公开(公告)号：CN1934679A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580009526.5

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 高桥英治 ,  三上隆司 ,  岸田茂明 ,  加藤健治 ,  东名敦志 ,  林司 ,  绪方洁

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C16/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02631

Abstract: 一种硅粒形成方法，在导入氢气(或者还导入硅烷类气体)的真空室(1)内产生波长288纳米的硅原子发光强度与波长484纳米的氢原子发光强度的比小于等于10.0的等离子体，利用基于该等离子体的化学溅射，在基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。