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公开(公告)号：CN1941444B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200610159934.5
申请日：2006-09-26
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供除了高亮度和低驱动电压之外，能够抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。该半导体发光元件具有：在半导体衬底上形成的至少由n型包覆层、活性层和p型包覆层构成的发光部；在所述发光部上形成的、添加了大于等于1×1019/cm3的p型掺杂剂的As系接触层；在所述接触层7上形成的、由金属氧化物材料构成的电流扩展层；其中，在所述接触层和所述p型包覆层之间或者在所述p型包覆层中，形成了由V族元素的主要成分为P(磷)的未掺杂的III/V族半导体所构成的缓冲层。
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公开(公告)号：CN101673797A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910173068.9
申请日：2009-09-10
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/387 , H01L33/46
Abstract: 本发明提供一种制造成品率高的发光元件。该发光元件具有：半导体层叠结构(10)，其具有第1导电型的第1半导体层、与所述第1导电型不同的第2导电型的第2半导体层、夹持于所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的活性层(105)；反射层(132)，其设置于所述半导体层叠结构(10)的一侧的表面，反射所述活性层(105)所发出的光；支撑衬底(20)，在所述反射层(132)的与所述半导体层叠结构(10)一侧相反的一侧隔着金属接合层支撑所述半导体层叠结构(10)，由硅或锗形成；背面电极(210)，其含有金，设置于所述支撑衬底(20)的所述金属结合层的相反一侧，通过所述金与所述支撑衬底(20)之间的合金化而具有比金更高的硬度。
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公开(公告)号：CN1941445A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610159993.2
申请日：2006-09-29
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/025 , H01L33/30 , H01L33/42
Abstract: 本发明涉及一种除了高亮度和低驱动电压外，还能抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。所述半导体发光元件为在半导体衬底(1)上由晶体生长来至少形成n型包层(3)、活性层(4)、p型包层(5)、p型缓冲层(6)、p型接触层(7)，再在p型接触层上形成由ITO膜(8)构成的电流分散层的半导体发光元件，通过将Mg浓度为3.0×1017/cm3以下的低Mg浓度缓冲层(11)或不掺杂的缓冲层(12)做成以50nm以上的厚度设置到Mg掺杂的上述p型缓冲层中的一部分或全部上的结构，由此，可以有效抑制p型接触层(7)的掺杂剂Zn的扩散。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101399308B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200810174337.9
申请日：2006-10-25
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2224/14
Abstract: 本发明提供一种具有高效率，且能通过大电流的发光二极管。该发光二极管具有：在高导热性基片(10)的表面侧至少叠层p型包层(4)、活性层(3)、n型包层(2)的发光层部，在上述发光层部上的中央部分地形成的电流阻止部(14)，在上述n型包层及上述电流阻止部表面形成的电流扩展层(15)，在上述电流扩展层表面形成的上部电极(16)，在上述高导热性基片背面形成的下部电极(13)，其特征是，还具有：形成在上述高导热性基片与上述发光层部之间的光反射层(7)，在位于上述光反射层的表面上的上述电流阻止部下方的部分上形成的部分电极(6)，在形成上述部分电极的部分以外的上述光反射层的表面上形成的电流阻止部(5)。
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公开(公告)号：CN101820042A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010119537.1
申请日：2010-02-20
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/0079 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其能提高发光输出。发光元件(1)包括：具有第1半导体层、第2半导体层、在第1半导体层和第2半导体层之间的活性层(105)的半导体层叠结构(10)，具有设置在半导体层叠结构(10)的一个面上的中心电极、从中心电极外周开始延伸的细线电极的表面电极(110)，具有在半导体层叠结构(10)的另一个面的除了表面电极(110)的正下方以外的部分上沿着细线电极平行设置的、形成和细线电极之间最短电流通路的多个第1区域、连接多个第1区域的第2区域的接触部(120)；对于表面电极(110)，中心电极和接触部(120)之间最短电流通路比细线电极和第1区域之间最短电流通路更长，细线电极的端部和接触部之间最短电流通路具有细线电极和第1区域之间最短电流通路以上的长度。
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公开(公告)号：CN101399308A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810174337.9
申请日：2006-10-25
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2224/14
Abstract: 本发明提供一种具有高效率，且能通过大电流的发光二极管。该发光二极管具有：在高导热性基片(10)的表面侧至少叠层p型包层(4)、活性层(3)、n型包层(2)的发光层部，在上述发光层部上的中央部分地形成的电流阻止部(14)，在上述n型包层及上述电流阻止部表面形成的电流扩展层(15)，在上述电流扩展层表面形成的上部电极(16)，在上述高导热性基片背面形成的下部电极(13)，其特征是，还具有：形成在上述高导热性基片与上述发光层部之间的光反射层(7)，在位于上述光反射层的表面上的上述电流阻止部下方的部分上形成的部分电极(6)，在形成上述部分电极的部分以外的上述光反射层的表面上形成的电流阻止部(5)。
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公开(公告)号：CN100428515C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200610159993.2
申请日：2006-09-29
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/025 , H01L33/30 , H01L33/42
Abstract: 本发明涉及一种除了高亮度和低驱动电压外，还能抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。所述半导体发光元件为在半导体衬底(1)上由晶体生长来至少形成n型包层(3)、活性层(4)、p型包层(5)、p型缓冲层(6)、p型接触层(7)，再在p型接触层上形成由ITO膜(8)构成的电流分散层的半导体发光元件，通过将Mg浓度为3.0×1017/cm3以下的低Mg浓度缓冲层(11)或不掺杂的缓冲层(12)做成以50nm以上的厚度设置到Mg掺杂的上述p型缓冲层中的一部分或全部上的结构，由此，可以有效抑制p型接触层(7)的掺杂剂Zn的扩散。
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