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公开(公告)号：CN105324824B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201480035180.5
申请日：2014-06-13
申请人： 昭和电工株式会社
CPC分类号： H01G9/0525 , H01G9/0029 , H01G9/042 , H01G9/052
摘要： 通过如下的制造方法得到电容器的阳极体，该制造方法包括：使线材植入含有钨粉和高氧亲和性金属粉的混合粉并将该混合粉成形，将该成形体焙烧而得到烧结体；前述高氧亲和性金属为具有高于钨的氧亲和性的金属；以烧结体中的高氧亲和性金属相对于钨成为0.1～3质量％的方式调节混合粉中的高氧亲和性金属粉的量；前述线材由钽或铌形成。使用该阳极体而得到电解电容器。
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公开(公告)号：CN104205270B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380017330.5
申请日：2013-05-17
申请人： 昭和电工株式会社
CPC分类号： H01G9/042 , B22F3/10 , B22F5/00 , H01G9/0032 , H01G9/0036 , H01G9/052 , H01G9/0525 , H01G9/15
摘要： 本发明提供一种电容器的阳极体，由钨粉与三氧化钨粉的混合粉烧结而成的烧结体构成，所述三氧化钨粉相对于所述钨粉与所述三氧化钨粉的合计量的比例为1～13质量％。根据本发明，能够减少在电介质层上进行多次半导体前驱物的聚合的半导体层的形成次数，因此能够高效地制造在形成于钨烧结体的细孔内层与外表层的电介质层上，形成了由导电性高分子构成的半导体层的固体电解电容器元件。
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公开(公告)号：CN101151691A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010852.2
申请日：2006-03-29
申请人： 昭和电工株式会社
CPC分类号： H01G9/07 , H01G9/0032 , H01G9/028 , H01G9/15 , Y10T29/417
摘要： 本发明是在导电体的表面上形成电介质层，并在该电介质层上依次形成含有导电性聚合物的半导体层、和电极层的固体电解电容器元件的制备方法，所述电介质层是通过在含有掺杂剂的电解液中化学转化来形成的，使用所制备的固体电解电容器元件可制备可靠性良好的固体电解电容器。
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公开(公告)号：CN106575576B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201580037531.0
申请日：2015-03-30
申请人： 昭和电工株式会社
摘要： 本发明提供一种固体电解电容器元件的制造方法，其特征在于，依次包括以下工序：烧结工序，该工序将阀作用金属烧结而形成阳极体；化学转化工序，该工序在所述阳极体的表层部形成电介质层；半导体层形成工序，该工序通过将所述阳极体浸渍于导电性高分子的单体的溶液中，使所述单体聚合，来形成由导电性高分子构成的半导体层；和导电体层形成工序，该工序在所述阳极体上形成导电体层，在不引起所述导电性高分子的单体的光聚合的条件下进行所述半导体层形成工序。根据本发明，能够生产率良好地制造未密封等的不良品少的固体电解电容器。
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公开(公告)号：CN106575576A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580037531.0
申请日：2015-03-30
申请人： 昭和电工株式会社
CPC分类号： H01G11/86 , H01G9/0029 , H01G9/0036 , H01G9/028 , H01G9/052 , H01G9/15
摘要： 本发明提供一种固体电解电容器元件的制造方法，其特征在于，依次包括以下工序：烧结工序，该工序将阀作用金属烧结而形成阳极体；化学转化工序，该工序在所述阳极体的表层部形成电介质层；半导体层形成工序，该工序通过将所述阳极体浸渍于导电性高分子的单体的溶液中，使所述单体聚合，来形成由导电性高分子构成的半导体层；和导电体层形成工序，该工序在所述阳极体上形成导电体层，在不引起所述导电性高分子的单体的光聚合的条件下进行所述半导体层形成工序。根据本发明，能够生产率良好地制造未密封等的不良品少的固体电解电容器。
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公开(公告)号：CN105324824A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480035180.5
申请日：2014-06-13
申请人： 昭和电工株式会社
CPC分类号： H01G9/0525 , H01G9/0029 , H01G9/042 , H01G9/052
摘要： 通过如下的制造方法得到电容器的阳极体，该制造方法包括：使线材植入含有钨粉和高氧亲和性金属粉的混合粉并将该混合粉成形，将该成形体焙烧而得到烧结体；前述高氧亲和性金属为具有高于钨的氧亲和性的金属；以烧结体中的高氧亲和性金属相对于钨成为0.1～3质量％的方式调节混合粉中的高氧亲和性金属粉的量；前述线材由钽或铌形成。使用该阳极体而得到电解电容器。
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公开(公告)号：CN104221107A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201380018831.5
申请日：2013-04-11
申请人： 昭和电工株式会社
CPC分类号： H01G9/0525 , H01G9/0029 , H01G9/0036 , H01G9/042 , H01G9/052 , H01G9/15
摘要： 本发明提供：一种通过对将钨粉的成形体烧成了的烧结体进行化学转化处理而制作的电容器的阳极体，其特征在于，在阳极体中掺杂0.003质量％以上且低于0.3质量％的量的钾；一种对将钨粉的成形体烧成了的烧结体进行化学转化处理的电容器的阳极体的制造方法，其具有在阳极体中掺杂0.003～0.3质量％的量的钾的工序；以及一种使用所述阳极体的固体电解电容器。本发明的电容器在钨粉烧结体的植设了引线的面和与植设面垂直的面的接近植设面的部分不发生外观不良。
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公开(公告)号：CN104380406B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201380033048.6
申请日：2013-04-09
申请人： 昭和电工株式会社
摘要： 在含有0.05～12质量％由含氧化合物形成的氧化剂的、液温62℃以下的水溶液中，使钨粉的烧结体表面层化学转化为介质，在低于水的沸点的温度下去除附着于细孔内表面等的全部或大部分水，接着使其在水的沸点以上的温度下干燥，通过包含以上步骤的制造方法，得到至少具有由以钨为主要成分的烧结体形成的阳极体、具有对阳极体表面进行化学转化而成的平滑表面的介质层、和在介质层上层叠而成的半导电体层的、高频区的容量高且泄漏电流少的电容器元件。
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公开(公告)号：CN104380406A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380033048.6
申请日：2013-04-09
申请人： 昭和电工株式会社
摘要： 在含有0.05～12质量％由含氧化合物形成的氧化剂的、液温62℃以下的水溶液中，使钨粉的烧结体表面层化学转化为介质，在低于水的沸点的温度下去除附着于细孔内表面等的全部或大部分水，接着使其在水的沸点以上的温度下干燥，通过包含以上步骤的制造方法，得到至少具有由以钨为主要成分的烧结体形成的阳极体、具有对阳极体表面进行化学转化而成的平滑表面的介质层、和在介质层上层叠而成的半导电体层的、高频区的容量高且泄漏电流少的电容器元件。
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公开(公告)号：CN104205270A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380017330.5
申请日：2013-05-17
申请人： 昭和电工株式会社
CPC分类号： H01G9/042 , B22F3/10 , B22F5/00 , H01G9/0032 , H01G9/0036 , H01G9/052 , H01G9/0525 , H01G9/15
摘要： 本发明提供一种电容器的阳极体，由钨粉与三氧化钨粉的混合粉烧结而成的烧结体构成，所述三氧化钨粉相对于所述钨粉与所述三氧化钨粉的合计量的比例为1～13质量％。根据本发明，能够减少在电介质层上进行多次半导体前驱物的聚合的半导体层的形成次数，因此能够高效地制造在形成于钨烧结体的细孔内层与外表层的电介质层上，形成了由导电性高分子构成的半导体层的固体电解电容器元件。
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