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公开(公告)号：CN107251176A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680010761.2
申请日：2016-02-16
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F41/0253 , C22C28/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/005 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/14 , H01F1/055 , H01F1/057 , H01F1/08 , H01F41/02
Abstract: 本发明提供一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，该R－T－B系烧结磁体直至磁体内部的二颗粒晶界能够变厚，即使进行表面研削、矫顽力提高效果也不会大幅受损，即使不使用重稀土元素也具有高的矫顽力。该制造方法包括：准备以Ti/(X－2A)的mol比为13以上作为主要特征的R1－T1－A－X(R1主要为Nd，T1主要为Fe，A为Ga、Ti、Zr、Hf、V、Nb和Mo中的至少一种，X主要为B)系合金烧结体的工序；准备R2－Ga－Cu(R2主要为Pr和/或Nd且R2为65mol％以上95mol％以下，Cu/(Ga+Cu)以mol比计为0.1以上0.9以下)系合金的工序；和使R2－Ga－Cu系合金的至少一部分与R1－T1－A－X系合金烧结体表面的至少一部分接触，在450℃～600℃的温度进行热处理的工序。
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公开(公告)号：CN105960690A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201580007076.X
申请日：2015-02-27
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F1/0577 , B22F1/0003 , B22F3/16 , B22F3/24 , B22F3/26 , B22F9/04 , B22F2003/248 , B22F2009/044 , B22F2302/45 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C38/00 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16 , C22C38/20 , C22C38/28 , C22C38/30 , C22C38/32 , H01F41/0293 , B22F2207/01
Abstract: 一种R‑T‑B系烧结磁体，其特征在于，下述式(1)所示的组成满足下述式(2)～(9)，uRwBxGazAlvCoqTigFejM (1)(R为稀土类元素中的至少一种且必须包含Nd，M为R、B、Ga、Al、Co、Ti和Fe以外的元素，u、w、x、z、v、q、g、j表示质量％)；29.0≤u≤32.0 (2)(其中，重稀土类元素RH为R‑T‑B系烧结磁体的10质量％以下)；0.93≤w≤1.00 (3)0.3≤x≤0.8 (4)；0.05≤z≤0.5 (5)；0≤v≤3.0 (6)；0.15≤q≤0.28 (7)；60.42≤g≤69.57 (8)；0≤j≤2.0 (9)；并且g除以Fe的原子量所得的值设为g’，v除以Co的原子量所得的值设为v’，z除以Al的原子量所得的值设为z’，w除以B的原子量所得的值设为w’，q除以Ti的原子量所得的值设为q’时，满足下述式(A)和(B)。0.06≤(g’+v’+z’)‑(14×(w’‑2×q’))(A) 0.10≥(g’+v’+z’)-(14×(w’-q’))(B)。
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公开(公告)号：CN105190793A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480017376.1
申请日：2014-03-27
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F1/0557 , B22F7/008 , C22C38/00 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0577 , H01F7/02
Abstract: 为了解决B浓度降低所导致的Br大幅降低、以及HcJ不能充分满足近年来的要求的问题，本发明提供一种不使用Dy、且具有较高的Br和较高的HcJ的R-T-B系烧结磁体。该R-T-B系烧结磁体以Nd2Fe14B型化合物作为主相，且具有所述主相、存在于两个主相间的第一晶界以及存在于三个以上主相间的第二晶界，在R-T-B系烧结磁体中存在有厚度为5nm以上且30nm以下的所述第一晶界。
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公开(公告)号：CN109952621B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201780069492.1
申请日：2017-12-25
