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公开(公告)号：CN101452931B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810189692.3
申请日：2005-01-17
IPC: H01L27/02 , H01L27/04 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/015 , H01L23/522 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件被连接在两条布线之间。
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公开(公告)号：CN101452931A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810189692.3
申请日：2005-01-17
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/04 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/015 , H01L23/522 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置，于是温度监视部件被连接在两条布线之间。
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公开(公告)号：CN1677671A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510062739.6
申请日：2005-03-29
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/01 , G01K7/42 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体集成电路器件，其中在P型硅基片顶部表面和多级布线层处设置逻辑电路区。所述器件还设有温度传感器区，其中在多级布线层的上方设有由氧化钒构成的第一温度监视元件。在多级布线层的最底下层处设有由Ti构成的第二温度监视元件。第一和第二温度监视元件串联连接在地电位布线和电源电位布线之间，具有一个连接到所述二元件接点上输出端。第一温度监视元件的电阻率的温度系数是负的，而第二温度监视元件的是正的。
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公开(公告)号：CN1231505A
公开(公告)日：1999-10-13
申请号：CN99105497.0
申请日：1999-04-08
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 伊藤信和
IPC: H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L21/31 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/76873 , C23C14/042 , C23C14/50 , C23C14/568 , C25D7/123 , C25D17/001 , H01L21/2855 , H01L21/2885 , H01L21/76841 , H01L21/76843
Abstract: 一种半导体装置的制造方法是用夹具环遮蔽硅圆片的外周缘部由溅射法形成TiN势垒膜,然后用内径尺寸大的夹具环由溅射法形成Cu片膜。让Cu片膜覆盖TiN势垒膜在广面积上形成。即使在TiN势垒膜和Cu片膜覆成膜时发生位置错位,也可以防止TiN势垒膜露出,使得成膜在Cu片膜覆上的铜镀膜不会从TiN势垒膜上剥离,防止渣子的产生,抑制由于该渣子所造成的半导体装置的不合格品的产生,提高半导体装置的制造成品率。
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