公开(公告)号：CN1083403C

公开(公告)日：2002-04-24

申请号：CN94100382.5

申请日：1994-01-08

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  中岛务

IPC: C02F1/46 ,  H01L21/304 ,  B08B3/04 ,  C23G1/00

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  C02F1/30 ,  C02F1/32 ,  C02F1/42 ,  C02F1/4618 ,  C02F9/00 ,  C02F2103/12 ,  C02F2103/346 ,  C02F2201/46115 ,  C02F2201/4612 ,  C02F2201/4618 ,  C02F2201/46185 ,  C02F2209/06 ,  Y10S134/902

Abstract: 水在被多孔膜分为阳极室和阴极室的电解槽中电解以制备在阳极室中的含有氢离子的刚制备的阳极水和在阴极室中的含有氢氧离子的刚制备的阴极水。将刚制备的阳极水和阴极水分别从电解槽中放出，选择其中之一与湿处理目标相接触。通过在水中添加少量电解助剂诸如二氧化碳气体或乙酸铵和/或通过用波长不大于400nm或不小于3000nm的电磁波照射在电解的水，可以增大水的电解效率。

公开(公告)号：CN1065656C

公开(公告)日：2001-05-09

申请号：CN95104078.2

申请日：1995-03-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 北岛洋 ,  青木秀充 ,  滨野春人 ,  森田信 ,  白水好美 ,  中森雅治 ,  濑尾祐史 ,  清水裕司 ,  井内真 ,  佐佐木康 ,  N·太田 ,  K·渡边

IPC: H01L21/302 ,  C23F3/00

CPC classification number: H01L21/67086 ,  C02F1/4618 ,  C02F2201/46115 ,  C02F2201/4612 ,  C02F2201/4618 ,  C02F2201/46185 ,  C02F2201/4619 ,  C02F2209/04 ,  C02F2209/06 ,  C02F2209/42 ,  C02F2301/066

Abstract: 在湿法处理设备中设置了：电解槽(1′)；第一存储槽(11-1)存储电解槽的阳极活化水；第一处理槽(3′-1，3″-1)用第一存储槽的阳极活化水处理工件(303，331)；第二存储槽(11-2)存储电解槽的阴极活化水；第二处理槽(3′-2，3″-2)采用第二存储槽的阴极活化水处理工件(303，331)。且在第一处理槽与电解槽的阳极区之间设置第一再生反馈通道(12-1～16-1)，在第二处理槽与电解槽的阴极区之间设置第二再生反馈通道(12-2～16-2)。

公开(公告)号：CN1236977A

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：CN99107491.2

申请日：1999-05-24

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 青木秀充

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  B08B1/00 ,  B08B3/02

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/67046

Abstract: 一种半导体器件清洗装置,在进行用于表面的化学机械抛光工艺之后清洗半导体晶片表面。半导体晶片表面上放置滚刷以便与该表面接触。第一化学液体槽装有第一化学液体。第一排放喷嘴将第一化学液体喷射到半导体晶片表面上。第二化学液体槽装有第二化学液体。第二排放喷嘴将第二化学液体喷射到半导体晶片表面上。第一化学液体和第二化学液体是在滚刷和晶片旋转的条件下喷射到半导体晶片表面上的。

公开(公告)号：CN1210886A

公开(公告)日：1999-03-17

申请号：CN98116270.3

申请日：1998-08-10

Applicant: 关东化学株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 石川典夫 ,  森清人 ,  青木秀充

IPC: C11D9/30

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3245 ,  C11D11/0047 ,  H05K3/26

Abstract: 提供一种不腐蚀金属、可以容易地去除基板表面的金属杂质的洗涤液,即在环境负荷、保存性等方面没有问题的、布设了金属配线后的基板洗涤用的洗涤液。布设了金属配线后的基板洗涤用洗涤液,其特征在于含有草酸、草酸铵、多氨基羧酸类中至少一种。

公开(公告)号：CN1130689A

公开(公告)日：1996-09-11

申请号：CN95118294.3

申请日：1995-10-27

Applicant: 日本电气株式会社 ,  奥加诺株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  中森雅治 ,  山中弘次 ,  今冈孝之 ,  二木高志 ,  山下幸福

IPC: C25B9/00 ,  B08B3/10

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/08 ,  C02F1/42 ,  C02F1/44 ,  C02F1/4618 ,  C02F9/00 ,  C02F2103/04 ,  C02F2201/4611 ,  C02F2201/46115 ,  C02F2201/46195 ,  H01L21/67057 ,  Y02E60/366