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 提供一种提高了磁特性和热稳定性的稀土‑过渡金属系强磁性合金。提出一种稀土‑过渡金属系强磁性合金，其特征在于，具有下述式(1)所表示的组成。R11‑xR2x(Fe1‑yCoy)w‑zTiz…(1)。式(1)中，R1至少具有Y，可以进一步具有Gd，R2至少具有Sm，可以进一步含有选自由La、Ce、Nd和Pr组成的组中的至少1种稀土元素，x、y、z、w分别为满足0＜x＜1.0、0≦y≦0.4、11≦w≦12.5、1/3≦z≦0.7且x≦6z‑2的数。)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107710351B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201680036852.3
申请日：2016-06-17
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 一种R‑T‑B系烧结磁体，其特征在于，其含有R：27.5～34.0质量％、RH：2～10质量％、B：0.89～0.95质量％、Ti：0.1～0.2质量％、Ga：0.3～0.7质量％、Cu：0.07～0.50质量％、Al：0.05～0.50质量％、M(M为Nb和/或Zr)：0～0.3质量％、余量T和不可避免的杂质，满足下述式(1)、(2)和(3)。[T]‑72.3([B]‑0.45[Ti])＞0(1)，([T]‑72.3([B]‑0.45[Ti]))/55.85＜13[Ga]/69.72(2)，[Ga]≥[Cu](3)。
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公开(公告)号：CN105074837B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201480017399.2
申请日：2014-03-27
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F1/0577 , C22C33/02 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/086
Abstract: 本发明提供一种不使用Dy、且具有较高的Br和较高的HcJ的R‑T‑B系烧结磁体。该R‑T‑B系烧结磁体以Nd2Fe14B型化合物作为主相，且具有所述主相、存在于两个主相间的第一晶界以及存在于三个以上主相间的第二晶界，其中，R：29.0质量％以上且31.5质量％以下；B：0.86质量％以上且0.90质量％以下；Ga：0.4质量％以上且0.6质量％以下；Al：0.5质量％以下(包含0质量％)；余量由T和不可避免的杂质构成。
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公开(公告)号：CN107251175A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680010497.2
申请日：2016-02-16
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F1/0577 , B22F1/0011 , B22F3/24 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C28/00 , C22C38/00 , C22C38/005 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C2202/02 , H01F41/0266 , H01F41/0293 , B22F3/02 , B22F2202/05 , B22F9/04 , B22F3/10 , B22F2003/248 , B22F2201/10 , B22F2201/20
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备以[T1]/[X]的摩尔比为13.0以上作为主要特征的R1－T1－X(R1主要为Nd，T1主要为Fe，X主要为B)系合金烧结体的工序；准备R2－Ga－Cu(R2主要为Pr和/或Nd，且为65mol％以上95mol％以下，[Cu]/([Ga]+[Cu])以摩尔比计为0.1以上0.9以下)系合金的工序；和使R2－Ga－Cu系合金的至少一部分与R1－T1－X系合金烧结体表面的至少一部分接触，并在450℃以上600℃以下的温度进行热处理的工序。
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公开(公告)号：CN102918611B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201180024008.6
申请日：2011-05-19
Applicant: 独立行政法人物质·材料研究机构 , 日立金属株式会社
CPC classification number: C22C33/0278 , B22F2998/10 , C21D6/00 , C22C38/005 , H01F1/0573 , H01F41/0266 , H01F41/0293 , B22F3/02 , B22F3/1017 , B22F3/14
Abstract: 准备通过HDDR法进行制造并且平均晶体粒径从0.1μm到1μm、晶粒的长径比（长轴/短轴之比）为2以下的R-T-B系永磁体粉末（工序A）。R为相对于R整体含有95原子%以上的Nd和／或Pr的稀土类元素，T为Fe或将Fe的一部分取代为Co和／或Ni且含有50原子%以上Fe的过渡金属元素。另一方面，准备包括R’和Cu且Cu为2原子%以上50原子%以下的R’-Cu系合金粉末（工序B）。R’为相对于R’整体含有90原子%以上的Nd和／或Pr且不含Dy和Tb的稀土类元素。混合R-T-B系永磁体粉末和R’-Cu系合金粉末（工序C），之后，在不活泼气氛或真空中，在500℃以上900℃以下的温度，对混合粉末进行热处理（工序D）。
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