 ,  C22C32/00 ,  H01G9/042 ,  H01G9/0525 ,  B22F1/0096

Abstract: 本发明涉及：1.一种用于电容器的铌粉末，其中铬含量为50ppm质量或更少，以及其颗粒产品和烧结体，以及它们的制备方法；2.从一个由铌烧结体形成的电极、另一个电极和置于这两个电极之间的介电材料构成的电容器，及其制备方法；和3.使用该电容器的电路和电子设备。通过使用本发明的用于电容器的铌烧结体，可以获得具有良好耐电压性的电容器，其中铬含量为50ppm质量或更少。

公开(公告)号：CN1433346A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN01810728.1

申请日：2001-04-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 内藤一美 ,  永户伸幸

IPC: B22F1/00

Abstract: 本发明涉及一种在一部分氧化和一部分氮化的铌粉中，氮含量对氧含量的质量比在1/45以上的铌粉、使用该铌粉的烧结体和使用该烧结体的电容器。由于铌粉与氧的亲和力大，能自然氧化，因此导致铌电容器的可靠性较低，但是通过使用氮含量对氧含量的质量比调整到1/45以上的本发明铌粉，就能得到在可靠性试验(高温负载试验)中完全不发生尖峰噪音的高可靠性电容器。