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    R-T-Cu-Mn-B系烧结磁铁
    11.
    发明公开
    R-T-Cu-Mn-B系烧结磁铁 有权 许可 转让

    公开(公告)号：CN102067249A

    公开(公告)日：2011-05-18

    申请号：CN200980122101.3

    申请日：2009-06-11

    Applicant: 日立金属株式会社

    Inventor： 国吉太 ,  石井伦太郎 ,  富泽浩之

    IPC: H01F1/053 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  H01F1/08 ,  H01F41/02

    CPC classification number: H01F1/0577 ,  H01F41/0266

    Abstract: 本发明提供一种R-T-Cu-Mn-B系烧结磁铁，包括：R：12.0原子％以上、15.0原子％以下，在此，R是含有Y的稀土元素，R中的50原子％以上是Pr和/或Nd；B：5.5原子％以上、6.5原子％以下；Cu：0.08原子％以上、0.35原子％以下；Mn：0.04原子％以上、不足0.2原子％；M：2原子％以下(包括0原子％)，在此，M是Al、Ti、V、Cr、Ni、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Hf、Ta、W、Au、Pb、Bi中的1种或2种以上；T：剩余部分，在此，T是Fe或者Fe和Co，在T是Fe和Co的情况下，Co为T的20原子％以下。

    R-T-B系烧结磁体的制造方法
    12.
    发明授权
    R-T-B系烧结磁体的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN110431646B

    公开(公告)日：2021-09-14

    申请号：CN201880017894.1

    申请日：2018-03-22

    Applicant: 日立金属株式会社

    Inventor： 石井伦太郎 ,  佐藤铁兵 ,  国吉太

    IPC: H01F41/02 ,  B22F1/00 ,  B22F3/00 ,  C22C38/00 ,  H01F1/057

    Abstract: 一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法，其包括以下工序：准备添加合金粉末的工序，所述添加合金粉末包含以下元素且满足下述式(1)：Co：3.5～8.5质量％、B：0.2～0.8质量％、R：33～69质量％、T：10～60质量％、Cu：0.8～3质量％、Ga：1.8～10质量％；准备主合金粉末的工序，所述主合金粉末包含以下元素：B：0.91～1.1质量％、R：28.5～33质量％、T：64～70质量％、Ga：0.1～0.4质量％；准备包含1～16质量％的添加合金粉末和82～99质量％的主合金粉末的混合合金粉末的工序；将混合合金粉末进行成形而得到成形体的工序；将成形体进行烧结而得到烧结体的工序；以及对烧结体进行热处理的工序，14×[B]/10.8≤[T]/55.85≤14×[B]/10.8×2···(1)，其中，[B]和[T]为添加合金粉末中的B和T的含量(质量％)。

    R－T－B系烧结磁体
    13.
    发明公开
    R－T－B系烧结磁体 审中-公开

    公开(公告)号：CN111724957A

    公开(公告)日：2020-09-29

    申请号：CN202010169539.5

    申请日：2020-03-12

    Applicant: 日立金属株式会社

    Inventor： 石井伦太郎 ,  国吉太

    IPC: H01F1/057 ,  B22F3/10

    Abstract: 本发明提供一种尽量不使用重稀土元素RH、在高温(例如100℃)下也具有高矫顽力HcJ的R－T－B系烧结磁体。该R－T－B系烧结磁体含有：R：28.5质量％以上33.0质量％以下(R为稀土元素中的至少1种，含有Nd和Pr中的至少1种)；B：0.85质量％以上0.91质量％以下；Ga：0.35质量％以上0.75质量％以下；Cu：0.05质量％以上0.50质量％以下；Mn：0.03质量％以上0.15质量％以下；T：61.5质量％以上70.0质量％以下(T为Fe或Fe和Co，T的90质量％以上为Fe)，满足式(1)：14[B]/10.8＜[T]/55.85，([B]为以质量％表示的B含量，[T]为以质量％表示的T含量)。

    R-T-B系烧结磁体的制造方法
    14.
    发明公开
    R-T-B系烧结磁体的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN110537235A

    公开(公告)日：2019-12-03

    申请号：CN201980001826.0

    申请日：2019-02-06

    Applicant: 日立金属株式会社

    Inventor： 石井伦太郎 ,  国吉太

    IPC: H01F41/02 ,  B22F1/00 ,  B22F3/00 ,  B22F3/24 ,  B22F9/04 ,  C22C38/00 ,  H01F1/057

    Abstract: 一种R-T-B系烧结磁体的制造方法，其是具有规定的组成、满足式(1)的R-T-B系烧结磁体的制造方法，包括以下工序：使用最大厚度为2mm以下的原料Co，制作满足上述R-T-B系烧结磁体的组成的合金的工序；由上述合金制作合金粉末的工序；将上述合金粉末成形而得到成形体的成形工序；将上述成形体烧结而得到烧结体的烧结工序；对上述烧结体实施热处理的热处理工序。14[B]/10.8＜[T]/55.85(1)([B]为以质量％表示的B的含量，[T]为以质量％表示的T(T为Fe和Co)的含量)。

    R‑T‑B系烧结磁体的制造方法
    18.
    发明公开
    R‑T‑B系烧结磁体的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN107210128A

    公开(公告)日：2017-09-26

    申请号：CN201680007651.0

    申请日：2016-12-16

    Applicant: 日立金属株式会社

    Inventor： 佐藤铁兵 ,  国吉太 ,  石井伦太郎

    IPC: H01F41/02 ,  B22F3/00 ,  B22F3/24 ,  C21D6/00 ,  C22C38/00 ,  H01F1/057

    CPC classification number: H01F1/0577 ,  B22F3/00 ,  B22F3/24 ,  B22F2003/248 ,  C21D6/00 ,  C21D6/007 ,  C22C38/00 ,  C22C38/005 ,  H01F1/057 ,  H01F41/02 ,  H01F41/0293

    Abstract: 一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法，其包括如下工序：1)准备R‑T‑B系烧结磁体素材的工序，将成形体以1000℃以上且1100℃以下的温度烧结后，在(条件a)10℃/分以下降温至500℃，或进行(条件b)在800℃以上950℃以下的第一热处理温度保持的第一热处理后，实施以10℃/分以下降温至500℃，所述R‑T‑B系烧结磁体原材含有27.5～34.0质量％的R(R为稀土类元素之中的至少一种且一定含有Nd)、0.85～0.93质量％的B、0.20～0.70质量％的Ga、0.05～0.50质量％的Cu、0.05～0.50质量％的Al，余量是T(T是Fe和Co，以质量比计，T的90％以上是Fe)和不可避免的杂质，并满足式(1)[T]‑72.3[B]＞0和式(2)([T]‑72.3[B])/55.85＜13[Ga]/69.72(其中，[T]是以质量％表示的T的含量，[B]是以质量％表示的B的含量，[Ga]是以质量％表示的Ga的含量)；2)热处理工序，将所述R‑T‑B系烧结磁体原材加热至650℃以上且750℃以下的第二热处理温度而进行第二热处理后，以5℃/分以上冷却至400℃。

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