公开(公告)号：CN101250752A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200710196096.3

申请日：2007-12-03

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 大岛佑一

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/20 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明提供高品质的III族氮化物半导体衬底。本发明的III族氮化物半导体衬底由III族氮化物单晶构成，具有25.4mm以上直径和150μm以上厚度的衬底的外形尺寸的根据温度变化算出的线膨胀系数为α，所述衬底的晶格常数的根据温度变化算出的线膨胀系数为αL，将它们之间的差α－αL设为Δα，则Δα/α的值在0.1以下。

公开(公告)号：CN101060102A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200710135923.8

申请日：2007-03-12

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 大岛佑一

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明提供了即使使用具有三元以上混晶组成的氮化物系半导体也可以维持外延特性的面内均一性、确保器件的高成品率和高可靠性的氮化物系半导体衬底及其制造方法，以及使用该氮化物系半导体衬底的氮化物系半导体发光器件用外延衬底。在直径25mm以上的异种衬底上，外延生长厚度2mm以下的具有三元以上混晶组成的氮化物系半导体晶体，然后除去异种衬底，得到厚度方向的热阻值为0.02～0.5Kcm2/W以下的氮化物系半导体衬底。在该氮化物系半导体衬底上外延生长由氮化物系半导体构成的发光层，成为氮化物系半导体发光器件用外延衬底。

公开(公告)号：CN1979766A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610108309.8

申请日：2006-08-01

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 大岛佑一

IPC: H01L21/08 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L33/007 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02664

Abstract: 本发明提供在确保充分的导电性的同时，具有高的导热率和高的电子迁移率的氮化物系半导体衬底以及半导体装置。氮化物系半导体衬底是由具有直径大于等于25mm且厚度大于等于250μm的尺寸的氮化物系半导体构成的衬底，其特征为，n型载流子浓度为1.2×1018cm－3～3×1019cm－3，并且导热率为1.2W/cmK～3.5W/cmK。另外，在该氮化物系半导体衬底上，外延生长氮化物系半导体来制成半导体装置。

公开(公告)号：CN102127815A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010508646.2

申请日：2010-10-13

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 大岛佑一

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/20

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/186

Abstract: 本发明提供一种IIIA族氮化物半导体晶体的制造方法和IIIA族氮化物半导体衬底的制造方法。所述IIIA族氮化物半导体晶体的制造方包括：制备晶种的步骤；以及生长所述IIIA族氮化物半导体晶体的凸面生长步骤，其中所述IIIA族氮化物半导体晶体的生长面仅由多个不垂直于生长方向的表面构成，并且由所述多个表面构成的所述生长面作为整体形成为凸面形状。所述IIIA族氮化物半导体衬底的制造方法是通过切割由所述凸面生长步骤获得的IIIA族氮化物半导体晶体来制备IIIA族氮化物半导体衬底。

公开(公告)号：CN101404248A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810100724.8

申请日：2008-05-20

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 大岛佑一 ,  柴田真佐知

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  C30B25/16

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647

Abstract: 本发明提供一种能够提高元件的成品率的GaN自支撑衬底及GaN自支撑衬底的制造方法。本发明涉及的GaN单晶具备衬底表面和包含在衬底表面上的极性反转区，极性反转区在衬底表面上的个数密度为20cm－2以下。

公开(公告)号：CN1960014A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610080167.9

申请日：2006-05-10

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 大岛佑一

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

Abstract: 本发明提供一种光吸收系数小、具有高透明度，同时可以确保充分的导电性的氮化物系半导体衬底及其制造方法。在蓝宝石衬底(11)上形成GaN膜(12)和Ti膜(13)后，在氢气和氨气的混合气氛中加热，转变成多孔TiN薄膜(14)后，在多孔TiN薄膜(14)上形成刻面成长GaN15，成长GaN结晶而形成GaN厚膜(17)，使在形成c面以外的刻面的同时进行成长的成长初期阶段的氮化物系半导体层的厚度为最终形成的氮化物系半导体层的整体厚度的30％或30％以下，通过空隙(16)从蓝宝石衬底(11)上剥离，从而得到GaN自立衬底。