发明授权
CN104205270B 电容器元件的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 电容器元件的制造方法
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申请号： CN201380017330.5申请日： 2013-05-17
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公开(公告)号： CN104205270B公开(公告)日： 2017-03-08
- 发明人: 内藤一美 , 矢部正二
- 申请人： 昭和电工株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 昭和电工株式会社
- 当前专利权人： 昭和电工株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 段承恩; 杨光军
- 优先权： 2012-115035 2012.05.18 JP
- 国际申请： PCT/JP2013/063798 2013.05.17
- 国际公布： WO2013/172453 JA 2013.11.21
- 进入国家日期： 2014-09-28
- 主分类号： H01G9/052
- IPC分类号： H01G9/052 ; H01G9/00
摘要：
本发明提供一种电容器的阳极体，由钨粉与三氧化钨粉的混合粉烧结而成的烧结体构成，所述三氧化钨粉相对于所述钨粉与所述三氧化钨粉的合计量的比例为1～13质量％。根据本发明，能够减少在电介质层上进行多次半导体前驱物的聚合的半导体层的形成次数，因此能够高效地制造在形成于钨烧结体的细孔内层与外表层的电介质层上，形成了由导电性高分子构成的半导体层的固体电解电容器元件。
公开/授权文献
- CN104205270A 电容器元件的制造方法 公开/授权日：2014-12-10
