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公开(公告)号：CN115472483B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202210262384.9
申请日：2022-03-16
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置用构件，其利用保护材料保护将陶瓷加热器与金属基座粘接的粘接材料，并且防止由粘接材料与保护材料的热膨胀差引起的不良情况的产生。作为半导体制造装置用构件的聚焦环(FR)载置台具备：圆环状的FR用陶瓷加热器、作为金属基座的FR用冷却板、作为粘接FR用冷却板与FR用陶瓷加热器的粘接材料的粘接片、以包围粘接片的周围的方式设置在FR用陶瓷加热器与FR用冷却板之间的粘接性的内周侧及外周侧保护材料。在粘接片与内周侧保护材料之间设置有内周侧空隙层。在粘接片与外周侧保护材料之间设置有外周侧空隙层。
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公开(公告)号：CN115472548B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202210501337.5
申请日：2022-05-09
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种聚焦环载置台，其利用保护材料保护将聚焦环用的陶瓷加热器与金属基座粘接的粘接材料的内周侧以及外周侧，并且防止因粘接材料与保护材料的热膨胀差引起的不良情况的产生。聚焦环(FR)载置台具备：圆环状的FR用陶瓷加热器；作为金属基座的FR用冷却板；作为粘接FR用冷却板和FR用陶瓷加热器的粘接材料的粘接片；以及在FR用冷却板和FR用陶瓷加热器之间以粘接于粘接片的内周部和外周部的方式设置的内周侧和外周侧保护材料。粘接片的热膨胀系数为内周侧保护材料的热膨胀系数以下且为外周侧保护材料的热膨胀系数以上。
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公开(公告)号：CN116959941A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310005560.5
申请日：2023-01-04
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/20 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，其能够将具备脆性的冷却基材的晶片载放台无障碍地紧固于设置板，且能够防止晶片产生温度特异点。晶片载放台(10)具备：氧化铝基材(20)、脆性的冷却基材(30)、以及延展性的内螺纹部件(38)。氧化铝基材(20)在上表面具有晶片载放面(22a)，且内置有电极(26)。冷却基材(30)接合于氧化铝基材(20)的下表面，且形成有制冷剂流路(32)。内螺纹部件(38)以被限制了轴旋转的状态且是以与在冷却基材(30)的下表面呈开口的收纳孔(36)的卡合部卡合的状态收纳于收纳孔(36)内。内螺纹部件(38)能够与从冷却基材(30)的下表面侧插入的螺栓(98)的外螺纹旋合。收纳孔(36)设置于制冷剂流路(32)的内部。
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公开(公告)号：CN116895504A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310127913.9
申请日：2023-02-17
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01J37/20 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，其在不会妨碍对象物的吸附的状态下提高等离子体的产生效率。晶片载放台(10)具备陶瓷板(20)和导电性基材(30)。陶瓷板(20)在具有晶片载放面(21a)的板中央部(21)的外周具备具有聚焦环载放面(25a)的板环状部(25)。导电性基材(30)设置于陶瓷板(20)的下表面，用作高频源电极。在板环状部(25)以自聚焦环载放面(25a)起算为相同高度植入有聚焦环吸附用电极(26)和被供给偏置用高频的聚焦环侧高频偏置电极(27)。
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公开(公告)号：CN116190186A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202210852241.3
申请日：2022-07-20
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/20 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供晶片载放台，提高晶片的均热性。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)，其上表面具有能够载放晶片的晶片载放面，且内置有电极(26)；冷却基材(30)，其具有冷媒流路(32)；金属接合层(40)，其将陶瓷基材(20)和冷却基材(30)接合；以及多个小突起(22c)，它们在晶片载放面(22a)的基准面(22d)以顶面支撑晶片(W)的下表面。小突起(22c)的顶面在同一平面上。在晶片载放面(22a)的俯视与冷媒流路(32)重复的流路重复范围(R10)内，俯视冷媒流路(32)时与晶片载放面(22a)重复的范围内的与最上游部(32U)对置的小区域(A1)中，小突起(22c)的面积率最低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115705986A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210872589.9
申请日：2022-07-19
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/20 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供晶片载置台，能够兼顾在高温下对晶片进行处理和从晶片高效地进行散热。晶片载置台(10)具备陶瓷基材(20)、第一冷却基材(30)和第二冷却基材(50)。陶瓷基材(20)具有晶片载置面(22a)，内置有晶片吸附用电极(25)和加热器电极(26)。第一冷却基材(30)经由金属接合层(40)接合于陶瓷基材(20)中的与晶片载置面(22a)相反侧的面，具有能够切换第一制冷剂的供给和供给停止的第一制冷剂流路(31)。第二冷却基材(50)隔着能够供给传热气体的空间层(42)安装于第一冷却基材(30)中的与金属接合层(40)相反侧的面，具有能够切换第二制冷剂的供给和供给停止的第二制冷剂流路(51)。
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公开(公告)号：CN116110765B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202210788205.5
申请日：2022-07-06
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/20 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供晶片载放台，提高晶片的均热性。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、以及金属接合层(40)。陶瓷基材(20)在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面(22a)且内置有晶片吸附用电极(26)。冷却基材(30)具有冷媒流路(32)。金属接合层(40)将陶瓷基材(20)和冷却基材(30)接合。关于冷媒流路(32)中的俯视与晶片载放面(22a)重复的区域处的最上游部(32U)和最下游部(32L)的冷媒流路(32)的截面积，最下游部(32L)的该截面积比最上游部(32U)的该截面积小。
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公开(公告)号：CN115954252B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202210678561.1
申请日：2022-06-16
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 一种晶片载放台，降低排热能力高且不易发生破损的晶片载放台的制造成本。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)，上表面具有晶片载放面(22a)，内置有电极(26)；冷却基材(30)，内部形成有冷媒流路(38)；金属接合层(40)，将陶瓷基材(20)的下表面和冷却基材(30)的上表面接合。冷却基材(30)具有：金属基复合材料制或低热膨胀金属材料制的顶部基材(81)，构成冷媒流路(38)的顶部；主成分与陶瓷基材(20)相同的陶瓷材料制的带沟基材(83)，上表面设置有构成冷媒流路(38)的底部及侧壁的流路沟(88)；金属制的顶部接合层(82)，将顶部基材(81)的下表面和带沟基材(83)的上表面接合。
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公开(公告)号：CN119365973A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202280008554.9
申请日：2022-06-28
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 晶片载放台10具备：陶瓷基材21，其上表面具有晶片载放面21a，且内置有电极22；第一冷却基材23，该第一冷却基材23是金属与陶瓷的复合材料制的或低热膨胀金属材料制的；金属接合层25，其将陶瓷基材21的下表面和第一冷却基材23的上表面接合；第二冷却基材30，其内部形成有冷媒流路35；散热片40，其配置于第一冷却基材23的下表面与第二冷却基材30的上表面之间；螺纹孔24，其在第一冷却基材23的下表面呈开口；贯通孔36，其设置于与螺纹孔24对置的位置，且沿着上下方向贯穿第二冷却基材30；以及螺纹部件50，其自第二冷却基材30的下表面被插入于贯通孔36，且被螺合于螺纹孔24。
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