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公开(公告)号：CN1130689A
公开(公告)日：1996-09-11
申请号：CN95118294.3
申请日：1995-10-27
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/08 , C02F1/42 , C02F1/44 , C02F1/4618 , C02F9/00 , C02F2103/04 , C02F2201/4611 , C02F2201/46115 , C02F2201/46195 , H01L21/67057 , Y02E60/366
Abstract: 本发明提供了电子元件的清洗方法，其特征是将用清洗液处理的半导体基板、玻璃基板、电子元件及上述这些的制造装置的部件等被清洗物，再用去离子水电解水的阳极水或阴极水进行洗涤处理。
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公开(公告)号：CN1129746A
公开(公告)日：1996-08-28
申请号：CN95118325.7
申请日：1995-10-27
CPC classification number: C02F1/4618 , C02F1/444 , C02F9/00 , C02F2001/46133 , C02F2201/4611 , C02F2201/46195 , C02F2209/04 , C02F2209/06 , Y02E60/366
Abstract: 一种电解水制造装置，包括：阳极；阴极；阳极室；阴极室；在阴极室和阴极室之间由一对隔膜分隔开而设置的中间室；向该三室分别供给各自原水的供给管道；排出处理液的排出管道；在由前述阳极室接出的排出管上设有酸添加装置；同时在由前述阴极室接出的排出管上设有碱添加装置，并使所添加的电解质的组成、浓度、添加量、pH值中的至少任意一种参数可控。
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公开(公告)号：CN1059878C
公开(公告)日：2000-12-27
申请号：CN95118294.3
申请日：1995-10-27
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/08 , C02F1/42 , C02F1/44 , C02F1/4618 , C02F9/00 , C02F2103/04 , C02F2201/4611 , C02F2201/46115 , C02F2201/46195 , H01L21/67057 , Y02E60/366
Abstract: 本发明提供了电子元件的清洗方法，其特征是将用清洗液处理的半导体基板、玻璃基板、电子元件及上述这些的制造装置的部件等被清洗物，再用去离子水电解水的阳极水或阴极水进行洗涤处理。
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公开(公告)号：CN1053166C
公开(公告)日：2000-06-07
申请号：CN95118325.7
申请日：1995-10-27
CPC classification number: C02F1/4618 , C02F1/444 , C02F9/00 , C02F2001/46133 , C02F2201/4611 , C02F2201/46195 , C02F2209/04 , C02F2209/06 , Y02E60/366
Abstract: 一种电解水制造装置，包括：阳极；阴极；阳极室；阴极室；在阴极室和阴极室之间由一对隔膜分隔开而设置的中间室；向该三室分别供给各自原水的供给管道；排出处理液的排出管道；在由前述阳极室接出的排出管上设有酸添加装置；同时在由前述阴极室接出的排出管上设有碱添加装置，并使所添加的电解质的组成、浓度、添加量、pH值中的至少任意一种参数可控。
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公开(公告)号：CN111670362A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201880088307.8
申请日：2018-09-12
Applicant: 奥加诺株式会社
Abstract: 本发明提供可连续且高精度定量样本水中的过氧化氢的过氧化氢浓度的测定方法以及测定系统。一种测定从水处理工艺的特定位置采取的样本水中的过氧化氢浓度的方法，其包括：采取样本水的工序；利用第一溶解氧浓度测定单元和第二溶解氧浓度测定单元对样本水或利用过氧化氢分解单元处理样本水而得到的处理水的溶解氧浓度，取得2个溶解氧浓度值的差即修正值的修正值取得工序；利用第一溶解氧浓度测定单元测定样本水中的溶解氧浓度，利用第二溶解氧浓度测定单元测定处理水中的溶解氧浓度，取得2个溶解氧浓度值的差即测定值的测定值取得工序；以及根据测定值取得工序中得到的测定值和修正值取得工序中得到的修正值，计算修正的过氧化氢浓度的运算工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105340067A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480036472.0
申请日：2014-04-17
Applicant: 奥加诺株式会社
IPC: H01L21/304 , B01J31/08 , C02F1/20 , C02F1/32 , C02F1/68
