公开(公告)号：CN106170463A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201580019360.9

申请日：2015-03-05

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 小塚久司 ,  山田嗣人 ,  松冈誉幸 ,  北村和昭 ,  山崎正人 ,  仓桥利明 ,  笠岛崇 ,  沖村康之 ,  大林和重

IPC: C04B35/00 ,  H01L41/187 ,  H01L41/39 ,  H01L41/43

CPC classification number: H01L41/1873 ,  C04B35/495 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  H01L41/047 ,  H01L41/43

Abstract: 本发明提供具有较高的压电特性的无铅压电陶瓷组合物。无铅压电陶瓷组合物的主相中的Na(钠)与K(钾)的摩尔比(Na/K)满足0.40 方向射入电子束而获取的电子衍射图像中，显现出：(i)与基本晶格周期相对应的第一斑点组；和(ii)与前述基本晶格周期的2倍的晶格周期相对应，且与前述第一斑点组相比弱的第二斑点组。另外，主相中的反映第2斑点组的晶相的面积比率为33％以下，主相中的反映第2斑点组的晶体的最大粒径为25nm以下。

公开(公告)号：CN106164015A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580019350.5

申请日：2015-03-05

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 小塚久司 ,  山田嗣人 ,  松冈誉幸 ,  北村和昭 ,  山崎正人 ,  仓桥利明 ,  笠岛崇 ,  沖村康之 ,  大林和重

IPC: C04B35/00 ,  H01L41/187 ,  H01L41/39 ,  H01L41/43

CPC classification number: H01L41/1873 ,  C04B35/495 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  H01L41/047 ,  H01L41/43

Abstract: 本发明提供具有较高的压电特性的无铅压电陶瓷组合物。无铅压电陶瓷组合物的主相中的Na(钠)与K(钾)的摩尔比(Na/K)满足0.40 方向射入电子束而获取的电子衍射图像中，显现出：(i)与基本晶格周期相对应的第一斑点组；和(ii)与前述基本晶格周期的2倍的晶格周期相对应、且与前述第一斑点组相比弱的第二斑点组。

公开(公告)号：CN1229820C

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN02122616.4

申请日：2002-06-19

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 山际胜也 ,  大塚淳 ,  笠岛崇 ,  佐藤学 ,  板仓一久 ,  大场高志 ,  松宫正彦

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/00

CPC classification number: C04B35/457 ,  C01G19/006 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/36 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/495 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明提供了一种不含贵金属钽的介电瓷组合物，其中将介电常数εf约为30，无负荷质量系数Q值大以及谐振频率的温度系数τf的绝对值比较小的BMN系统材料作为基底材料。本发明还涉及一种主结晶相为复合钙钛矿型晶体结构氧化物的介电材料，其中，向BaO-MgO-Nb2O5系统材料(BMN系统材料)中加入预定量的KNbO3。通过用Sb部分取代Nb晶格点，以及用Sn部分取代钙钛矿型晶体结构的Ba晶格点，能够进一步改进高频率特性。

公开(公告)号：CN118661432A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202380013885.6

申请日：2023-02-16

Applicant: 学校法人日本大学 ,  日本特殊陶业株式会社

Inventor： 三浦光 ,  大渕稜太 ,  笠岛崇 ,  滝英晃

IPC: H04R17/10 ,  B06B1/06

Abstract: 一种投射超声波的超声波投射装置(1)，其具备第1块体(2)、第2块体(3)以及被第1块体(2)和第2块体(3)夹持的压电单元(4)，在第1块体(2)、第2块体(3)以及压电单元(4)的轴向上的第1块体(2)侧的一端设有振动板(6b)，该超声波投射装置(1)形成为从轴向上的一端至第2块体(3)侧的另一端的尺寸与由压电单元(4)产生的振动的半波长大致一致，在振动板(6b)和支承振动板(6b)的基部(6a)之间设有连接部(6c)，该连接部形成有具有将振动板(6b)和基部(6a)连接起来的圆滑的内壁面(6e1)的槽部(6e)。

公开(公告)号：CN118044224A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280066602.X

申请日：2022-10-25

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 铃木谕 ,  横山广大 ,  铃木辽 ,  伊藤伸介 ,  笠岛崇

IPC: H04R1/34 ,  H04R17/00

Abstract: 提供能够抑制超声波的强度因粘接剂而降低的超声波发生装置和超声波发生系统。波导(13)是相对于超声波聚集部(12)独立的构件，超声波聚集部(12)利用粘接剂(20)与超声波发生源(11)粘接，将沿着从超声波发生源(11)发生的超声波的行进方向将超声波发生源(11)的外周缘(11B)投影到第一反射面(16)而成的线作为第一虚拟线(L1)，将穿过第一虚拟线(L1)上的点和第一反射面(16)的焦点(Fs)的直线作为第二虚拟线(L2)，将由所有的第二虚拟线(L2)和第二反射面(17)的交点形成的线作为第三虚拟线(L3)，此时，粘接剂(20)在比超声波发生源(11)靠内周侧的位置，设于比第三虚拟线(L3)靠外周侧的区域。