Abstract: 本发明提供了电子元件的清洗方法，其特征是将用清洗液处理的半导体基板、玻璃基板、电子元件及上述这些的制造装置的部件等被清洗物，再用去离子水电解水的阳极水或阴极水进行洗涤处理。

公开(公告)号：CN1317743C

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200410045281.9

申请日：2004-06-04

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 富盛浩昭 ,  青木秀充 ,  岩本敏幸

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/28

Abstract: 根据本发明，可以刻蚀高-k膜，以提供希望的几何形状，而不损坏硅底层材料。通过热氧化在硅衬底50上形成氧化硅薄膜52，以及在其上形成包括HfSiOx的高介电常数绝缘膜54。此后，通过抗蚀剂层58的掩模，通过干法刻蚀分阶段有选择地除去多晶硅层56和高介电常数绝缘膜54，以及随后，通过多晶硅层56的掩模，通过湿法刻蚀有选择地除去介电常数绝缘膜54和氧化硅膜52的剩余部分。蚀刻剂溶液采用磷酸和硫酸的液体混合物。蚀刻剂溶液的温度优选等于或小于200℃，更优选等于或小于180℃。

公开(公告)号：CN1059878C

公开(公告)日：2000-12-27

申请号：CN95118294.3

申请日：1995-10-27

Applicant: 日本电气株式会社 ,  奥加诺株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  中森雅治 ,  山中弘次 ,  今冈孝之 ,  二木高志 ,  山下幸福

IPC: C02F1/461 ,  C25B9/00

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/08 ,  C02F1/42 ,  C02F1/44 ,  C02F1/4618 ,  C02F9/00 ,  C02F2103/04 ,  C02F2201/4611 ,  C02F2201/46115 ,  C02F2201/46195 ,  H01L21/67057 ,  Y02E60/366

Abstract: 本发明提供了电子元件的清洗方法，其特征是将用清洗液处理的半导体基板、玻璃基板、电子元件及上述这些的制造装置的部件等被清洗物，再用去离子水电解水的阳极水或阴极水进行洗涤处理。

公开(公告)号：CN1053166C

公开(公告)日：2000-06-07

申请号：CN95118325.7

申请日：1995-10-27

Applicant: 日本电气株式会社 ,  奥加诺株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  山中弘次 ,  今冈孝之 ,  二木高志 ,  山下幸福

IPC: C02F1/461 ,  C25B1/00 ,  B01D61/48

CPC classification number: C02F1/4618 ,  C02F1/444 ,  C02F9/00 ,  C02F2001/46133 ,  C02F2201/4611 ,  C02F2201/46195 ,  C02F2209/04 ,  C02F2209/06 ,  Y02E60/366

Abstract: 一种电解水制造装置，包括：阳极；阴极；阳极室；阴极室；在阴极室和阴极室之间由一对隔膜分隔开而设置的中间室；向该三室分别供给各自原水的供给管道；排出处理液的排出管道；在由前述阳极室接出的排出管上设有酸添加装置；同时在由前述阴极室接出的排出管上设有碱添加装置，并使所添加的电解质的组成、浓度、添加量、pH值中的至少任意一种参数可控。

公开(公告)号：CN1250226A

公开(公告)日：2000-04-12

申请号：CN99121621.0

申请日：1999-10-08

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 青木秀充

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76814 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在制造具有多层互连的半导体器件的方法中,在形成通孔之后,用包含能够与铜类金属沾污物形成络合物的络合剂的清洗液清洗通孔内部。

公开(公告)号：CN1247107A

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：CN99119023.8

申请日：1999-09-07

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 青木秀充

IPC: B08B3/08 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C11D7/06 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3245 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/061 ,  C23G1/10 ,  C23G1/103 ,  C23G1/106 ,  C23G1/12 ,  C23G1/125 ,  C23G1/18 ,  C23G1/20 ,  C23G1/205 ,  C23G1/22 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/3212 ,  Y10S134/902 ,  Y10S438/906

Abstract: 在清洗在表面上同时暴露有金属材料和半导体材料并经受化学机械磨光处理的基片的过程中,首先用含氨水等的第一种清洗液清洗,然后用含(a)能容易与金属氧化物等形成络合物的第一种络合剂,(b)一种阴离子或阳离子表面活性剂的第二种清洗液清洗。