CPC classification number: B08B3/08 , B01J31/08 , C02F1/20 , C02F1/32 , C02F1/42 , C02F1/44 , C02F1/68 , C02F9/00 , C02F2103/04 , C11D7/02 , C23G1/103 , C23G1/20 , H01L21/02068 , H01L21/6704
Abstract: 在该铜露出基板的清洗方法中，设置有紫外线氧化装置的子系统的水出口和各基板处理装置的水入口经由主配管连接。过氧化氢除去装置(2)配置在子系统的紫外线氧化装置与非再生型离子交换装置之间。另外，二氧化碳供给装置(4)配置在从子系统的水出口分支至到达基板处理装置(1)的配管(3)的途中。过氧化氢除去装置(2)填充有铂族系金属催化剂。作为该构成的结果，通过紫外线氧化装置的超纯水用作基质以制造溶解在其中的过氧化氢的浓度限于2μg/L以下并且将二氧化碳添加至其中以将电阻率调节为在0.03-5.0MΩ·cm的范围内的碳酸水，并且碳酸水用于清洗设置在基板处理装置(1)内并且至少铜或铜化合物在表面上露出的基板。
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公开(公告)号：CN105340067B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201480036472.0
申请日：2014-04-17
Applicant: 奥加诺株式会社
IPC: H01L21/304 , B01J31/08 , C02F1/20 , C02F1/32 , C02F1/68
CPC classification number: B08B3/08 , B01J31/08 , C02F1/20 , C02F1/32 , C02F1/42 , C02F1/44 , C02F1/68 , C02F9/00 , C02F2103/04 , C11D7/02 , C23G1/103 , C23G1/20 , H01L21/02068 , H01L21/6704
Abstract: 在该铜露出基板的清洗方法中，设置有紫外线氧化装置的子系统的水出口和各基板处理装置的水入口经由主配管连接。过氧化氢除去装置(2)配置在子系统的紫外线氧化装置与非再生型离子交换装置之间。另外，二氧化碳供给装置(4)配置在从子系统的水出口分支至到达基板处理装置(1)的配管(3)的途中。过氧化氢除去装置(2)填充有铂族系金属催化剂。作为该构成的结果，通过紫外线氧化装置的超纯水用作基质以制造溶解在其中的过氧化氢的浓度限于2μg/L以下并且将二氧化碳添加至其中以将电阻率调节为在0.03‑5.0MΩ·cm的范围内的碳酸水，并且碳酸水用于清洗设置在基板处理装置(1)内并且至少铜或铜化合物在表面上露出的基板。
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公开(公告)号：CN106688082A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580048053.3
申请日：2015-08-04
Applicant: 奥加诺株式会社
IPC: H01L21/304 , B01F1/00 , B01F3/08 , B01F5/00 , B01F15/04
Abstract: 本发明的稀释液制造方法通过对第一液体添加第二液体来制造该第二液体的稀释液，该稀释液制造方法包括以下步骤：使第一液体在第一配管(11)中流动；对用于贮存第二液体的罐体(12)内的压力进行控制，通过将罐体(12)与第一配管(11)连接的第二配管(13)来将第二液体添加到第一配管(11)内的第一液体。添加第二液体的步骤中包括以下步骤：测定第一配管(11)内流动的第一液体的流量或稀释液的流量；测定稀释液的成分浓度；以及基于流量的测定值和成分浓度的测定值来控制罐体(12)内的压力，使得稀释液的成分浓度为规定值。
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公开(公告)号：CN104284705B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201380023992.3
申请日：2013-04-24
Applicant: 奥加诺株式会社
CPC classification number: B01D47/14 , B01D53/18 , B01D2247/04 , B01D2247/107 , B01D2247/14 , B01D2257/302 , B01D2258/06
Abstract: 空气净化装置(1)包括：进气口(3)；排气口(4)，其位于进气口(3)的上方；气液接触部(5)，其设于进气口(3)与排气口(4)之间，用于使自进气口(3)导入至壳体(2)内的空气与清洗水相接触；喷洒部件(6)，其设于气液接触部(5)的上方，用于向气液接触部(5)喷洒清洗水；清洗水储存部件(7)，其用于储存清洗水；以及清洗水循环部件(8)，其用于使清洗水循环。气液接触部(5)具有纤维集合体，该纤维集合体为纤维密度在厚度方向上不同的垫状的纤维集合体，纤维集合体的一个面为低密度且具有带起伏的形状，纤维集合体的另一个面为高密度且具有平坦的形状。纤维集合体以一个面位于进气口(3)侧且另一个面位于排气口(4)侧的方式配置在进气口(3)与排气口(4)之间。
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