公开(公告)号：CN106164015B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201580019350.5

申请日：2015-03-05

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 小塚久司 ,  山田嗣人 ,  松冈誉幸 ,  北村和昭 ,  山崎正人 ,  仓桥利明 ,  笠岛崇 ,  沖村康之 ,  大林和重

IPC: C04B35/00 ,  H01L41/187 ,  H01L41/39 ,  H01L41/43

Abstract: 本发明提供具有较高的压电特性的无铅压电陶瓷组合物。无铅压电陶瓷组合物的主相中的Na(钠)与K(钾)的摩尔比(Na/K)满足0.40 方向射入电子束而获取的电子衍射图像中，显现出：(i)与基本晶格周期相对应的第一斑点组；和(ii)与前述基本晶格周期的2倍的晶格周期相对应、且与前述第一斑点组相比弱的第二斑点组。

公开(公告)号：CN105849991A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480071112.4

申请日：2014-12-25

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 笠岛崇 ,  高冈胜哉 ,  黑泽和浩 ,  田中邦治 ,  本田稔贵 ,  黑野启一 ,  吉田治树 ,  上垣裕则

IPC: H01T13/20

CPC classification number: H01T13/05 ,  F02P11/00 ,  H01T13/41

Abstract: 本发明提供一种火花塞。其中，在绝缘体的通孔内将中心电极和端子金属配件之间连接起来的连接部具有：电阻体；以及磁性体构造物，其配置在电阻体的前端侧或后端侧的、离开电阻体的位置，且该磁性体构造物包括磁性体和导电体。将电阻体和磁性体构造物中的配置在前端侧的构件设为第一构件，将电阻体和磁性体构造物中的配置在后端侧的构件设为第二构件。连接部还包括第一导电性密封部、第二导电性密封部、第三导电性密封部。第一导电性密封部配置在第一构件的前端侧，并与第一构件接触。第二导电性密封部配置在第一构件和第二构件之间，并与第一构件和第二构件接触。第三导电性密封部配置在第二构件的后端侧，并与第二构件接触。磁性体构造物包括作为导电体的导电性物质、作为磁性体的含铁氧化物以及含硅、硼、磷中的至少一种的陶瓷。

公开(公告)号：CN101803107A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880107971.9

申请日：2008-09-19

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 笠岛崇 ,  杉本典康

IPC: H01P1/20 ,  H01P1/208 ,  H01P7/10

CPC classification number: H01P7/105 ,  H01P1/2086

Abstract: 介电共振器、介电共振器滤波器以及控制介电共振器的方法。公开了一种具有简单结构的介电共振器，适用于多模式且无电信号传输损失，以及控制介电共振器中的共振状态(耦合模式)的方法。介电共振器包括圆筒或多边形外部导体；置于外部导体的基本中心处的介电共振元件。切口部被形成在介电共振元件的一部分上，使得控制介电共振器的共振状态。

公开(公告)号：CN119096561A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202380036431.0

申请日：2023-10-16

Applicant: 日本特殊陶业株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 铃木谕 ,  横山广大 ,  铃木辽 ,  伊藤伸介 ,  笠岛崇 ,  森田刚 ,  山田恭平

IPC: H04R1/34 ,  H04R17/00

Abstract: 提供易于根据用途而使用最适合的波导的超声波发生装置。超声波发生装置(10)具备超声波发生源(11)、超声波聚集部(12)以及波导(13)，超声波聚集部(12)具有与超声波发生源(11)相对地配置的第一反射面(16)和与第一反射面(16)相对地配置的第二反射面(17)，第一反射面(16)将由超声波发生源(11)产生的超声波朝向第二反射面(17)反射，第二反射面(17)将被第一反射面(16)反射的超声波朝向波导(13)反射并向波导(13)的内部导入，波导(13)是相对于超声波聚集部(12)独立的构件，该波导(13)利用接合部(22)与超声波聚集部(12)接合，接合部(22)配置在比使超声波发生源(11)的外周缘(11B)在相对方向上延长而成的区域(R)靠内周侧的区域。

公开(公告)号：CN119054302A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202380034899.6

申请日：2023-10-16

Applicant: 日本特殊陶业株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 伊藤伸介 ,  横山广大 ,  铃木谕 ,  铃木辽 ,  笠岛崇 ,  森田刚 ,  土田大圣

IPC: H04R1/34 ,  H04R17/00

Abstract: 抑制在波导中传播的超声波向外部泄漏。超声波发生装置(10)具备超声波发生源(11)、超声波聚集部(12)以及波导(13)。波导(13)具有第1轴部(21)、第2轴部(22)以及突出部(30)。第1轴部(21)从超声波聚集部(12)向规定方向的一侧延伸。第2轴部(22)设于比第1轴部(21)靠上述规定方向的一侧的位置，沿上述规定方向延伸。突出部(30)在上述规定方向上设于第1轴部(21)和第2轴部(22)之间。突出部(30)在相对于上述规定方向正交的平面方向上比第1轴部(21)和所述第2轴部(22)的外周面向外侧突出。